Влияние температуры формирования на морфологию por-Si, получаемого методом Pd-стимулированного химического травления
Russian science foundation, Conducting initiative research by young scientists , 19-79-00205
Силаков Г.О.1, Воловликова О.В.1, Гаврилов С.А.1, Железнякова А.В.1, Дудин А.А.2
1Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
2Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
Email: mr.komrad-13@ya.ru
Поступила в редакцию: 5 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 24 марта 2020 г.
Принята к печати: 24 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.
Изучен процесс Pd-стимулированного травления кремния в растворе, содержащем HF и H2O2. Показано влияние на морфологию получаемых слоев таких факторов, как длительность травления и температура раствора. Показано, что в процессе Pd-стимулированного травления наночастицы Pd остаются на стенках и дне пор. Такая структура, как было показано в ранних работах, обладает свойством электроокисления спиртов, что дает основания утверждать: формируемые структуры являются структурами типа структур Шоттки. С помощью диаграммы электрохимического равновесия в системе Si-HF(aq.) определена модель Pd-стимулированного травления. Показано, что происходит полирующее растворение Si без образования промежуточных продуктов (SiO2). Ключевые слова: пористый кремний, металл-стимулированое травление, MACE, наночастицы палладия.
- L. Zhu et al. Sensors Actuators B: Chemical, 227, 515 (2016)
- S. Polisski. Abstract of PhD thesis (Bath, University of Bath, 2010)
- В. Трегулов. Пористый кремний: технология, свойства, применение (Рязань, 2011)
- Е.А. Козлова, В.Н. Пармон. Успехи химии, 86, 870 (2017)
- Z. Kang, C. Tsang, N. Wong, Z. Zhang, S. Lee. J. Am. Chem. Soc., 129, 12090 (2007)
- Z. Huang, N. Geyer, P. Werner, J. De Boor, U. Gosele. Adv. Mater., 23, 285 (2011)
- Y. Chang, X. Su, X. Shi, C. Wang. Acta Chim. Sinica, 65, 2527 (2007)
- О. Воловликова, С. Гаврилов, Г. Силаков, А. Железнякова, А. Дудин. Электрохимия, 55, 1452 (2019)
- Г. Силаков, О. Пятилова, С. Гаврилов, А. Шулятьев. Тез. докл. 5 Междунар. науч.-техн. конф. "Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике" (М., Россия, 2016) с. 78
- Ch. Lee, K. Tsujino, Yu. Kanda, Sh. Ikeda, M. Matsumura. J. Mater. Chem., 18, 1015 (2008)
- Y. Qu, L. Liao, Yu. Li, H. Zhang, Yu. Huang, X. Duan. Nano Lett., 9, 4539 (2009)
- K. Kolasinski. Semicond. Sci. Technol., 61, doi:10.1088/0268-1242/31/1/014002 (2016)
- O. Pyatilova, S. Gavrilov, A. Sysa, A. Savitskliy, A. Shuliatyev, A. Dudin, A. Pavlov. Proc. SPIE, 10224, 1022405 (2016)
- O. Hildreth, D. Schmidt. Adv. Func. Mater., 24, 3827 (2014)
- M. Akhairia, S. Kamarudin. Internat. J. Hydrogen Energy, 41, 4214 (2016)
- S. Yae, Y. Morii, N. Fukumuro, H. Matsuda. Nanoscale Res. Lett., 7, doi:10.1186/1556-276X-7-352 (2012)
- X. Xia, C. Ashruf, P. French, J. Kelly. Chem. Mater., 12, 1671 (2000)
- M. Sadeghpour-Motlagh, K. Mokhtari-Zonouzi, H. Aghajani, M. GhassemiKakroudi. J. Mater. Eng. Perform., 23, 2007 (2014)
- N. Mishra, N. Dabra, A. Nautiyal, J. Hudal, G. Varma, N. Pathak, R. Nath. Ferroelectr. Lett., Sect., 42, 75 (2015)
- O. Volovlikova, G. Silakov, S. Gavrilov, A. Dudin, G. Diudbin, Y. Shilyaeva. J. Phys.: Conf. Ser., 987, doi:10.1088/1742-6596/987/1/012039 (2018)
- N. Geyer, B. Fuhrmann, H. Leipner, P. Werner. ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 4302 (2013)
- S. Gavrilov, A. Belogorokhov, L. Belogorokhova. Semiconductor, 36, 98 (2002)
- K. Kolasinski. Nanosci. Res. Lett., 9, 432 (2014)
- Э. Бучин, А. Проказников. Письма ЖТФ, 23, 80 (1997)
- O. Volovlikova et al. J. Phys.: Conf. Ser., 987, 012039 (2018)
- O. Volovlikova, G. Silakov, S. Gavrilov, T. Maniecki, A. Dudin. Micromachines, 10, 872 (2019)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
