"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности формирования наноразмерных объектов в системе InSb/InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Романов В.В.1, Дементьев П.А.1, Моисеев К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Квантовые штрихи (до 4· 109 см-2) и квантовые точки (7· 109 cm-2) InSb были получены на подложке InAs(100) стандартным методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений в интервале температур 420-440oC. Трансформация формы и размеров квантовых штрихов наблюдалась в зависимости от технологических условий эпитаксиального осаждения (качества поверхности матрицы, температуры роста, скорости потока, соотношения V/III групп в газовой фазе и др.). Управление скоростью диффузиии реагентов по поверхности матрицы на основе эпитаксиального слоя InAs приводило к изменению поперечных размеров осаждаемых квантовых штрихов в интервале величин: 150--500 нм в длину и 100--150 нм в ширину соответственно, при сохранении высоты 50 нм. Квантовые точки InSb были выращены на поверхности подложки InAs при T=440oC. Наблюдалось бимодальное распределение нанообъектов по размерам: квантовые точки малых размеров (средняя высота 15 нм, средний диаметр 60 нм) и крупных размеров (средняя высота 25 нм, средний диаметр 110 нм).
  1. Selected Topics in Electronics and Systems, v. 25: Quantum Dots, ed. by E. Borovitskaya, M.S. Shur (Singapore, World Scientific, 2002)
  2. D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Chichester, John Wiley \& Sons, 1999)
  3. H.I. Schiff, G.I. Mackay, J. Bechara. In: Air Monitoring by Spectroscopy Techniques, M.W. Sigrist (ed.) (Wiley, N.Y., 1994)
  4. X. Gao, W.C.W. Chan, S. Nie. J. Biomed. Opt., 7, 532 (2002)
  5. S. Shusterman, Y. Paltiel, A. Sher, V. Ezersky, Y. Rosenwaks, J. Cryst. Growth, 291, 363 (2006)
  6. F. Hatami, S.M. Kim, H.B. Yuen, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett. 89, 133 115 (2006)
  7. Q. Zhuang, P.J. Carrington, A. Krier. J. Phys. D: Appl. Phys., 41, 232 003 (2008)
  8. К.Д. Моисеев, Я.А. Пархоменко, А.В. Анкудинов, Е.В. Гущина, М.П. Михайлова, А.Н. Титков, Ю.П. Яковлев. Письма в ЖТФ, 33 (7), 50 (2007)
  9. K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, E.V. Ivanov, Ya.A. Parkhomenko, S.S. Kizhaev, V.N. Nevedomsky, N.A. Bert, Yu.P. Yakovlev. Proc. SPIE, 7608, 76081R (2010)
  10. K. Moiseev, Ya. Parkhomenko, V. Romanov, P. Dement'ev, E. Ivanov, M. Mikhailova. J. Cryst. Growth, 318, 379 (2011)
  11. К.Д. Моисеев, Я.А. Пархоменко, Е.В. Гущина, А.В. Анкудинов, М.П. Михайлова, Н.А. Берт, Ю.П. Яковлев. ФТП, 43, 1142 (2009)
  12. В.Г. Дубровский, Ю.Г. Мусихин, Г.Э. Цырлин, В.А. Егоров, Н.К. Поляков, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, Н.В. Крыжановская, Н.А. Берт, В.М. Устинов. ФТП, 38, 342 (2004)
  13. А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, P. Werner. ФТП, 38, 1239 (2004)
  14. Г.Э. Цирлин, А.А. Тонких, В.Э. Птицын, В.Г. Дубровский, С.А. Масалов, В.П. Евтихиев, Д.В. Денисов, В.М. Устинов, P. Werner. ФТТ, 47, 58 (2005)
  15. R.M. Graham, A.C. Jones, N.J. Mason, S. Rushworth, A. Salesset, T.V. Seongs, G. Bookers, L. Smith, P.J. Walker. Semicond. Sci. Technol., 8, 1797 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.