Исследование пространственной и токовой динамики оптических потерь в полупроводниковых лазерных гетероструктурах методом оптического зондирования
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), мол_а, 18-38-00906
Гаврина П.С.1, Соболева О.С.1, Подоскин А.А.1, Казакова А.Е.1, Капитонов В.А.1, Слипченко С.О.1, Пихтин Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: gavrina@mail.ioffe.ru, Soboleva@mail.ioffe.ru, Podoskin@mail.ioffe.ru, Kazakovaalena1992@gmail.com, Nike.hpld@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 7 апреля 2020 г.
Принята к печати: 7 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.
Проведены исследования пространственно-временной динамики оптических потерь и концентрации носителей заряда в гетероструктуре полупроводникового лазера с сегментированным контактом с использованием методики накачки-зондирования (pump-probe), основанной на вводе зондирующего излучения с длиной волны 1560 нм в исследуемый кристалл полупроводникового лазера на основе гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs, излучающего на длине волны 1010 нм. Показано, что использование зондирующего излучения на длине волны 1560 нм позволяет обеспечить чувствительность измерения внутренних оптических потерь не хуже 1 см-1. Использование сегментированной конструкции области токовой накачки позволило оценить абсолютную величину внутренних оптических потерь. Показано, что изменение конфигурации собственных мод лазера Фабри-Перо влияет на распределение носителей заряда и внутренних оптических потерь как в области токовой накачки, так и в пассивной, не прокачиваемой током, части лазерного кристалла. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, показатель поглощения, сегментированный контакт, оптическое зондирование.
- Simon M. Sze, K. Ng. Kwok. Physics of semiconductor devices (John Wiley \& Sons, 2006)
- L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Mashanovitch. Diode lasers and photonic integrated circuits (John Wiley \& Sons, 2012)
- ATLAS User's Manual (Silvaco International, Sunnyvale, CA, 2015)
- J. Piprek, Z.M. Li. Phot. Tech. Lett., 30, 963 (2018)
- B. Ryvkin, E. Avrutin. Electron. Lett., 42, 1283 (2006)
- Д.А. Веселов, Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, Н.В. Воронкова, И.С. Тарасов. Квант. электрон., 45 (7), 604 (2015) [D.A. Veselov, N.A. Pikhtin, A.V. Lyutetskiy, D.N. Nikolaev, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, V.V. Shamakhov, I.S. Shashkin, N.V. Voronkova, I.S. Tarasov. Quant. Electron., 45 (7), 604 (2015).]
- D.A. Veselov, Yu.K. Bobretsova, A.Y. Leshko, V.V. Shamakhov, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin. J. Appl. Phys., 126 (21), 213107 (2019)
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov. J. Appl. Phys., 119 (12), 124513 (2016)
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov. J. Appl. Phys., 121 (5), 054502 (2017)
- S. Vainshtein, V. Yuferev, J. Kostamovaara. IEEE Trans. Electron Dev., 50 (9), 1988 (2003)
- H. Wenzel, P. Crump, A. Pietrzak, C. Roder, X. Wang, G. Erbert. Optical Quant. Electron., 41 (9), 645 (2009)
- P.S. Gavrina, O.S. Soboleva, A.A. Podoskin, D.N. Romanovich, V.S. Golovin, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. Tech. Phys. Lett., 45 (4), 374 (2019). П.С. Гаврина, О.С. Соболева, А.А. Подоскин, Д.Н. Романович, В.С. Головин, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, Т.А. Багаев, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, В.А. Симаков. Письма ЖТФ, 45 (8), 7 (2019)
- А.А. Подоскин, Д.Н. Романович, И.С. Шашкин, П.С. Гаврина, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин. ФТП, 53 (6), 828 (2019). [A.A. Podoskin, D.N. Romanovich, I.S. Shashkin, P.S. Gavrina, Z.N. Sokolova, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin. Semiconductors, 53 (6), 828 (2019).]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
