Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом

DOI: 10.21883/FTP.2020.04.49150.9334

Переводная версия: 10.1134/S1063782620040181

Российский научный фонд, «Проведение исследований научными лабораториями мирового уровня в рамках реализации приоритетов научно-технологического развития Российской Федерации» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 19-79-30072

Шашкин И.С ¹, Лешко А.Ю¹, Николаев Д.Н¹, Шамахов В.В¹, Веселов Д.А¹, Рудова Н.А¹, Бахвалов К.В¹, Золотарев В.В¹, Слипченко С.О¹, Пихтин Н.А¹, Копьев П.С¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: shashkin@mail.ioffe.ru, arobei@mail.ioffe.ru, dim@mail.ioffe.ru, Shamakhov@mail.ioffe.ru, dmitriy90@list.ru, kirill_bah@yahoo.com, zolotarev.bazil@mail.ioffe.ru, SergHPL@mail.ioffe.ru, nike@hpld.ioffe.rssi.ru, Ps@kopjev.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 12 декабря 2019 г.

В окончательной редакции: 23 декабря 2019 г.

Принята к печати: 23 декабря 2019 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы излучательные характеристики одномодовых лазеров на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом. Показано, что использование сверхузкого волновода (100 нм) и тонких (70 нм) широкозонных барьеров на границе волновод/эмиттер позволяет решать задачу сужения расходимости излучения в дальней зоне в плоскости, перпендикулярной слоям гетероструктуры. В разработанных одномодовых лазерах с узким мезаполосковым контактом (ширина 5.1 мкм) расходимость излучения в плоскости, параллельной и перпендикулярной слоям гетероструктуры, составила 5 и 18.5^o соответственно. Разработанные лазеры демонстрируют эффективную работу в одномодовом режиме до мощности 200 мВт, а дальнейшее повышение тока приводит к включению дополнительных мод высшего порядка, при этом достигаемая максимальная мощность в непрерывном режиме ограничена перегревом и составляет 550 мВт. Переход в импульсный режим генерации (длительность импульсов 200 нс) позволил поднять максимальную пиковую мощность до 1500 мВт. Ключевые слова: одномодовый лазер, сверхузкий волновод, AlGaAs/GaAs, моды высшего порядка, пиковая мощность.

V. Gapontsev, N. Moshegov, I. Berezin, A. Komissarov, P. Trubenko, D. Miftakhutdinov, I. Berishev, V. Chuyanov, O. Raisky, A. Ovtchinnikov. In: Proc. SPIE, High-Power Diode Laser Technology XV, ed. by M.S. Zediker (USA, 2017) v. 10086, p. 1008604
R. Platz, B. Eppich, J. Rieprich, W. Pittroff, G. Erbert, P. Crump. High Power Laser Sci. Eng., 4, e3 (2016)
R.K. Huang, J.P. Donnelly, L.J. Missaggia, C.T. Harris, J. Plant, D.E. Mull, W.D. Goodhue. IEEE Photon. Technol. Lett., 15 (7), 900 (2003)
A. Pietrzak, H. Wenzel, P. Crump, F. Bugge, J. Fricke, M. Spreemann, G. Erbert, G. Trankle. IEEE J. Quant. Electron., 48 (5), 568 (2012)
S. Zhao, A. Qi, M. Wang, H. Qu, Y. Lin, F. Dong, W. Zheng. Opt. Express, 26 (3), 3518 (2018)
M.J. Miah, T. Kettler, K. Posilovic, V.P. Kalosha, D. Skoczowsky, R. Rosales, D. Bimberg, J. Pohl, M. Weyers. Appl. Phys. Lett., 105 (15), 151105 (2014)
С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Н.А. Пихтин, А.Ю. Лешко, А.В. Рожков, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 39 (8), 9 (2013)
Н.В. Дикарева, Б.Н. Звонков, И.В. Самарцев, С.М. Некоркин, Н.В. Байдусь, А.А. Дубинов. ФТП, 53 (12), 1718 (2019)
M. Wilkens, H. Wenzel, J. Fricke, A. Maabdorf, P. Ressel, S. Strohmaier, A. Knigge, G. Erbert, G. Trankle. IEEE Photon. Technol. Lett., 30 (6), 545 (2018)
С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, А.Ю. Лешко, Н.А. Пихтин, В.В. Забродский, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (10), 1431 (2011)
S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Laser Phys., 24 (10), 105001 (2014)
A. Komissarov, M. Maiorov, R. Menna, S. Todorov, J. Connolly, D. Garbuzov, V. Khalfin, A. Tsekoun. In: Technical Digest. Summaries of papers presented at the Conference on Lasers and Electro-Optics. Postconference Technical Digest [IEEE Cat. No.01CH37170] (2001) p. 31

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель