Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей
Переводная версия: 10.1134/S1063782620040053 
Емельянов В.М.1, Калюжный Н.А.1, Минтаиров С.А.1, Нахимович М.В.1, Салий Р.А.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: vm.emelyanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 ноября 2019 г.
В окончательной редакции: 5 декабря 2019 г.
Принята к печати: 5 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
Исследованы вольт-амперные характеристики InxGa1-xAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей со встроенными n-InGaAs/InAlAs брэгговскими отражателями с содержанием индия (In) x=0.025-0.24. Проведены измерения последовательного сопротивления гетероструктур в диапазоне от 90 до 400 K. Установлено, что резкое увеличение сопротивления легированных кремнием отражателей с ростом доли индия вызвано слабой активацией донорной примеси в слоях InAlAs-n : Si. Вследствие этого в последних образуются энергетические барьеры для основных носителей заряда высотой 0.32-0.36 эВ, которые имеют значительную ширину. Для подавления обнаруженного эффекта разработана технология легирования n-InGaAs/InAlAs брэгговских отражателей теллуром (Te), которая позволила снизить последовательное сопротивление на 5 порядков. Это позволило сохранить фактор заполнения вольт-амперной характеристики на уровне выше 80% вплоть до плотностей тока 2 А/см2. Достигнутые при этом значения квантовой эффективности фотоответа фотопреобразователей выше 85% свидетельствуют о подавлении характерных для этого типа примеси эффектов "памяти" и сегрегации теллура. Ключевые слова: фотоэлектрический преобразователь, брэгговский отражатель, InGaAs, InAlAs, легирование, резистивные потери, гетерограница.
- F. Dimroth, T.N.D. Tibbits, M. Niemeyer, F. Predan, P. Beutell, C. Karcher, E. Oliva, G. Siefer, D. Lackner, P. Fub-Kailuweit, A.W. Bett, R. Krause, C. Drazek, E. Guiot, J. Wasselin, A. Tauzin, T. Signamarcheix. IEEE J. Photovolt., 6, 343 (2016)
- N. Miller, P. Patel, C. Struempel, C. Kerestes, D. Aiken, P. Sharps. AIP Conf. Proc., 1616, 50 (2014)
- P. Sharps, D. Aiken, B. Cho, S. Cruz, D. Derkacs, N. Fatemi, A. Haas, C. Kerestes, N. Miller, B. Pantha, P. Patel, M. Stan, A. Stavrides, J. Steinfeldt, C. Struempel, S. Whipple. E3S Web Conf., 16, 03002 (2017)
- P.T. Chiu, D.C Law, R.L. Woo, S.B. Singer, D. Bhusari, W.D. Hong, A. Zakaria, J. Boisvert, S. Mesropian, R.R. King, N.H. Karam. Proc. 40th IEEE PVSC, 11 (2014)
- N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Emelyanov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts. AIP Conf. Proc., 2012, 110002 (2018)
- Y. Kim, H.B. Shin, W.H. Lee, S.H. Jung, C.Z. Kim, H. Kim, Y.T. Lee, H.K. Kang. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 200, 109984 (2019)
- N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Emelyanov, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, M.V. Nahimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts. AIP Conf. Proc., 2149, 050006 (2019)
- S.R. Messenger. Electronics Science and Technology Division Seminar (15 March, 2001) p. 201
- M. Мeusel, C. Baur, W. Guter, M. Hermle, D. Frank, A. Bett, T. Bergunde, R. Dietrich, R. Kern, W. Kostler, M. Nell, W. Zimmermann. Proc. 20th EUPVSEC, 20 (2005)
- A.S. Vlasov, V.M. Emelyanov, E.S. Aronova, O.I. Chosta, N.A. Kalyuznyy, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, A.N. Trufanov. Proc. 29th EUPVSEC, 347 (2010)
- V.M. Lantratov, I.V. Kochnev, M.Z. Shvarts. Proc. 27th SOTAPOCS Electrochem. Soc., 21, 125 (1997)
- X. Duan, Y. Huang, Y. Shang, J. Wang, X. Ren. Optics Lett., 39 (8), 2447 (2014)
- M.Z. Shvarts, O.I. Chosta, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, V.M. Andreev. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 68, 105 (2001)
- В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, М.З. Шварц, В.М. Лантратов. ФТП, 44 (12), 1649 (2010)
- V.M. Emelyanov, M.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts. AIP Conf. Proc., 2012, 090003 (2018)
- N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, A.M. Nadtochiy, V.N. Nevedomskiy, D.V. Rybalchenko, M.Z. Shvarts. Electron. Lett., 53 (3), 173 (2017)
- Д.В. Рыбальченко, С.А. Минтаиров, Р.А. Салий, Н.Х. Тимошина, М.З. Шварц, Н.А. Калюжный. ФТП, 51 (1), 94 (2017)
- Y.M. Houng, T.S. Low. J. Cryst. Growth, 77 (1-3), 272 (1986)
- А.В. Неженцев, В.И. Егоркин, В.Е. Земляков, В.И. Гармаш, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров. Микроэлектроника, 47 (6), 431 (2018)
- M.Z. Shvarts, A.E. Chalov, E.A. Ionova, V.R. Larionov, D.A. Malevskiy, V.D. Rumyantsev, S.S. Titkov. Proc. 20th EUPVSEC, 278 (2005)
- В.Р. Ларионов, Д.А Малевский, П.В Покровский, В.Д. Румянцев. ЖТФ, 85 (6), 104 (2015)
- R. Hoheisel, A.W. Bett. IEEE J. Photovolt., 2 (3) 398 (2012)
- A.S. Gudovskikh, K. Zelentsov, N. Kalyuzhnyy, V. Evstropov, V.M. Lantratov, S. Mintairov. J. Phys. D: Appl. Phys., 45, 495305 (2012)
- M.Z. Shvarts, A.S. Gudovskikh, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, A.A. Soluyanov, N.Kh. Timoshina, A. Luque. AIP Conf. Proc., 1616, 29 (2014)
- S.C. Jain, D.J. Roulston. Solid State Electron, 34 (5), 453 (1991)
- E. Wolak, J.C. Harmand, T. Matsuno, K. Inoue, T. Narusawa. Appl. Phys. Lett., 59 (1), 111 (1991)
- M.S. Hybertsen. Appl. Phys. Lett., 58 (16), 1759 (1991).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
