Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование пространственной и токовой динамики оптических потерь в полупроводниковых лазерных гетероструктурах методом оптического зондирования

DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49644.9400

Переводная версия: 10.1134/S1063782620080102

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), мол_а, 18-38-00906

Гаврина П.С.¹, Соболева О.С.¹, Подоскин А.А.¹, Казакова А.Е.¹, Капитонов В.А.¹, Слипченко С.О.¹, Пихтин Н.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: gavrina@mail.ioffe.ru, Soboleva@mail.ioffe.ru, Podoskin@mail.ioffe.ru, Kazakovaalena1992@gmail.com, Nike.hpld@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 30 марта 2020 г.

В окончательной редакции: 7 апреля 2020 г.

Принята к печати: 7 апреля 2020 г.

Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования пространственно-временной динамики оптических потерь и концентрации носителей заряда в гетероструктуре полупроводникового лазера с сегментированным контактом с использованием методики накачки-зондирования (pump-probe), основанной на вводе зондирующего излучения с длиной волны 1560 нм в исследуемый кристалл полупроводникового лазера на основе гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs, излучающего на длине волны 1010 нм. Показано, что использование зондирующего излучения на длине волны 1560 нм позволяет обеспечить чувствительность измерения внутренних оптических потерь не хуже 1 см^-1. Использование сегментированной конструкции области токовой накачки позволило оценить абсолютную величину внутренних оптических потерь. Показано, что изменение конфигурации собственных мод лазера Фабри-Перо влияет на распределение носителей заряда и внутренних оптических потерь как в области токовой накачки, так и в пассивной, не прокачиваемой током, части лазерного кристалла. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, показатель поглощения, сегментированный контакт, оптическое зондирование.

Simon M. Sze, K. Ng. Kwok. Physics of semiconductor devices (John Wiley \& Sons, 2006)
L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Mashanovitch. Diode lasers and photonic integrated circuits (John Wiley \& Sons, 2012)
ATLAS User's Manual (Silvaco International, Sunnyvale, CA, 2015)
J. Piprek, Z.M. Li. Phot. Tech. Lett., 30, 963 (2018)
B. Ryvkin, E. Avrutin. Electron. Lett., 42, 1283 (2006)
Д.А. Веселов, Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, Н.В. Воронкова, И.С. Тарасов. Квант. электрон., 45 (7), 604 (2015) [D.A. Veselov, N.A. Pikhtin, A.V. Lyutetskiy, D.N. Nikolaev, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, V.V. Shamakhov, I.S. Shashkin, N.V. Voronkova, I.S. Tarasov. Quant. Electron., 45 (7), 604 (2015).]
D.A. Veselov, Yu.K. Bobretsova, A.Y. Leshko, V.V. Shamakhov, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin. J. Appl. Phys., 126 (21), 213107 (2019)
S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov. J. Appl. Phys., 119 (12), 124513 (2016)
S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov. J. Appl. Phys., 121 (5), 054502 (2017)
S. Vainshtein, V. Yuferev, J. Kostamovaara. IEEE Trans. Electron Dev., 50 (9), 1988 (2003)
H. Wenzel, P. Crump, A. Pietrzak, C. Roder, X. Wang, G. Erbert. Optical Quant. Electron., 41 (9), 645 (2009)
P.S. Gavrina, O.S. Soboleva, A.A. Podoskin, D.N. Romanovich, V.S. Golovin, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. Tech. Phys. Lett., 45 (4), 374 (2019). П.С. Гаврина, О.С. Соболева, А.А. Подоскин, Д.Н. Романович, В.С. Головин, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, Т.А. Багаев, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, В.А. Симаков. Письма ЖТФ, 45 (8), 7 (2019)
А.А. Подоскин, Д.Н. Романович, И.С. Шашкин, П.С. Гаврина, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин. ФТП, 53 (6), 828 (2019). [A.A. Podoskin, D.N. Romanovich, I.S. Shashkin, P.S. Gavrina, Z.N. Sokolova, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin. Semiconductors, 53 (6), 828 (2019).]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель