Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий

DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49649.9338

Переводная версия: 10.1134/S1063782620080175

Окулич Е.В.¹, Окулич В.И.², Тетельбаум Д.И.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский институт управления --- филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы при президенте Российской Федерации, Нижний Новгород, Россия Nizhny Novgorod Institute of Management—Branch of the Russian Presidential Academy of National Economy and Public Administration, Nizhny Novgorod, Russia

Nizhny Novgorod Institute of Management—Branch of the Russian Presidential Academy of National Economy and Public Administration, Nizhny Novgorod, Russia

Email: eokulich@nifti.unn.ru

Поступила в редакцию: 19 декабря 2019 г.

В окончательной редакции: 14 января 2020 г.

Принята к печати: 16 апреля 2020 г.

Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основе ранее предложенной диффузионно-коагуляционной модели дефектообразования при ионном облучении кремния путем численного решения соответствующих кинетических уравнений рассчитаны дозы аморфизации (Phi_am) для ионов средних энергий с массой M₁≤ 31 а.е.м. Предполагается, что аморфизация на данной глубине происходит при дозе, при которой достигается некоторая пороговая величина суммарной концентрации вакансий и дивакансий (C_am). Варьируемыми параметрами при расчетах являлись: энергия ионов, плотность ионного тока, температура, а также пороговая энергия смещения атома (E_d) и C_am. Определены границы примененимости диффузионно-коагуляционной модели. Сравнение полученных результатов расчетов, проведенных в этих границах, с опубликованными экспериментальными данными показало (с учетом вариации экспериментальных данных и определенной свободы выбора параметров E_d и C_am) удовлетворительное соответствие расчетных и экспериментальных значений Phi_am. Ключевые слова: кремний, облучение легкими ионами, диффузионно-коагуляционная модель дефектообразования, расчет доз аморфизации.

L. Pelaz, L.A. Marques, J. Barbolla. J. Appl. Phys., 96 (11), 5947 (2004)
J.F. Ziegler, M.D. Ziegler. J.P. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 268 (11-12), 1818 (2010)
M.J. Caturla, T. Diaz de la Rubia, L.A. Marques, G.H. Gilmer. Phys. Rev. B, 54, 16683 (1996)
K. Nordlund. Comput. Mater. Sci., 3, 448 (1995)
В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев, Наук. думка, 1979)
А.И. Титов, А.Ю. Азаров, В.С. Беляков. ФТП, 37 (3), 358 (2003)
A.I. Gerasimov, E.I. Zorin, P.V. Pavlov, D.I. Tetelbaum. Phys. Status Solidi A, 12, 679 (1972)
K.R.C. Mok, M. Jaraiz, I. Martin-Bragado, J.E. Rubio, P. Castrillo, R. Pinacho, J. Barbolla, M.P. Srinivasan. J. Appl. Phys., 98, 046104 (2005)
K.R.C. Mok, F. Benistant, M. Jaraiz, J.E. Rubio, P. Castrillo, R. Pinacho, M.P. Srinivasan. J. Appl. Phys., 103, 014911 (2008)
P.D. Edmondson, D.J. Riley, R.C. Birtcher, S.E. Donnelly. J. Appl. Phys., 106, 043505 (2009)
Н.П. Морозов, Д.И. Тетельбаум, П.В. Павлов, Е.И. Зорин. ФТП, 9 (12), 2292 (1975)
Е.В. Окулич, В.И. Окулич, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 52 (9), 967 (2018)
Р. Смолуховский. В сб.: Влияние ядерных излучений на материалы, под ред. Дж. Хэрвуда (Л., Судпромгиз, 1961) с. 168
П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум, Е.И. Зорин, Р.В. Кудрявцева. Кристаллография, 12 (1), 155 (1967)
Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. Ионное легирование полупроводников (М., Энергия, 1975)
A.I. Titov, G. Carter. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 119, 491 (1996)
Д.И. Тетельбаум. Автореф. докт. дис. (Горький, ГГУ, 1987)
J.G. de Walt, C.A.J. Ammerlau. 2nd Int. Conf. Ion Implantation (N. Y., Springer, 1971) p. 39
G. Bai, M.A. Nicollet. J. Appl. Phys., 70, 649 (1991)
J.W. Mayer, L. Ericksson, J.A. Davies. Ion Implantation in Semiconductors, Silicon, and Germanium (N. Y., Academic Press, 1970)
T. Motooka, O.W. Holland. Appl. Phys. Lett., 61 (25), (1992)
P.P. Morehed, B.L. Crowder. Rad. Eff., 6, 27 (1970)
N.P. Morozov, D.I. Tetelbaum. Phys. Status Solidi A, 51 (2), 629 (1979)
E. Holmstrom, A. Kuronen, K. Nordlund. Phys. Rev. B, 78, 045202 (2008)
L.A. Christel, J.F. Gibbons, T.W. Sigmon. J. Appl.Phys., 52, 7143 (1981).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель