Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние температуры формирования на морфологию por-Si, получаемого методом Pd-стимулированного химического травления

DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49645.9356

Переводная версия: 10.1134/S1063782620080229

Russian science foundation, Conducting initiative research by young scientists , 19-79-00205

Силаков Г.О.¹, Воловликова О.В.¹, Гаврилов С.А.¹, Железнякова А.В.¹, Дудин А.А.²

¹Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

²Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Nanotechnology of Microelectronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Nanotechnology of Microelectronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: mr.komrad-13@ya.ru

Поступила в редакцию: 5 марта 2020 г.

В окончательной редакции: 24 марта 2020 г.

Принята к печати: 24 марта 2020 г.

Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучен процесс Pd-стимулированного травления кремния в растворе, содержащем HF и H₂O₂. Показано влияние на морфологию получаемых слоев таких факторов, как длительность травления и температура раствора. Показано, что в процессе Pd-стимулированного травления наночастицы Pd остаются на стенках и дне пор. Такая структура, как было показано в ранних работах, обладает свойством электроокисления спиртов, что дает основания утверждать: формируемые структуры являются структурами типа структур Шоттки. С помощью диаграммы электрохимического равновесия в системе Si-HF(aq.) определена модель Pd-стимулированного травления. Показано, что происходит полирующее растворение Si без образования промежуточных продуктов (SiO₂). Ключевые слова: пористый кремний, металл-стимулированое травление, MACE, наночастицы палладия.

L. Zhu et al. Sensors Actuators B: Chemical, 227, 515 (2016)
S. Polisski. Abstract of PhD thesis (Bath, University of Bath, 2010)
В. Трегулов. Пористый кремний: технология, свойства, применение (Рязань, 2011)
Е.А. Козлова, В.Н. Пармон. Успехи химии, 86, 870 (2017)
Z. Kang, C. Tsang, N. Wong, Z. Zhang, S. Lee. J. Am. Chem. Soc., 129, 12090 (2007)
Z. Huang, N. Geyer, P. Werner, J. De Boor, U. Gosele. Adv. Mater., 23, 285 (2011)
Y. Chang, X. Su, X. Shi, C. Wang. Acta Chim. Sinica, 65, 2527 (2007)
О. Воловликова, С. Гаврилов, Г. Силаков, А. Железнякова, А. Дудин. Электрохимия, 55, 1452 (2019)
Г. Силаков, О. Пятилова, С. Гаврилов, А. Шулятьев. Тез. докл. 5 Междунар. науч.-техн. конф. "Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике" (М., Россия, 2016) с. 78
Ch. Lee, K. Tsujino, Yu. Kanda, Sh. Ikeda, M. Matsumura. J. Mater. Chem., 18, 1015 (2008)
Y. Qu, L. Liao, Yu. Li, H. Zhang, Yu. Huang, X. Duan. Nano Lett., 9, 4539 (2009)
K. Kolasinski. Semicond. Sci. Technol., 61, doi:10.1088/0268-1242/31/1/014002 (2016)
O. Pyatilova, S. Gavrilov, A. Sysa, A. Savitskliy, A. Shuliatyev, A. Dudin, A. Pavlov. Proc. SPIE, 10224, 1022405 (2016)
O. Hildreth, D. Schmidt. Adv. Func. Mater., 24, 3827 (2014)
M. Akhairia, S. Kamarudin. Internat. J. Hydrogen Energy, 41, 4214 (2016)
S. Yae, Y. Morii, N. Fukumuro, H. Matsuda. Nanoscale Res. Lett., 7, doi:10.1186/1556-276X-7-352 (2012)
X. Xia, C. Ashruf, P. French, J. Kelly. Chem. Mater., 12, 1671 (2000)
M. Sadeghpour-Motlagh, K. Mokhtari-Zonouzi, H. Aghajani, M. GhassemiKakroudi. J. Mater. Eng. Perform., 23, 2007 (2014)
N. Mishra, N. Dabra, A. Nautiyal, J. Hudal, G. Varma, N. Pathak, R. Nath. Ferroelectr. Lett., Sect., 42, 75 (2015)
O. Volovlikova, G. Silakov, S. Gavrilov, A. Dudin, G. Diudbin, Y. Shilyaeva. J. Phys.: Conf. Ser., 987, doi:10.1088/1742-6596/987/1/012039 (2018)
N. Geyer, B. Fuhrmann, H. Leipner, P. Werner. ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 4302 (2013)
S. Gavrilov, A. Belogorokhov, L. Belogorokhova. Semiconductor, 36, 98 (2002)
K. Kolasinski. Nanosci. Res. Lett., 9, 432 (2014)
Э. Бучин, А. Проказников. Письма ЖТФ, 23, 80 (1997)
O. Volovlikova et al. J. Phys.: Conf. Ser., 987, 012039 (2018)
O. Volovlikova, G. Silakov, S. Gavrilov, T. Maniecki, A. Dudin. Micromachines, 10, 872 (2019)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель