"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий
Переводная версия: 10.1134/S1063782620080175
Окулич Е.В.1, Окулич В.И.2, Тетельбаум Д.И.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский институт управления --- филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы при президенте Российской Федерации, Нижний Новгород, Россия
Email: eokulich@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 19 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 14 января 2020 г.
Принята к печати: 16 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.

На основе ранее предложенной диффузионно-коагуляционной модели дефектообразования при ионном облучении кремния путем численного решения соответствующих кинетических уравнений рассчитаны дозы аморфизации (Phiam) для ионов средних энергий с массой M1≤ 31 а.е.м. Предполагается, что аморфизация на данной глубине происходит при дозе, при которой достигается некоторая пороговая величина суммарной концентрации вакансий и дивакансий (Cam). Варьируемыми параметрами при расчетах являлись: энергия ионов, плотность ионного тока, температура, а также пороговая энергия смещения атома (Ed) и Cam. Определены границы примененимости диффузионно-коагуляционной модели. Сравнение полученных результатов расчетов, проведенных в этих границах, с опубликованными экспериментальными данными показало (с учетом вариации экспериментальных данных и определенной свободы выбора параметров Ed и Cam) удовлетворительное соответствие расчетных и экспериментальных значений Phiam. Ключевые слова: кремний, облучение легкими ионами, диффузионно-коагуляционная модель дефектообразования, расчет доз аморфизации.
  1. L. Pelaz, L.A. Marques, J. Barbolla. J. Appl. Phys., 96 (11), 5947 (2004)
  2. J.F. Ziegler, M.D. Ziegler. J.P. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 268 (11-12), 1818 (2010)
  3. M.J. Caturla, T. Diaz de la Rubia, L.A. Marques, G.H. Gilmer. Phys. Rev. B, 54, 16683 (1996)
  4. K. Nordlund. Comput. Mater. Sci., 3, 448 (1995)
  5. В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев, Наук. думка, 1979)
  6. А.И. Титов, А.Ю. Азаров, В.С. Беляков. ФТП, 37 (3), 358 (2003)
  7. A.I. Gerasimov, E.I. Zorin, P.V. Pavlov, D.I. Tetelbaum. Phys. Status Solidi A, 12, 679 (1972)
  8. K.R.C. Mok, M. Jaraiz, I. Martin-Bragado, J.E. Rubio, P. Castrillo, R. Pinacho, J. Barbolla, M.P. Srinivasan. J. Appl. Phys., 98, 046104 (2005)
  9. K.R.C. Mok, F. Benistant, M. Jaraiz, J.E. Rubio, P. Castrillo, R. Pinacho, M.P. Srinivasan. J. Appl. Phys., 103, 014911 (2008)
  10. P.D. Edmondson, D.J. Riley, R.C. Birtcher, S.E. Donnelly. J. Appl. Phys., 106, 043505 (2009)
  11. Н.П. Морозов, Д.И. Тетельбаум, П.В. Павлов, Е.И. Зорин. ФТП, 9 (12), 2292 (1975)
  12. Е.В. Окулич, В.И. Окулич, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 52 (9), 967 (2018)
  13. Р. Смолуховский. В сб.: Влияние ядерных излучений на материалы, под ред. Дж. Хэрвуда (Л., Судпромгиз, 1961) с. 168
  14. П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум, Е.И. Зорин, Р.В. Кудрявцева. Кристаллография, 12 (1), 155 (1967)
  15. Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. Ионное легирование полупроводников (М., Энергия, 1975)
  16. A.I. Titov, G. Carter. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 119, 491 (1996)
  17. Д.И. Тетельбаум. Автореф. докт. дис. (Горький, ГГУ, 1987)
  18. J.G. de Walt, C.A.J. Ammerlau. 2nd Int. Conf. Ion Implantation (N. Y., Springer, 1971) p. 39
  19. G. Bai, M.A. Nicollet. J. Appl. Phys., 70, 649 (1991)
  20. J.W. Mayer, L. Ericksson, J.A. Davies. Ion Implantation in Semiconductors, Silicon, and Germanium (N. Y., Academic Press, 1970)
  21. T. Motooka, O.W. Holland. Appl. Phys. Lett., 61 (25), (1992)
  22. P.P. Morehed, B.L. Crowder. Rad. Eff., 6, 27 (1970)
  23. N.P. Morozov, D.I. Tetelbaum. Phys. Status Solidi A, 51 (2), 629 (1979)
  24. E. Holmstrom, A. Kuronen, K. Nordlund. Phys. Rev. B, 78, 045202 (2008)
  25. L.A. Christel, J.F. Gibbons, T.W. Sigmon. J. Appl.Phys., 52, 7143 (1981).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.