"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой
Шиленас А.1, Пожела Ю.1, Пожела К.1, Юцене В.1, Васильевский И.С.2, Галиев Г.Б.3, Пушкарев С.C.3, Климов Е.А.3
1Институт физики полупроводников Центра физических и технологических наук, Вильнюс, Литва
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 16 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Исследована зависимость подвижности и дрейфовой скорости электронов от условий роста, толщины и параметров легирования InAs-вставки в центре квантовой ямы селективно легированной гетероструктуры InAlAs/InGaAs/InAlAs. Получено рекордное повышение до (2-4)·107 см/с дрейфовой скорости электронов в электрическом поле 5·103 В/см в квантовый яме InGaAs толщиной 17 нм при толщине нелегированной InAs-вставки 4 нм. Показано, что при дополнительном легировании InAs-вставки с повышением плотности электронов в квантовой яме до 4.0·1012 см-2 максимальная дрейфовая скорость достигает 2·107 см/с в поле 7·103 В/см.
  1. H. Zhao, Y-T. Chen, J.H. Yum, Y. Wang, F. Zhou, F. Xue, J.C. Lee. Appl. Phys. Lett., 96, 102 101 (2010)
  2. X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot. J. Appl. Phys., 97, 053 706 (2005)
  3. Jesus A. del Alamo. Nature, 479, 317 (2011)
  4. Dae-Hyun Kim, Jesus A. del Alamo. IEEE Electron. Dev. Lett., 31, 806 (2010)
  5. Dae-Hyun Kim, Jesus A. del Alamo. IEEE Electron. Dev. Lett., 29, 830 (2008)
  6. K. Pozela, A. Silenas, J. Pozela, V. Juciene, G.B. Galiev, I.S. Vasil'evskii, , E.A. Klimov. Appl. Phys. A, 109, 233 (2012)
  7. Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 41, 1093 (2007)
  8. K. Pozela, J. Pozela, V. Juciene, I.S. Vasil'evskii, G.B. Galiev, E.A. Klimov, A. Suziedelis, N. Zurauskiene, V. Stankevic, S. Kersulis, C. Paskevic. Acta Phys. Polon. A, 119, 170 (2011)
  9. V.A. Kulbachinskii, N.A. Yuzeeva, G.B. Galiev, E.A. Klimov, I.S. Vasil'evskii, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev. Semicond. Sci. Technol., 27, 035 021 (2012)
  10. J. Pozela, K. Pozela, V. Juciene, A. Suziedelis, N. Zurauskiene, A.S. Shkolnik. Lithuanian J. Phys., 51, 270 (2011)
  11. Ю. Пожела, К. Пожела, Р. Рагуотис, В. Юцене. ФТП, 45, 778 (2011)
  12. J. Pozela, K. Pozela, V. Juciene, A. Shkolnik. Semicond. Sci. Technol., 26, 014 025 (2011).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.