"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода
Шенгуров Д.В.1, Чалков В.Ю.2, Денисов С.А.2, Шенгуров В.Г.2, Степихова М.В.1, Дроздов М.Н.1, Красильник З.Ф.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 10 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Продемонстрированы технология и свойства светоизлучающих легированных эрбием и кислородом Si-структур. Слои были осаждены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на (100)Si, используя кремниевый сублимационный источник, легированный Er. Перед ростом слоев парциальное давление кислородсодержащих газов в камере роста установки молекулярно-лучевой эпитаксии было меньше 5·10-10 Торр. Концентрация кислорода в слоях Si, выращенных при 450oC, была ~ 1·1019 см-3, а эрбия --- 1018 см-3. Эпитаксиальные слои кремния, солегированные эрбием и кислородом, имели хорошее кристаллическое качество, демонстрируя эффективный сигнал фото- и электролюминесценции с преобладанием в спектрах оптически активного центра Er-1, формируемого в процессе послеростового отжига при температуре 800oC.
  1. G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
  2. J.L. Rogers, P.S. Andry, W.J. Varhue, E. Adams, M. Lavoie, P.B. Klein. J. Appl. Phys., 78, 6241 (1995)
  3. M. Markmann, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter, Ch. Buchal. Appl. Phys. Lett., 75, 2584 (1999)
  4. S. Scalese, G. Franzo, S. Mirabella, M. Re, A. Terrasi, F. Priolo, E. Rimini, C. Spinella, A. Carnera. J. Appl. Phys., 88, 4091 (2000)
  5. G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. Phys., 81, 2784 (1997)
  6. Morito Matsuoka, Shunichi Tohno. J. Appl. Phys., 78, 2751 (1995)
  7. W.X. Ni, C.X. Du, K.B. Joelsson, G. Pozina, G.V. Hansson. J. Luminescence, 80, 309 (1999)
  8. Н.А. Соболев, Д.В. Денисов, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, Б.Я. Бер, А.П. Коварский, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, В.М. Устинов, Г.Э. Цырлин, Т.В. Котерева. ФТТ, 47 (1), 108 (2005)
  9. R. Serna, E. Snoeks, G.N. van den Hoven, A. Polman. J. Appl. Phys., 75, 2644 (1994)
  10. С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.А. Толомасов, Г.Н. Горшенин, В.Ю. Чалков. ПТЭ, N 5, 137 (2001)
  11. В.В. Постников, Р.Г. Логинова, М.И. Овсянников. Кристаллография, 10, 585 (1965)
  12. Д.В. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, В.Г. Шенгуров, М.В. Степихова, Л.В. Красильникова, К.Е. Кудрявцев, В.Б. Шмагин, З.Ф. Красильник. Тр. VII Междунар. конф. "Кремний-2010" (Н. Новгород, Россия, 6--9 июля 2010) с. 103

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.