"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода
Переводная версия: 10.1134/S1063782620080096
Гармаш В.И.1, Земляков В.Е.1, Егоркин В.И.1, Ковальчук А.В.2, Шаповал С.Ю.2
1Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Email: garmashvalentine@gmail.com
Поступила в редакцию: 23 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 31 марта 2020 г.
Принята к печати: 31 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.

Исследовано влияние атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода. Показано, как от конфигурации вхождения примесных атомов водорода в молекулярную структуру осажденного в плазме слоя нитрида кремния зависит последующий процесс его плазмохимического травления. Исследована зависимость скорости травления от параметров технологического процесса (рабочее давление в камере, мощность генератора плазмы, потоки рабочих газов, температура осаждения). Показано, что скорость травления пленки HxSirNzHy не зависит напрямую от содержания водорода, но существенно зависит от соотношения [Si-H]/[N-H]-связей. Скорость травления HxSirNzHy в плазме высокой плотности при малых мощностях значительно меньше зависит от конфигурации водородных связей, чем скорость травления этого диэлектрика в буферном травителе. Ключевые слова: плазмохимическое травление, плазмохимическое осаждение, нитрид кремния, ИК-фурье-спектрометрия, водородные связи.
  1. W.-Sh. Feng, Y.J. Chen. Appl. Mech. Mater., 397-400 (2013)
  2. S.P. Murarka, M. Eizenberg, A.K. Sinha. Interlayer Dielectrics for Semiconductor Technologies (Academic Press., 2003) ISBN 978-0-12-511221-5
  3. X. Li, X. Yin, L. Zhang, T. Pan. Mater. Sci. Eng. A, 527 (1-2), 103 (2009)
  4. B. Zheng, C. Zhou, Q. Wang, Y. Chen, W. Xue. Adv. Mater. Sci. Eng., 2013, 835942 (2013)
  5. П.А. Юнин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, С.А. Королев, А.И. Охапкин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. ФТП, 49 (11), 1469 (2015)
  6. H. Mackel, R. Ludemann. J. Appl. Phys., 92 (5): 2602 (2002)
  7. В.А. Бабуров, В.Е. Земляков, В.А. Красник. Электрон. техн. Сер. 1. СВЧ-техника, 2 (505), 50 (2010)
  8. W.A.P. Claassen, W.G.J.M. Valkenburg, W.M.V.D. Wijgert et al. Thin Sol. Films, 129 (3/4), 239 (1985)
  9. В.И. Гармаш, В.И. Егоркин, В.Е. Земляков, А.В. Ковальчук, С.Ю. Шаповал. Изв. вузов. Электроника, 109, (5), 33 (2014)
  10. A. Kovalchuk, G. Beshkov, S. Shapoval. J. Res. Phys., 31 (1), 37 (2007)
  11. W.A. Lanford, M.J. Rand. J. Appl. Phys., 49, 2473 (1978)
  12. А.В. Ковальчук, С.Ю. Шаповал, С.С. Лебедев, С.А. Стеблин, А.В. Волосов, Н.И. Каргин. Применение ИК-Фурье спектрометрии для определения атомарного состава субмикронных слоев нитрида кремния HxSirNzHy
  13. L.J. Tang, Y.F. Zhu, J.L. Yang, Y. Li, W. Zhou, J. Xie et al. J. Semicond., 30 (9), 096005 (2009)
  14. D.L. Smith. J. Vac. Sci. Technol. A, 11, 1843 (1993)
  15. D.L. Smith, A.S. Alimonda, C-c. Chen, H.C. Tuan. J. Electron. Mater., 19, 19 (1990)
  16. D.L. Smith, A.S. Alimonda, C-c. Chen, S.E. Ready, B. Wacker. J. Electrochem. Soc., 137, 614 (1990)
  17. D.M. Knotter, T.J.J. Denteneer. J. Electrochem. Soc., 148 (3), F43 (2001)
  18. S.-G. Oh, K.-S. Park, Y.-J. Lee, J.-H. Jeon, H.-H. Choe, J.-H. Seo. Adv. Mater. Sci. Eng., 2014, 608608 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.