"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние температуры формирования на морфологию por-Si, получаемого методом Pd-стимулированного химического травления
Переводная версия: 10.1134/S1063782620080229
Russian science foundation, Conducting initiative research by young scientists , 19-79-00205
Силаков Г.О.1, Воловликова О.В.1, Гаврилов С.А.1, Железнякова А.В.1, Дудин А.А.2
1Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
2Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
Email: mr.komrad-13@ya.ru
Поступила в редакцию: 5 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 24 марта 2020 г.
Принята к печати: 24 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.

Изучен процесс Pd-стимулированного травления кремния в растворе, содержащем HF и H2O2. Показано влияние на морфологию получаемых слоев таких факторов, как длительность травления и температура раствора. Показано, что в процессе Pd-стимулированного травления наночастицы Pd остаются на стенках и дне пор. Такая структура, как было показано в ранних работах, обладает свойством электроокисления спиртов, что дает основания утверждать: формируемые структуры являются структурами типа структур Шоттки. С помощью диаграммы электрохимического равновесия в системе Si-HF(aq.) определена модель Pd-стимулированного травления. Показано, что происходит полирующее растворение Si без образования промежуточных продуктов (SiO2). Ключевые слова: пористый кремний, металл-стимулированое травление, MACE, наночастицы палладия.
  1. L. Zhu et al. Sensors Actuators B: Chemical, 227, 515 (2016)
  2. S. Polisski. Abstract of PhD thesis (Bath, University of Bath, 2010)
  3. В. Трегулов. Пористый кремний: технология, свойства, применение (Рязань, 2011)
  4. Е.А. Козлова, В.Н. Пармон. Успехи химии, 86, 870 (2017)
  5. Z. Kang, C. Tsang, N. Wong, Z. Zhang, S. Lee. J. Am. Chem. Soc., 129, 12090 (2007)
  6. Z. Huang, N. Geyer, P. Werner, J. De Boor, U. Gosele. Adv. Mater., 23, 285 (2011)
  7. Y. Chang, X. Su, X. Shi, C. Wang. Acta Chim. Sinica, 65, 2527 (2007)
  8. О. Воловликова, С. Гаврилов, Г. Силаков, А. Железнякова, А. Дудин. Электрохимия, 55, 1452 (2019)
  9. Г. Силаков, О. Пятилова, С. Гаврилов, А. Шулятьев. Тез. докл. 5 Междунар. науч.-техн. конф. "Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике" (М., Россия, 2016) с. 78
  10. Ch. Lee, K. Tsujino, Yu. Kanda, Sh. Ikeda, M. Matsumura. J. Mater. Chem., 18, 1015 (2008)
  11. Y. Qu, L. Liao, Yu. Li, H. Zhang, Yu. Huang, X. Duan. Nano Lett., 9, 4539 (2009)
  12. K. Kolasinski. Semicond. Sci. Technol., 61, doi:10.1088/0268-1242/31/1/014002 (2016)
  13. O. Pyatilova, S. Gavrilov, A. Sysa, A. Savitskliy, A. Shuliatyev, A. Dudin, A. Pavlov. Proc. SPIE, 10224, 1022405 (2016)
  14. O. Hildreth, D. Schmidt. Adv. Func. Mater., 24, 3827 (2014)
  15. M. Akhairia, S. Kamarudin. Internat. J. Hydrogen Energy, 41, 4214 (2016)
  16. S. Yae, Y. Morii, N. Fukumuro, H. Matsuda. Nanoscale Res. Lett., 7, doi:10.1186/1556-276X-7-352 (2012)
  17. X. Xia, C. Ashruf, P. French, J. Kelly. Chem. Mater., 12, 1671 (2000)
  18. M. Sadeghpour-Motlagh, K. Mokhtari-Zonouzi, H. Aghajani, M. GhassemiKakroudi. J. Mater. Eng. Perform., 23, 2007 (2014)
  19. N. Mishra, N. Dabra, A. Nautiyal, J. Hudal, G. Varma, N. Pathak, R. Nath. Ferroelectr. Lett., Sect., 42, 75 (2015)
  20. O. Volovlikova, G. Silakov, S. Gavrilov, A. Dudin, G. Diudbin, Y. Shilyaeva. J. Phys.: Conf. Ser., 987, doi:10.1088/1742-6596/987/1/012039 (2018)
  21. N. Geyer, B. Fuhrmann, H. Leipner, P. Werner. ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 4302 (2013)
  22. S. Gavrilov, A. Belogorokhov, L. Belogorokhova. Semiconductor, 36, 98 (2002)
  23. K. Kolasinski. Nanosci. Res. Lett., 9, 432 (2014)
  24. Э. Бучин, А. Проказников. Письма ЖТФ, 23, 80 (1997)
  25. O. Volovlikova et al. J. Phys.: Conf. Ser., 987, 012039 (2018)
  26. O. Volovlikova, G. Silakov, S. Gavrilov, T. Maniecki, A. Dudin. Micromachines, 10, 872 (2019)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.