Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотопроводимость композитных структур на основе пористого SnO₂, сенсибилизированного нанокристаллами CdSe

Дроздов К.А.¹, Кочнев В.И.¹, Добровольский А.А.¹, Васильев Р.Б.¹, Бабынина А.В.¹, Румянцева М.Н.¹, Гаськов А.М.¹, Рябова Л.И.¹, Хохлов Д.Р.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 27 июня 2012 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Внедрение в пористую матрицу SnO₂ нанокристаллов (коллоидных квантовых точек) CdSe приводит к появлению фотопроводимости в рассматриваемых структурах. Сенсибилизация является следствием зарядового обмена между квантовой точкой и матрицей. Измерение спектральных зависимостей фотопроводимости показало, что за оптическую активность структуры ответственны внедренные в матрицу нанокристаллы. Фотопроводимость структур, сенсибилизированных квантовыми точками разного размера, исследована в области температур 77-300 K. Пoказано, что максимальная фотопроводимость достигается при внедрении нанокристаллов минимального размера 2.7 нм. Обсуждаются механизмы переноса носителей заряда в матрице и кинетика зарядового обмена.

D.V. Talapin, J-S Lee, M.V. Kovalenko, E.V. Shevchenko. Chem. Rev., 110, 389 (2010)
D. Cahen, M. Graetzel, J.F. Guillemoles, G. Hodes. Electrochem. Nanomater., 1, 201 (2001)
K. Tvrdy, P.A. Frantsuzov, P.V. Kamat. Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 108, 29 (2011)
R.B. Vasiliev, S.G. Dorofeev, D.N. Dirin, D.A. Belov, T.A. Kuznetsova. Mendeleev Commun., 14 (4), 169 (2004)
Liping Liu, Zhongbin Zhuang, Ting Xie, Yang-Gang Wang, Jun Li, Qing Peng, Yadong Li. Chem. Soc., 131 (45), 16 423 (2009)
R.B. Vasiliev, S.G. Dorofeev, M.N. Rumyantseva, L.I. Ryabova, A.M. Gaskov. Semiconductors, 40 (1), 104 (2006)
М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)
A. Dobrovolsky, R. Vasiliev, K. Drozdov, O. Maslova, M. Rumyantseva, A. Gaskov, L. Ryabova, D. Khokhlov. Phys. Status Solidi C, 7 (3--4), 972 (2010)
Mora-Sero, J. Bisquert, Th. Dittrich, A. Balaidi, A.S. Susha, A.L. Rogach. J. Phys. Chem. C, 111, 14 889 (2007)
T. Lopez-Luke, A. Wolcott, L. Xu, S. Chen, Z. Wen, J. Li, E. De La Rosa, J.Z. Zhang. J. Phys. Chem. C, 112, 1282 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель