Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Свойства микрорезонатора на основе таммовского плазмона с внутрирезонаторными металлическими слоями и органической активной областью

DOI: 10.21883/FTP.2020.03.49033.9260

Переводная версия: 10.1134/S106378262003015X

Российский научный фонд, 16-12-10503

Морозов К.М. ^1,2, Белоновский А.В. ^1,2, Гиршова Е.И.¹, Иванов К.А. ², Калитеевский М.А. ^1,2,3

¹Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: morzconst@gmail.com, leha.s92.92@gmail.com, kaliti@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 19 сентября 2019 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено теоретическое исследование свойств микрорезонаторной структуры с внутрирезонаторными металлическими слоями и органической активной областью (малой молекулы CBP (4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1' -biphenyl) ). Структура состояла из слоя органического материала CBP заданной толщины, заключенного между двумя слоями серебра, тонкими фазосогласующими слоями CBP (d_ph=26 нм) и двумя четвертьволновыми брэгговскими отражателями. Было показано, что гибридные моды, локализованные в центральном слое структуры, могут значительно увеличивать скорость затухания люминесценции органического излучателя посредством эффекта Парселла. Был обнаружен сдвиг гибридных мод при их взаимодействии с экситонным резонансом в CBP, что может означать о появлении режима сильной связи. Ключевые слова: таммовский плазмон, органический светодиод, вертикально-излучающий лазер, экситон.

A.J.C. Kuehne, M.C. Gather. Chem. Rev., 116 (21), 12823 (2016)
J.-H. Lee, C.-H. Chen, P.-H. Lee, H.-Y. Lin, M. Leung, T.-L. Chiu, C.-F. Lin. J. Mater. Chem. C, 7, 5874 (2019)
R. Bruckner, A.A. Zakhidov, R. Scholz, M. Sudzius, S.I. Hintschich, H. Frub, V.G. Lyssenko, K. Leo. Nature Photonics, 6 (5), 322 (2012)
C. Symonds, G. Lheureux, J.P. Hugonin, J.J. Greffet, J. Laverdant, G. Brucoli, A. Lemaitre, P. Senellart, J. Bellessa. Nano Lett., 13 (7), 3179 (2013)
S.-G. Huang, K.-P. Chen, S.-C. Jeng. Optical Mater. Express, 7 (4), 1267 (2017)
R. Bikbaev, S. Vetrov I. Timofeev. Photonics, 5 (3), 22 (2018)
S. V. Boriskina, Y. Tsurimaki. J. Phys.: Condens. Matter, 30 (22), 224003 (2018).
A.R. Gubaydullin, C. Symonds, J. Bellessa, K.A. Ivanov, E.D. Kolykhalova, M.E. Sasin, A. Lemaitre, P. Senellart, G. Pozina, M.A. Kaliteevski. Scientific Reports, 7, 9014 (2017)
M.A. Kaliteevski, A.A. Lazarenko. Techn. Phys. Lett., 39, 698 (2013)
R. Bruckner, V.G. Lyssenko, S. Hofmann, K. Leo. Faraday Discuss, 174, 183 (2014)
M.A. Kaliteevski, A.A. Lazarenko, N.D. Il'inskaya, Yu.M. Zadiranov, M.E. Sasin. D. Zaitsev, V.A. Mazlin, P.N. Brunkov, S.I. Pavlov, A.Yu. Egorov. Plasmonics, 10 (2), 281 (2015)
D.G. Lidzey, D.D.C. Bradley, M.S. Skolnick, T. Virgili, S. Walker, D.M. Whittaker. Nature, 395, 53 (1998)
D. Ballarini, M. De Giorgi, S. Gambino, G.Lerario, M. Mazzeo, A. Genco, G. Accorsi, C. Giansante, S. Colella, S. D'Agostino, P. Cazzato, D. Sanvitto, G. Gigli. Adv. Optical Mater., 2, 1076 (2014)
V. Jankus, C. Winscom, A.P. Monkman. J. Chem. Phys., 130, 074501 (2009)
K.M. Morozov, K.A. Ivanov, D. de Sa Pereira, C. Menelaou, A.P. Monkman, G. Pozina, M.A. Kaliteevski. Sci. Rep., 9, 9604 (2019)
A.A. Lazarenko, K.A. Ivanov, A.R. Gubaydullin, M.A. Kaliteevski. Semiconductors, 51, 520 (2017)
K.M. Morozov, E.I. Girshova, A.R. Gubaydullin, K.A. Ivanov, G. Pozina, M.A. Kaliteevski. J. Phys.: Condens. Matter, 30, 435304 (2018)
B. Deveaud. The Physics of Semiconductor Microcavities: From Fundamentals to Nanoscale Devices (Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co., 2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель