"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания
Переводная версия: 10.1134/S1063782620040028
Асланян А.Э.1, Авакянц Л.П.1, Червяков А.В.1, Туркин А.Н.1, Мирзаи С.С.1, Курешов В.А.2, Сабитов Д.Р.2, Мармалюк А.А.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
Email: aslanyan.artyom@physics.msu.ru
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.

Методом спектроскопии электропропускания исследованы внутренние электрические поля светодиодных гетероструктур зелeного свечения на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям в активной области. Проведено отнесение частот наблюдаемых спектральных линий с возможными типами межзонных переходов. Обнаружено увеличение числа межзонных переходов типа "квантовая яма-квантовый барьер" по мере увеличения числа квантовых ям, что объясняется неодинаковой степенью сегрегации атомов In в разные барьерные слои GaN. С помощью серии спектров электропропускания при разном смещении p-n-перехода рассчитана напряжeнность внутренних электрических полей в квантовых ямах. Обнаружено, что с ростом числа квантовых ям напряжeнность внутреннего пьезоэлектрического поля уменьшается с 3.20 до 2.82 МВ/см. Ключевые слова: светодиодные гетероструктуры, модуляционная спектроскопия, квантовая яма, нитрид галлия.
  1. F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B, 56, R10024 (1997)
  2. M.B. Nardelli, K. Rapcewicz, J. Bernholc. Appl. Phys. Lett., 71, 3135 (1997)
  3. F. Bernardini, V. Fiorentini. Appl. Surf. Sci., 166, 23 (2000)
  4. P.J. Stevens, M. Whitehead, G. Parry, K. Woodbridge. IEEE J. Quant. Electron., 24, 2007 (1988)
  5. D. Holec, Y. Zhang, D.V.S. Rao, M.J. Kappers, C. McAleese, C.J. Humphreys. J. Appl. Phys., 104, 123514 (2008)
  6. S.J. Leem, Y.C. Shin, K.C. Kim, E.H. Kim, Y.M. Sung, Y. Moon, S.M. Hwang, T.G. Kim. J. Cryst. Growth, 311, 103 (2008)
  7. В.П. Кладько, А.В. Кучук, Н.В. Сафрюк, В.Ф. Мачулин, А.Е. Беляев, Р.В. Конакова, Б.С. Явич, Б.Я. Бур, Д.Ю. Казанцев. ФТП, 45 (6), 770 (2011)
  8. A. David, M.J. Grundmann, J.F. Kaeding, N.F. Gardner, T.G. Mihopoulos, M.R. Krames. Appl. Phys. Lett., 92, 053502 (2008)
  9. T.-S.S. Kim, B.-J.J. Ahn, Y. Dong, K.-N.N. Park, J.-G.J.-H.H.J.G. Lee, Y. Moon, H.-K.K. Yuh, S.-C.C. Choi, J.-G.J.-H.H.J.G. Lee, S.-K.K. Hong, J.H. Song, others. Appl. Phys. Lett., 100, 71910 (2012)
  10. А.Э. Асланян, Л.П. Авакянц, П.Ю. Боков, А.В. Червяков. ФТП, 53, 493 (2019)
  11. Y.D. Jho, J.S. Yahng, E. Oh, D.S. Kim. Appl. Phys. Lett., 79, 1130 (2001)
  12. L.P. Avakyants, A.E. Aslanyan, P.Y. Bokov, A.V. Chervyakov, K.Y. Polozhentsev. Solid-State Electron., 130, 45 (2017)
  13. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 69, 4188 (1996)
  14. L.P. Avakyants, A.E. Aslanyan, P.Y. Bokov, K.Y. Polozhentsev, A.V. Chervyakov. Semiconductors, 51, 189 (2017)
  15. K. Jezierski, P. Markiewicz, J. Misiewicz, M. Panek, B. Sciana, R. Korbutowicz, M. T acza a. J. Appl. Phys., 77, 4139 (1995)
  16. C.Y. Lai, T.M. Hsu, W.-H.H. Chang, K.-U.U. Tseng, C.-M.M. Lee, C.-C.C. Chuo, J.-I.I. Chyi. J. Appl. Phys., 91, 531 (2002)
  17. F. Renner, P. Kiesel, G.H. Dohler, M. Kneissl, C.G. de Walle, N.M. Johnson. Appl. Phys. Lett., 81, 490 (2002)
  18. C.-K. Sun, J.-C. Liang, X.-Y. Yu. Phys. Rev. Lett., 84, 179 (2000)
  19. M. Kuball, E.-S.S. Jeon, Y.-K.K. Song, A.V. Nurmikko, P. Kozodoy, A. Abare, S. Keller, L.A. Coldren, U.K. Mishra, S.P. DenBaars, others, D.A. Steigerwald. Appl. Phys. Lett., 70, 2580 (1997)
  20. J.-S. Park, D.-Y. Lee, S. Hong, J.W. Kim, B.-K. Kim. Proc. SPIE, 6473, 64731R (2007)
  21. R.J. Kaplar, S.R. Kurtz, D.D. Koleske. Phys. Status Solidi C Conf., 2, 2866 (2005)
  22. C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki. J. Appl. Phys., 85, 3786 (1999)
  23. F. Bernardini, V. Fiorentini. Phys. Status Solidi B, 216, 391 (1999)
  24. D. Ahn, S.L. Chuang. Phys. Rev. B, 34, 9034 (1986)
  25. P. Rinke, M. Winkelnkemper, A. Qteish, D. Bimberg, J. Neugebauer, M. Scheffler. Phys. Rev. B, 77, 075202 (2008)
  26. R.R. Pela, C. Caetano, M. Marques, L.G. Ferreira, J. Furthmuller, L.K. Teles. Appl. Phys. Lett., 98, 151907 (2011)
  27. P. Schley, R. Goldhahn, G. Gobsch, M. Feneberg, K. Thonke, X. Wang, A. Yoshikawa. Phys. Status Solidi B, 246, 1177 (2009)
  28. C.C. Chen, H.W. Chuang, G.C. Chi, C.C. Chuo, J.I. Chyi. Appl. Phys. Lett., 77, 3758 (2000)
  29. V. Bougrov, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, A. Zubrilov. Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc., N. Y., 2001)
  30. I.H. Brown, I.A. Pope, P.M. Smowton, P. Blood, J.D. Thomson, W.W. Chow, D.P. Bour, M. Kneissl. Appl. Phys. Lett., 86, 131108 (2005)
  31. F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt. Phys. Rev. Lett., 79, 3958 (1997)
  32. U.M.E. Christmas, A.D. Andreev, D.A. Faux. J. Appl. Phys., 98, 073522 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.