Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям

DOI: 10.21883/FTP.2020.03.49035.9296

Переводная версия: 10.1134/S1063782620030021

Асланян А.Э.¹, Авакянц Л.П.¹, Червяков А.В.¹, Туркин А.Н.¹, Курешов В.А.², Сабитов Д.Р.², Мармалюк А.А.²

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия Sigm Plus Co, Moscow, Russia

Email: aslanyan.artyom@physics.msu.ru

Поступила в редакцию: 28 октября 2019 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы светодиодные гетероструктуры на основе InGaN/GaN с различным количеством квантовых ям методом спектроскопии фототока в диапазоне длин волн 350-500 нм. В результате анализа серии спектров, полученных при различных смещениях p-n-перехода, обнаружен эффект смены направления фототока при изменении длины волны возбуждения (фотореверсивный эффект). Установлен диапазон смещений p-n-перехода, при котором наблюдается указанный эффект для структур с разным количеством квантовых ям в активной области. Ключевые слова: светодиодные гетероструктуры, фототок, квантовая яма, нитрид галлия.

S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of Semiconductor Devices (Hoboken, John Wiley \& Sons, Inc., 2006)
E.F. Schubert. Light-Emitting Diodes (Cambridge, Cambridge University Press, 2006)
K. Seeger. Semiconductor Physics (Berlin, Springer Berlin Heidelberg, 1991) v. 40
A.B.M.H. Islam, J.-I. Shim, D.-S. Shin. IEEE J. Quan. Electron., 55, 1(2019)
A. Bercha, W. Trzeciakowski, M. G adysiewicz-Kudrawiec, Y. Ivonyak, S. Grzanka. J. Appl. Phys., 125, 115702 (2019)
N. Zhang, Z. Liu, Z. Si, P. Ren, X.-D. Wang, X.-X. Feng, P. Dong, C.-X. Du, S.-X. Zhu, B.-L. Fu, H.-X. Lu, J.-M. Li, J.-X. Wang. Chinese Phys. Lett., 30, 087101 (2013)
S.H. Han, D.Y. Lee, S.J. Lee, C.Y. Cho, M.K. Kwon, S.P. Lee, D.Y. Noh, D.J. Kim, Y.C. Kim, S.J. Park. Appl. Phys. Lett., 94, 1 (2009)
G. Franssen, P. Perlin, T. Suski. Phys. Rev. B, 69, 45310 (2004)
D. Shin, J. Lee, J. Shim. IEEE J. Quan. Electron., 49, 1062 (2013)
S.-I. Park, J.-I. Lee, D.-H. Jang, H.-S. Kim, D.-S. Shin, H.-Y. Ryu, J.-I. Shim. IEEE J. Quant. Electron., 48, 500 (2012)
M. A. Reshchikov, H. Morko c. J. Appl. Phys., 97, 061301 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель