Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода
Шенгуров Д.В.1, Чалков В.Ю.2, Денисов С.А.2, Шенгуров В.Г.2, Степихова М.В.1, Дроздов М.Н.1, Красильник З.Ф.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 10 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.
Продемонстрированы технология и свойства светоизлучающих легированных эрбием и кислородом Si-структур. Слои были осаждены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на (100)Si, используя кремниевый сублимационный источник, легированный Er. Перед ростом слоев парциальное давление кислородсодержащих газов в камере роста установки молекулярно-лучевой эпитаксии было меньше 5·10-10 Торр. Концентрация кислорода в слоях Si, выращенных при 450oC, была ~ 1·1019 см-3, а эрбия - 1018 см-3. Эпитаксиальные слои кремния, солегированные эрбием и кислородом, имели хорошее кристаллическое качество, демонстрируя эффективный сигнал фото- и электролюминесценции с преобладанием в спектрах оптически активного центра Er-1, формируемого в процессе послеростового отжига при температуре 800oC.
- G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
- J.L. Rogers, P.S. Andry, W.J. Varhue, E. Adams, M. Lavoie, P.B. Klein. J. Appl. Phys., 78, 6241 (1995)
- M. Markmann, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter, Ch. Buchal. Appl. Phys. Lett., 75, 2584 (1999)
- S. Scalese, G. Franzo, S. Mirabella, M. Re, A. Terrasi, F. Priolo, E. Rimini, C. Spinella, A. Carnera. J. Appl. Phys., 88, 4091 (2000)
- G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. Phys., 81, 2784 (1997)
- Morito Matsuoka, Shunichi Tohno. J. Appl. Phys., 78, 2751 (1995)
- W.X. Ni, C.X. Du, K.B. Joelsson, G. Pozina, G.V. Hansson. J. Luminescence, 80, 309 (1999)
- Н.А. Соболев, Д.В. Денисов, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, Б.Я. Бер, А.П. Коварский, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, В.М. Устинов, Г.Э. Цырлин, Т.В. Котерева. ФТТ, 47 (1), 108 (2005)
- R. Serna, E. Snoeks, G.N. van den Hoven, A. Polman. J. Appl. Phys., 75, 2644 (1994)
- С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.А. Толомасов, Г.Н. Горшенин, В.Ю. Чалков. ПТЭ, N 5, 137 (2001)
- В.В. Постников, Р.Г. Логинова, М.И. Овсянников. Кристаллография, 10, 585 (1965)
- Д.В. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, В.Г. Шенгуров, М.В. Степихова, Л.В. Красильникова, К.Е. Кудрявцев, В.Б. Шмагин, З.Ф. Красильник. Тр. VII Междунар. конф. "Кремний-2010" (Н. Новгород, Россия, 6--9 июля 2010) с. 103
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
