Вышедшие номера
Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN
Рожавская М.М.1, Лундин В.В.1, Заварин Е.Е.1, Трошков С.И.1, Брунков П.Н.1, Цацульников А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Проведено исследование влияния состава газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер протекания процесса селективной эпитаксии GaN в полосковых окнах, ориентированных вдоль кристаллографического направления 1100> GaN для различной ширины маскирующего покрытия. Показано, что добавление азота в атмосферу реактора приводит к изменению огранки полосков, ограниченных широкой (40 мкм) маской, с прямоугольной, ограниченной вертикальной боковой гранью 1120, на трапециевидную с наклонной боковой гранью 1122. Показано также, что при росте в азот-водородной смеси поток галлия начинает значительно влиять на огранку формирующихся полосков. Продемонстрирована существенная нестационарность процесса, приводящая к заметному изменению типа огранки по мере увеличения поперечного сечения полоска.