Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2020, выпуск 8 » Статья стр. 753
<<<>>>
Взаимодействие фторуглерода с моноокисью кремния и процессы образования нанонитей SiC
DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49647.9402
Переводная версия: 10.1134/S1063782620080059
Астрова Е.В. 1, Улин В.П. 1, Парфеньева А.В. 1, Нащекин А.В. 1, Неведомский В.Н. 1, Байдакова М.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: east@mail.ioffe.ru, Vladimir_Ulin@rambler.ru, cheal@mail.ioffe.ru, nashchekin@mail.ioffe.ru, Nevedom@mail.ioffe.ru, Baidakova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 6 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 12 апреля 2020 г.
Принята к печати: 12 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.
PDF версия
При изучении процессов термической карбонизации моноокиси кремния в присутствии нестехиометрического монофторида углерода было обнаружено, что повышение температуры отжига смесей порошков SiO и CFx в квазизамкнутом объеме до 1000oС и выше ведет к выделению нитевидных нанокристаллов SiC. Проведенные исследования показали, что параллельно с известным процессом кристаллизации нанонитей SiC в результате взаимодействия паров SiO с угарным газом в их образовании принимает участие неописанное ранее взаимодействие СО с газофазным дифторидом кремния SiF2. При температурах ниже 1200oС эта реакция оказывается доминирующей, давая наибольший вклад в выход нанонитей SiC. Ключевые слова: образование нанонитей (вискеров) карбида кремния, моноокись кремния, фторуглерод, газофазный дифторид кремния.
  1. T. Tiegs. In: Handbook of ceramic composites, ed. by N.P. Bansal (N. Y., Kluwer Academic Publishers, 2005) p. 307
  2. S. Chen, W. Li, X. Li, W. Yang. Prog. Mater. Sci., 104, 138 (2019)
  3. https://spectrum.ieee.org/energywise/green-tech/fuel-cells/ startup-advano-silicon-lithium-ion-batteries
  4. Н.В. Латухина, А.С. Рогожин, С. Сайед, В.И. Чепурнов. Изв. вузов. Материалы электронной техники, 17 (4), 284 (2014)
  5. А.В. Павликов, Н.В. Латухина, В.И. Чепурнов, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 51 (3), 421 (2017)
  6. M. Saito, S. Nagashima, A. Kato. J. Mater. Sci. Lett., 11, 373 (1992)
  7. W-S. Seo, K. Koumoto. J. Am. Ceram. Soc., 79 (7), 1777 (1996)
  8. W-S. Seo, K. Koumoto. J. Am. Ceram. Soc., 83 (10), 2584 (2000)
  9. D. Zhang, A. Alkhateeb, H. Han, H. Mahmood, D.N. Mcllroy, M.G. Norton. Nano Lett., 3 (7), 983 (2003)
  10. D-H. Wang, D. Xu, Q. Wang, Y-J. Hao, G-Q. Jin, X-Y. Guo, K.N. Tu. Nanotechnology, 19, 215602 (2008)
  11. G.Z. Yang, H. Cui, Y. Sun, L. Gong, J. Chen, D. Jiang, C.X. Wang. J. Phys. Chem. C, 113, 15969 (2009)
  12. Е.В. Астрова, В.П. Улин, А.В. Парфеньева, В.Б. Воронков. Письма ЖТФ, 45 (13), 29 (2019).
  13. E.V. Astrova, V.P. Ulin, A.V. Parfeneva, A.M. Rumyantsev, V.B. Voronkov, A.V. Nashchekin, V.N. Nevedomskiy, Y.M. Koshtyal, M.V. Tomkovich. J. Alloys Compd., 826, 154242 (2020)
  14. Е.В. Астрова, А.В. Парфеньева, А.М. Румянцев, В.П. Улин, М.В. Байдакова, В.Н. Неведомский, А.В. Нащекин. Письма ЖТФ, 46 (3), 14 (2020)
  15. JCPDS-International Centre for Diffraction Data http://www.icdd.com
  16. База данных Термические Константы Веществ: электронное издание справочника. http://www.chem.msu.ru/cgi-bin/ tkv.pl?show=welcome.html/welcome.html
  17. Y. Zhang, X. Han, K. Zheng, Z. Zhang, X. Zhang, J. Fu, Y. Ji, Y. Hao, X. Guo, Zh. Wang. Adv. Funct. Mater., 17, 3435 (2007)
  18. Q. Lu, J. Hu, K. Tang, Y. Qian, G. Zhou, X. Liu, J. Zhu. Appl. Phys. Lett., 75, 507 (1999)
  19. G. Xi, Y. Liu, X. Liu, X. Wang, Y. Qian. J. Phys. Chem. B., 110, 14172 (2006)
  20. M.N. Yolder, R.F. Davis. Nav. Res. Rev., XL, 26 (1988)
  21. X. Fu, D. Wang. Appl. Surf. Sci., 493, 497 (2019).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme