"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом
Переводная версия: 10.1134/S106378262004017X
Российский научный фонд, «Проведение исследований научными лабораториями мирового уровня в рамках реализации приоритетов научно-технологического развития Российской Федерации» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 19-79-30072
Шашкин И.С.1, Лешко А.Ю.1, Николаев Д.Н.1, Шамахов В.В.1, Рудова Н.А.1, Бахвалов К.В.1, Лютецкий А.В.1, Капитонов В.А.1, Золотарев В.В.1, Слипченко С.О.1, Пихтин Н.А. 1, Копьев П.С. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shashkin@mail.ioffe.ru, arobei@mail.ioffe.ru, dim@mail.ioffe.ru, Shamakhov@mail.ioffe.ru, kirill_bah@yahoo.com, lutetskiy@mail.ioffe.ru, V.A.Kapitonov@mail.ioffe.ru, zolotarev.bazil@mail.ioffe.ru, SergHPL@mail.ioffe.ru, nike@hpld.ioffe.rssi.ru, Ps@kopjev.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 23 декабря 2019 г.
Принята к печати: 23 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.

Исследованы излучательные характеристики лазеров с узким мезаполосковым контактом (ширина 5.5 мкм) на основе асимметричных AlGaAs/GaAs гетероструктур. Показано, что максимальная мощность в непрерывном режиме ограничена тепловым разогревом и достигает 1695 мВт на токе 2350 мА при 25oC, а максимальный кпд достигает 54.8%. Понижение рабочей температуры до -8oC позволило повысить максимальную непрерывную мощность в маломодовом режиме до 2 Вт. При накачке импульсами тока длительностью 240 нс и амплитудой 4230 мА была получена пиковая мощность 2930 мВт. Показано, что в импульсном режиме существует область "оптического провала", в которой наблюдается низкоэффективная лазерная генерация с режимом генерации периодической последовательности лазерных импульсов суб-нс длительности. Ключевые слова: одномодовый лазер, AlGaAs/GaAs, оптический провал, моды высшего порядка, пиковая мощность.
  1. G.C. Rodrigues, H. Vanhove, J.R. Duflou. Phys. Procedia, 56, 901 (2014)
  2. M. Wilkens, H. Wenzel, J. Fricke, A. Maabdorf, P. Ressel, S. Strohmaier, A. Knigge, G. Erbert, G. Trankle. IEEE Photon. Technol. Lett., 30 (6), 545 (2018)
  3. S. Zhao, H. Qu, Y Liu, L. Li, Y. Chen, X. Zhou, Y. Lin, A. Liu, A. Qi, W. Zheng. IEEE Photon. Technol. Lett., 29 (23), 2005 (2017)
  4. Н.А. Берт, А.Д. Бондарев, В.В. Золотарев, Д.А. Кириленко, Я.В. Лубянский, А.В. Лютецкий, С.О. Слипченко, А.Н. Петрунов, Н.А. Пихтин, К.Р. Аюшева, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов. ФТП, 49 (10), 1429 (2015)
  5. Д.А. Веселов, В.А. Капитонов, Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, И.С. Тарасов. Квант. электрон., 44 (11), 993 (2014)
  6. J. Piprek. Optical Quant. Electron., 51 (2), 60 (2019)
  7. H. Lamela, B. Roycroft, P. Acedo, R. Santos, G. Carpintero. Optics Lett., 27 (5), 303 (2002)
  8. С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, А.Ю. Лешко, Н.А. Пихтин, В.В. Забродский, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (10), 1431 (2011)
  9. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Laser Phys., 24 (10), 105001 (2014)
  10. A. Komissarov, M. Maiorov, R. Menna, S. Todorov, J. Connolly, D. Garbuzov, V. Khalfin, A. Tsekoun. In: Technical Digest. Summaries of papers presented at the Conference on Lasers and Electro-Optics. Postconference Technical Digest [IEEE Cat. No.01CH37170] (2001) p. 31

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.