Вышедшие номера
Взаимодействие фторуглерода с моноокисью кремния и процессы образования нанонитей SiC
Переводная версия: 10.1134/S1063782620080059
Астрова Е.В. 1, Улин В.П. 1, Парфеньева А.В. 1, Нащекин А.В. 1, Неведомский В.Н. 1, Байдакова М.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: east@mail.ioffe.ru, Vladimir_Ulin@rambler.ru, cheal@mail.ioffe.ru, nashchekin@mail.ioffe.ru, Nevedom@mail.ioffe.ru, Baidakova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 6 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 12 апреля 2020 г.
Принята к печати: 12 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.

При изучении процессов термической карбонизации моноокиси кремния в присутствии нестехиометрического монофторида углерода было обнаружено, что повышение температуры отжига смесей порошков SiO и CFx в квазизамкнутом объеме до 1000oС и выше ведет к выделению нитевидных нанокристаллов SiC. Проведенные исследования показали, что параллельно с известным процессом кристаллизации нанонитей SiC в результате взаимодействия паров SiO с угарным газом в их образовании принимает участие неописанное ранее взаимодействие СО с газофазным дифторидом кремния SiF2. При температурах ниже 1200oС эта реакция оказывается доминирующей, давая наибольший вклад в выход нанонитей SiC. Ключевые слова: образование нанонитей (вискеров) карбида кремния, моноокись кремния, фторуглерод, газофазный дифторид кремния.