Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания
Переводная версия: 10.1134/S1063782620040028 
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия 
2ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
2ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
Email: aslanyan.artyom@physics.msu.ru
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
Методом спектроскопии электропропускания исследованы внутренние электрические поля светодиодных гетероструктур зелeного свечения на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям в активной области. Проведено отнесение частот наблюдаемых спектральных линий с возможными типами межзонных переходов. Обнаружено увеличение числа межзонных переходов типа "квантовая яма-квантовый барьер" по мере увеличения числа квантовых ям, что объясняется неодинаковой степенью сегрегации атомов In в разные барьерные слои GaN. С помощью серии спектров электропропускания при разном смещении p-n-перехода рассчитана напряжeнность внутренних электрических полей в квантовых ямах. Обнаружено, что с ростом числа квантовых ям напряжeнность внутреннего пьезоэлектрического поля уменьшается с 3.20 до 2.82 МВ/см. Ключевые слова: светодиодные гетероструктуры, модуляционная спектроскопия, квантовая яма, нитрид галлия.
- F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B, 56, R10024 (1997)
- M.B. Nardelli, K. Rapcewicz, J. Bernholc. Appl. Phys. Lett., 71, 3135 (1997)
- F. Bernardini, V. Fiorentini. Appl. Surf. Sci., 166, 23 (2000)
- P.J. Stevens, M. Whitehead, G. Parry, K. Woodbridge. IEEE J. Quant. Electron., 24, 2007 (1988)
- D. Holec, Y. Zhang, D.V.S. Rao, M.J. Kappers, C. McAleese, C.J. Humphreys. J. Appl. Phys., 104, 123514 (2008)
- S.J. Leem, Y.C. Shin, K.C. Kim, E.H. Kim, Y.M. Sung, Y. Moon, S.M. Hwang, T.G. Kim. J. Cryst. Growth, 311, 103 (2008)
- В.П. Кладько, А.В. Кучук, Н.В. Сафрюк, В.Ф. Мачулин, А.Е. Беляев, Р.В. Конакова, Б.С. Явич, Б.Я. Бур, Д.Ю. Казанцев. ФТП, 45 (6), 770 (2011)
- A. David, M.J. Grundmann, J.F. Kaeding, N.F. Gardner, T.G. Mihopoulos, M.R. Krames. Appl. Phys. Lett., 92, 053502 (2008)
- T.-S.S. Kim, B.-J.J. Ahn, Y. Dong, K.-N.N. Park, J.-G.J.-H.H.J.G. Lee, Y. Moon, H.-K.K. Yuh, S.-C.C. Choi, J.-G.J.-H.H.J.G. Lee, S.-K.K. Hong, J.H. Song, others. Appl. Phys. Lett., 100, 71910 (2012)
- А.Э. Асланян, Л.П. Авакянц, П.Ю. Боков, А.В. Червяков. ФТП, 53, 493 (2019)
- Y.D. Jho, J.S. Yahng, E. Oh, D.S. Kim. Appl. Phys. Lett., 79, 1130 (2001)
- L.P. Avakyants, A.E. Aslanyan, P.Y. Bokov, A.V. Chervyakov, K.Y. Polozhentsev. Solid-State Electron., 130, 45 (2017)
- S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 69, 4188 (1996)
- L.P. Avakyants, A.E. Aslanyan, P.Y. Bokov, K.Y. Polozhentsev, A.V. Chervyakov. Semiconductors, 51, 189 (2017)
- K. Jezierski, P. Markiewicz, J. Misiewicz, M. Panek, B. Sciana, R. Korbutowicz, M. T acza a. J. Appl. Phys., 77, 4139 (1995)
- C.Y. Lai, T.M. Hsu, W.-H.H. Chang, K.-U.U. Tseng, C.-M.M. Lee, C.-C.C. Chuo, J.-I.I. Chyi. J. Appl. Phys., 91, 531 (2002)
- F. Renner, P. Kiesel, G.H. Dohler, M. Kneissl, C.G. de Walle, N.M. Johnson. Appl. Phys. Lett., 81, 490 (2002)
- C.-K. Sun, J.-C. Liang, X.-Y. Yu. Phys. Rev. Lett., 84, 179 (2000)
- M. Kuball, E.-S.S. Jeon, Y.-K.K. Song, A.V. Nurmikko, P. Kozodoy, A. Abare, S. Keller, L.A. Coldren, U.K. Mishra, S.P. DenBaars, others, D.A. Steigerwald. Appl. Phys. Lett., 70, 2580 (1997)
- J.-S. Park, D.-Y. Lee, S. Hong, J.W. Kim, B.-K. Kim. Proc. SPIE, 6473, 64731R (2007)
- R.J. Kaplar, S.R. Kurtz, D.D. Koleske. Phys. Status Solidi C Conf., 2, 2866 (2005)
- C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki. J. Appl. Phys., 85, 3786 (1999)
- F. Bernardini, V. Fiorentini. Phys. Status Solidi B, 216, 391 (1999)
- D. Ahn, S.L. Chuang. Phys. Rev. B, 34, 9034 (1986)
- P. Rinke, M. Winkelnkemper, A. Qteish, D. Bimberg, J. Neugebauer, M. Scheffler. Phys. Rev. B, 77, 075202 (2008)
- R.R. Pela, C. Caetano, M. Marques, L.G. Ferreira, J. Furthmuller, L.K. Teles. Appl. Phys. Lett., 98, 151907 (2011)
- P. Schley, R. Goldhahn, G. Gobsch, M. Feneberg, K. Thonke, X. Wang, A. Yoshikawa. Phys. Status Solidi B, 246, 1177 (2009)
- C.C. Chen, H.W. Chuang, G.C. Chi, C.C. Chuo, J.I. Chyi. Appl. Phys. Lett., 77, 3758 (2000)
- V. Bougrov, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, A. Zubrilov. Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc., N. Y., 2001)
- I.H. Brown, I.A. Pope, P.M. Smowton, P. Blood, J.D. Thomson, W.W. Chow, D.P. Bour, M. Kneissl. Appl. Phys. Lett., 86, 131108 (2005)
- F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt. Phys. Rev. Lett., 79, 3958 (1997)
- U.M.E. Christmas, A.D. Andreev, D.A. Faux. J. Appl. Phys., 98, 073522 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
