"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям
Переводная версия: 10.1134/S1063782620030021
Асланян А.Э.1, Авакянц Л.П.1, Червяков А.В.1, Туркин А.Н.1, Курешов В.А.2, Сабитов Д.Р.2, Мармалюк А.А.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
Email: aslanyan.artyom@physics.msu.ru
Поступила в редакцию: 28 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

Исследованы светодиодные гетероструктуры на основе InGaN/GaN с различным количеством квантовых ям методом спектроскопии фототока в диапазоне длин волн 350-500 нм. В результате анализа серии спектров, полученных при различных смещениях p-n-перехода, обнаружен эффект смены направления фототока при изменении длины волны возбуждения (фотореверсивный эффект). Установлен диапазон смещений p-n-перехода, при котором наблюдается указанный эффект для структур с разным количеством квантовых ям в активной области. Ключевые слова: светодиодные гетероструктуры, фототок, квантовая яма, нитрид галлия.
  1. S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of Semiconductor Devices (Hoboken, John Wiley \& Sons, Inc., 2006)
  2. E.F. Schubert. Light-Emitting Diodes (Cambridge, Cambridge University Press, 2006)
  3. K. Seeger. Semiconductor Physics (Berlin, Springer Berlin Heidelberg, 1991) v. 40
  4. A.B.M.H. Islam, J.-I. Shim, D.-S. Shin. IEEE J. Quan. Electron., 55, 1(2019)
  5. A. Bercha, W. Trzeciakowski, M. G adysiewicz-Kudrawiec, Y. Ivonyak, S. Grzanka. J. Appl. Phys., 125, 115702 (2019)
  6. N. Zhang, Z. Liu, Z. Si, P. Ren, X.-D. Wang, X.-X. Feng, P. Dong, C.-X. Du, S.-X. Zhu, B.-L. Fu, H.-X. Lu, J.-M. Li, J.-X. Wang. Chinese Phys. Lett., 30, 087101 (2013)
  7. S.H. Han, D.Y. Lee, S.J. Lee, C.Y. Cho, M.K. Kwon, S.P. Lee, D.Y. Noh, D.J. Kim, Y.C. Kim, S.J. Park. Appl. Phys. Lett., 94, 1 (2009)
  8. G. Franssen, P. Perlin, T. Suski. Phys. Rev. B, 69, 45310 (2004)
  9. D. Shin, J. Lee, J. Shim. IEEE J. Quan. Electron., 49, 1062 (2013)
  10. S.-I. Park, J.-I. Lee, D.-H. Jang, H.-S. Kim, D.-S. Shin, H.-Y. Ryu, J.-I. Shim. IEEE J. Quant. Electron., 48, 500 (2012)
  11. M. A. Reshchikov, H. Morko c. J. Appl. Phys., 97, 061301 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.