"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах n-Si
Саченко А.В.1, Беляев А.Е.1, Болтовец Н.С.2, Виноградов А.О.1, Капитанчук Л.М.3, Конакова Р.В.1, Костылев В.П.1, Кудрик Я.Я.1, Кладько В.П.1, Шеремет В.Н.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственное предприятие НИИ "Орион",, Киев, Украина
3Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 16 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Получены аномальные температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов rhoc(T) Pd2Si-Ti-Au к шлифованному n-Si с концентрацией легирующей примеси 5·1016, 3·1017 и 8·1017 см-3. Аномальные зависимости rhoc(T) были объяснены в предположении протекания тока по наноразмерным металлическим шунтам, совмещенным с дислокациями с учетом диффузионного ограничения подвода носителей. Определены плотности проводящих и рассеивающих дислокаций в приконтактной области полупроводника.
  1. S.M. Sze, Kwok K.Ng. Physics of Semiconductor Devices, 3rd edn (John Wiley and Sons, 2007)
  2. B. Jayanet Baliga. Fundamentals of Power Semiconductor Devices (Springer Science, 2008)
  3. В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1974)
  4. D.K. Schroder. Semiconductor materials and devices characterization (Wiley, N. Y., 2006)
  5. S.E. Swirhun, R.M. Swanson. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-7 (3), 155 (1986)
  6. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. Письма ЖТФ, 30 (19), 17 (2004)
  7. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе ФТП, 40 (10), 1204 (2006)
  8. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  9. В.Н. Бессолов, Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, Е.А. Поссе. ФТП, 42 (11), 1345 (2008)
  10. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе. ФТП, 43 (9), 1204 (2009)
  11. A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Sachenko, V.N. Sheremet. SPQEO, 13 (4), 436 (2010)
  12. А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, А.В. Саченко, В.Н. Шеремет, А.О. Виноградов ФТП, 46 (3), 344 (2012)
  13. A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, S.V. Novitskii, V.N. Sheremet, J. Li, S.A. Vitusevich. J. Appl. Phys., 111 (8), 083 701 (2012)
  14. Обработка полупроводниковых материалов, под общ. ред. чл.-кор. АН УССР Н.В. Новикова (Киев, Наук. думка, 1982)
  15. Ю.А. Концевой, Ю.М. Литвинов, Э.А. Фаттахов. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1982)
  16. И.В. Грехов. Вестн. РАН, 78 (2), 106 (2008)
  17. А. Полухин, Т. Зуева, А. Солодовник. Силовая электроника, 9 (3), 110 (2006)
  18. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  19. K. Seeger. Semiconductor Physics (Springer-Verlag, Wien, 1973)
  20. D.K. Ferry. Phys. Rev. B, 14 (4), 1605 (1976)
  21. Т.С. Аргунова, И.В. Грехов, М.Ю. Гуткин, Л.С. Костина, Е.Н. Белякова, Т.В. Кудрявцева, Е.Д. Ким, Д.М. Парк. ФТТ, 38 (11), 3361 (1996)
  22. Т.С. Аргунова, А.Г. Андреев, Е.И. Белякова, И.В. Грехов, Л.С. Костина, Т.В. Кудрявцева, Письма ЖТФ, 22 (4), 1 (1996)
  23. Т.С. Аргунова, Р.Ф. Витман, И.В. Грехов, М.Ю. Гуткин, Л.С. Костина, Т.В. Кудрявцева, А.В. Штурбин. J. Hartwig, M. Ohler, E.D. Kim, S.Ch. Kim. ФТТ, 41 (11), 1953 (1999)
  24. Andreas Plobl, Gertrud Kranter. Mater. Sci. Eng. R., 25, 1 (1999)
  25. А.Е. Гершинский, А.В. Ржанов, Е.П. Черепов. Микроэлектроника, 11 (2), 83 (1982)
  26. S.P. Murarka. Silicides for VLSI Applications (N. Y., Academic Press, 1983)
  27. Физические величины. Справочник, под ред. Н.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
  28. Г.В. Самсонов, Л.А. Дворина, Б.М. Рудь. Силициды (М., Металлургия, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.