"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2-2.3 мкм)
Переводная версия: 10.1134/S1063782620070052
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), №18-52-00027 Бел_а
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований (БРФФИ), Ф18Р-121
Куницына Е.В. 1, Ройз М.А.2, Андреев И.А.1, Гребенщикова Е.А. 1, Пивоварова А.А.1, Ahmetoglu (Afrailov) M.3, Лебедок Е.В.4, Микулич Р.Ю.4, Ильинская Н.Д. 1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2University of Helsinki, Helsinki 00014, Finland
3Department of Physics, Uludag University, 16059 Görukle, Bursa, Turkey
4ГНПО "Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника" НАН Беларуси, Минск, Беларусь
Email: kunits@iropt9.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 февраля 2020 г.
В окончательной редакции: 28 февраля 2020 г.
Принята к печати: 28 февраля 2020 г.
Выставление онлайн: 8 апреля 2020 г.

Фотодиоды, созданные на основе твердых растворов в системе GaSb-InAs, были впервые применены для исследования спектральных характеристик одиночных и сдвоенных дисковых WGM-лазеров, излучающих на модах шепчущей галереи в диапазоне 2.2-2.3 мкм. Емкость фотодиодов при диаметре фоточувствительной площадки 2.0 мм составляет C=520 пФ при U=-2 В, что соответствует постоянной времени tau=53 нс. Показано, что параметры созданных фотодиодов позволяют регистрировать излучение квантово-размерных дисковых лазеров при комнатной температуре и не использовать криогенное охлаждение. Ключевые слова: фотодиоды, GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb-гетероструктуры, квантово-размерные дисковые лазеры, WGM-моды.
  1. А.Н. Именков, В.В. Шерстнев, М.А. Сиповская, А.П. Астахова, Е.А. Гребенщикова, А.М. Монахов, К.В. Калинина, G. Boissier, R. Teissier, А.Н. Баранов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 35 (18), 50 (2009)
  2. A.N. Baranov, G. Boissier, R. Teissier, A.M. Monakhov, V.V. Sherstnev, M.I. Larchenkov, Yu.P. Yakovlev. Appl. Phys. Lett., 100, 061112 (2012)
  3. В.Г. Буткевич, В.Д. Бочков, Е.Р. Глобус. Прикл. физика, 6, 66 (2001)
  4. Р.Д. Мухамедьяров, И.Н. Мирошникова. http://uralsemiconductor.ru / articles / Doklad\_Kongress-2017\_ Ural\_fotodetektory\_r25.04--21.20%20.pdf
  5. А.В. Шнайдер, М.П. Миронов, А.В. Гусельников, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева. Пожаровзрывобезопасность, 2, 14 (2008)
  6. H. Tang, J. Zhong, W. Chen, K. Shi, G. Mei, Y. Zhang, Z. Wen, P. Muller--Buschbaum, D. Wu, K. Wang, X. Sun. ACS Appl. Nano Mater., 2 (10), 6135 (2019)
  7. M. Thambidurai, Y. Jang, A. Shapiro, G. Yuan, H. Xiaonan, Y. Xuechao, Q.J. Wang, E. Lifshitz, H.V. Demir, C. Dang. Optical Mater. Express, 7 (7), I 2326 (2017)
  8. L. Hu, S. Huang, R. Patterson, J. Halpert. J. Mater. Chem. C, 7, 4497 (2019)
  9. B.W. Jia, K.H. Tan, W.K. Loke, S. Wicaksono, K.H. Lee, S.F. Yoon. ACS Photonics, 5 (4), 1512 (2018)
  10. M. Razeghi. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 23 (3), 149 (2003)
  11. C. Kuo, J. Wu, S. Lin, W. Chang. Nanoscale Res. Lett., 8, 327 (2013)
  12. P. Martyniuk, A. Rogalski. Opto-Electronics Rev., 21 (2), 239 (2013)
  13. C. Shi, Y. Dong, Q. Li. IEEE Trans. Electron Dev., 66 (3), 1361 (2019)
  14. E.G. Camargo, S. Tokuo, H. Goto, N. Kuze. Sensors Mater., 26 (4), 253 (2014)
  15. D.A. Yarekha, G. Glastre, A. Perona, Y. Rouillard, F. Genty, E.M. Skouri, G. Boissier, P. Grech, A. Joullie, C. Alibert, A.N. Baranov. Electron. Lett., 36 (6), 537 (2000)
  16. У. Шокли. УФН, 77 (1), 161 (1962)
  17. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Е.В. Куницына, Я.А. Пархоменко, Д.А. Васюков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 35 (8), 941 (2001)
  18. И.М. Викулин, Б.В. Коробицын, С.К. Криськив. ФТП, 50 (9), 1238 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.