"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Разработка и исследование туннельных p-i-n-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения
Переводная версия: 10.1134/S1063782620030112
Калиновский В.С.1, Контрош Е.В.1, Климко Г.В.1, Иванов С.В.1, Юферев В.С.1, Бер Б.Я.1, Казанцев Д.Ю.1, Андреев В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vitak.sopt@mail.ioffe.ru, kontrosh@mail.ioffe.ru, gklimko@mail.ru
Поступила в редакцию: 29 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

Создание соединительных туннельных диодов с высокой плотностью пикового туннельного тока, превышающей плотность тока короткого замыкания фотоактивных p-n-переходов, является важной задачей при разработке многопереходных фотопреобразователей (AIIIBV) мощного оптического излучения. На основе результатов численного моделирования вольт-амперных характеристик туннельных диодов предложен способ повышения плотности пикового туннельного тока путем включения между вырожденными слоями туннельного диода тонкого нелегированного i-слоя толщиной в несколькo нанометров. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены структуры p-i-n-GaAs/Al0.2Ga0.8As туннельных соединительных диодов со значениями пиковой плотности туннельного тока до 200 A/см2. Ключевые слова: туннельный диод, квантовое туннелирование, вольт-амперная характеристика, многопереходный фотопреобразователь, молекулярно-пучковая эпитаксия.
  1. W. Guter, J. Schone, S.P. Philipps, M. Steiner, G. Sefer, A. Wekkeli, E. Welser, E. Oliva, A.W. Bett, F. Dimroth. Appl. Phys. Lett., 94, 223 (2009)
  2. 8.514 https://www.ise.fraunhofer.de/en /press-media/press-releases/2014/ 8.514 new-world-record-for-solar-cell-efficiency-at-46-percent.html
  3. E.C. Warmann, C. Flowers, J. Lloyd, C.N. Eisler, M.D. Escarra, H.A. Atwater. Energy Sci. Engin., 5, 69 (2017)
  4. V.S. Kalinovskii, Е.V. Kontrosh, G.V. Klimko, T.S. Tabarov, S.V. Ivanov, V.M. Andreev. Techn. Phys. Lett., 44, 1013 (2018)
  5. US patent No.: US 2018/03115879 A1, November 1, 2018
  6. W. Walukiewicz. Phys. B: Condens. Matter, 302-303, 123 (2001).
  7. W. Walukiewicz. Mater. Sci. Engin. B, 66, 39 (1999)
  8. H. Satoh, T. Imai. Jpn. J. Appl. Phys., 7 (8), 875 (1968)
  9. E.F. Schubert, J.M. Kuo, R.F. Kopf, H.S. Luftman, L.C. Hopkins, N.J. Sauer. J. Appl. Phys., 67 (4), 1969 (1990)
  10. D.L. Miller, P.M. Asbeck. J. Appl. Phys., 57, 1816 (1985)
  11. P. Enquist, G.W. Wicks, L.F. Eastman, C. Hitzman. J. Appl. Phys., 58, 4130, (1985)
  12. M. Baudrit, C. Algora. IEEE Trans. Electron Dev., 57 (11), 2564 (2010)
  13. ATLAS User's Manual (Silvaco, Santa Clara, CA, Nov. 2015)
  14. M. Hermle, G. Lertay, S.P. Philipps, A.W. Bett. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 16, 409 (2008)
  15. L. Esaki. IEEE Trans. Electron Dev., Ed-23 (7), 644 (1976)
  16. M. Oehme, M. v Sarlija, D. Hahnel, M. Kaschel, J. Werner, E. Kasper. IEEE Trans. Electron Dev., 57 (11), 2857 (2010)
  17. T.P. Brody. J. Appl. Phys., 33 (1), 100 (1962)
  18. G. Wentzel. Zeits. f. Phys., 38, 518 (1926)
  19. H.A. Kramers. Zeits. f. Phys., 39, 828 (1926)
  20. L. Brillouin. Comptes Rendus, 183 (1), 24 (1926)
  21. И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко, Н.В. Коломейцева. ФTП, 41 (11), 1391 (2007)
  22. B.A. Богданова, H.A. Давлеткильдеев, H.A. Семиколенова, E.H. Сидоров. ФТП, 36 (4), 407 (2002)
  23. B.B. Преображенский, M.A. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 36 (8), 897 (2002)
  24. K. Kohler, P. Ganser, M. Maier. J. Cryst. Growth, 127, 720 (1993)
  25. E.F. Schubert. J. Vac. Sci. \& Technol. A, 8, 2980 (1990). doi: 10.1116/1.576617
  26. П.Н. Брунков, А.А. Гуткин, М.Э. Рудинский, О.И. Ронжин, А.А. Ситникова, А.А. Шахмин, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, А.Ю. Егоров, В.Е. Земляков, С.Г. Конников. ФTП, 45 (6), 829 (2011)
  27. А.А. Пастор, У.В. Прохорова, П.Ю. Сердобинцев, В.В. Чалдышев, М.А. Яговкина. ФТП, 47 (8), 2 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.