Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий
Окулич Е.В.1, Окулич В.И.2, Тетельбаум Д.И.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский институт управления --- филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы при президенте Российской Федерации, Нижний Новгород, Россия
Email: eokulich@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 19 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 14 января 2020 г.
Принята к печати: 16 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.
На основе ранее предложенной диффузионно-коагуляционной модели дефектообразования при ионном облучении кремния путем численного решения соответствующих кинетических уравнений рассчитаны дозы аморфизации (Phiam) для ионов средних энергий с массой M1≤ 31 а.е.м. Предполагается, что аморфизация на данной глубине происходит при дозе, при которой достигается некоторая пороговая величина суммарной концентрации вакансий и дивакансий (Cam). Варьируемыми параметрами при расчетах являлись: энергия ионов, плотность ионного тока, температура, а также пороговая энергия смещения атома (Ed) и Cam. Определены границы примененимости диффузионно-коагуляционной модели. Сравнение полученных результатов расчетов, проведенных в этих границах, с опубликованными экспериментальными данными показало (с учетом вариации экспериментальных данных и определенной свободы выбора параметров Ed и Cam) удовлетворительное соответствие расчетных и экспериментальных значений Phiam. Ключевые слова: кремний, облучение легкими ионами, диффузионно-коагуляционная модель дефектообразования, расчет доз аморфизации.
- L. Pelaz, L.A. Marques, J. Barbolla. J. Appl. Phys., 96 (11), 5947 (2004)
- J.F. Ziegler, M.D. Ziegler. J.P. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 268 (11-12), 1818 (2010)
- M.J. Caturla, T. Diaz de la Rubia, L.A. Marques, G.H. Gilmer. Phys. Rev. B, 54, 16683 (1996)
- K. Nordlund. Comput. Mater. Sci., 3, 448 (1995)
- В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев, Наук. думка, 1979)
- А.И. Титов, А.Ю. Азаров, В.С. Беляков. ФТП, 37 (3), 358 (2003)
- A.I. Gerasimov, E.I. Zorin, P.V. Pavlov, D.I. Tetelbaum. Phys. Status Solidi A, 12, 679 (1972)
- K.R.C. Mok, M. Jaraiz, I. Martin-Bragado, J.E. Rubio, P. Castrillo, R. Pinacho, J. Barbolla, M.P. Srinivasan. J. Appl. Phys., 98, 046104 (2005)
- K.R.C. Mok, F. Benistant, M. Jaraiz, J.E. Rubio, P. Castrillo, R. Pinacho, M.P. Srinivasan. J. Appl. Phys., 103, 014911 (2008)
- P.D. Edmondson, D.J. Riley, R.C. Birtcher, S.E. Donnelly. J. Appl. Phys., 106, 043505 (2009)
- Н.П. Морозов, Д.И. Тетельбаум, П.В. Павлов, Е.И. Зорин. ФТП, 9 (12), 2292 (1975)
- Е.В. Окулич, В.И. Окулич, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 52 (9), 967 (2018)
- Р. Смолуховский. В сб.: Влияние ядерных излучений на материалы, под ред. Дж. Хэрвуда (Л., Судпромгиз, 1961) с. 168
- П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум, Е.И. Зорин, Р.В. Кудрявцева. Кристаллография, 12 (1), 155 (1967)
- Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. Ионное легирование полупроводников (М., Энергия, 1975)
- A.I. Titov, G. Carter. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 119, 491 (1996)
- Д.И. Тетельбаум. Автореф. докт. дис. (Горький, ГГУ, 1987)
- J.G. de Walt, C.A.J. Ammerlau. 2nd Int. Conf. Ion Implantation (N. Y., Springer, 1971) p. 39
- G. Bai, M.A. Nicollet. J. Appl. Phys., 70, 649 (1991)
- J.W. Mayer, L. Ericksson, J.A. Davies. Ion Implantation in Semiconductors, Silicon, and Germanium (N. Y., Academic Press, 1970)
- T. Motooka, O.W. Holland. Appl. Phys. Lett., 61 (25), (1992)
- P.P. Morehed, B.L. Crowder. Rad. Eff., 6, 27 (1970)
- N.P. Morozov, D.I. Tetelbaum. Phys. Status Solidi A, 51 (2), 629 (1979)
- E. Holmstrom, A. Kuronen, K. Nordlund. Phys. Rev. B, 78, 045202 (2008)
- L.A. Christel, J.F. Gibbons, T.W. Sigmon. J. Appl.Phys., 52, 7143 (1981).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
