Вышедшие номера
Влияние легирующих изовалентных примесей Bi на формирование однородных когерентно-напряженных квантовых точек InAs в матрице GaAs
Пелещак Р.М.1, Губа С.К.2, Кузык О.В.1, Курило И.В.2, Данькив О.О.1
1Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
Поступила в редакцию: 30 января 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

В рамках модели деформационного потенциала рассчитаны распределения всесторонней деформации в материале квантовых точек InAs с примесью Bi3+ в матрице GaAs. Получены зависимости деформации материала сферических квантовых точек InAs с примесью замещения (Bi->As) и внедрения (Bi) от размера квантовой точки. Обсуждается качественное сопоставление модели с экспериментом. Получены данные о влиянии легирования на морфологию самоорганизованных квантовых точек InAs:Bi в матрице GaAs.