Свойства микрорезонатора на основе таммовского плазмона с внутрирезонаторными металлическими слоями и органической активной областью
Российский научный фонд, 16-12-10503
Морозов К.М.
1,2, Белоновский А.В.
1,2, Гиршова Е.И.1, Иванов К.А.
2, Калитеевский М.А.
1,2,3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: morzconst@gmail.com, leha.s92.92@gmail.com, kaliti@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.
Проведено теоретическое исследование свойств микрорезонаторной структуры с внутрирезонаторными металлическими слоями и органической активной областью (малой молекулы CBP (4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1' -biphenyl) ). Структура состояла из слоя органического материала CBP заданной толщины, заключенного между двумя слоями серебра, тонкими фазосогласующими слоями CBP (dph=26 нм) и двумя четвертьволновыми брэгговскими отражателями. Было показано, что гибридные моды, локализованные в центральном слое структуры, могут значительно увеличивать скорость затухания люминесценции органического излучателя посредством эффекта Парселла. Был обнаружен сдвиг гибридных мод при их взаимодействии с экситонным резонансом в CBP, что может означать о появлении режима сильной связи. Ключевые слова: таммовский плазмон, органический светодиод, вертикально-излучающий лазер, экситон.
- A.J.C. Kuehne, M.C. Gather. Chem. Rev., 116 (21), 12823 (2016)
- J.-H. Lee, C.-H. Chen, P.-H. Lee, H.-Y. Lin, M. Leung, T.-L. Chiu, C.-F. Lin. J. Mater. Chem. C, 7, 5874 (2019)
- R. Bruckner, A.A. Zakhidov, R. Scholz, M. Sudzius, S.I. Hintschich, H. Frub, V.G. Lyssenko, K. Leo. Nature Photonics, 6 (5), 322 (2012)
- C. Symonds, G. Lheureux, J.P. Hugonin, J.J. Greffet, J. Laverdant, G. Brucoli, A. Lemaitre, P. Senellart, J. Bellessa. Nano Lett., 13 (7), 3179 (2013)
- S.-G. Huang, K.-P. Chen, S.-C. Jeng. Optical Mater. Express, 7 (4), 1267 (2017)
- R. Bikbaev, S. Vetrov I. Timofeev. Photonics, 5 (3), 22 (2018)
- S. V. Boriskina, Y. Tsurimaki. J. Phys.: Condens. Matter, 30 (22), 224003 (2018).
- A.R. Gubaydullin, C. Symonds, J. Bellessa, K.A. Ivanov, E.D. Kolykhalova, M.E. Sasin, A. Lemaitre, P. Senellart, G. Pozina, M.A. Kaliteevski. Scientific Reports, 7, 9014 (2017)
- M.A. Kaliteevski, A.A. Lazarenko. Techn. Phys. Lett., 39, 698 (2013)
- R. Bruckner, V.G. Lyssenko, S. Hofmann, K. Leo. Faraday Discuss, 174, 183 (2014)
- M.A. Kaliteevski, A.A. Lazarenko, N.D. Il'inskaya, Yu.M. Zadiranov, M.E. Sasin. D. Zaitsev, V.A. Mazlin, P.N. Brunkov, S.I. Pavlov, A.Yu. Egorov. Plasmonics, 10 (2), 281 (2015)
- D.G. Lidzey, D.D.C. Bradley, M.S. Skolnick, T. Virgili, S. Walker, D.M. Whittaker. Nature, 395, 53 (1998)
- D. Ballarini, M. De Giorgi, S. Gambino, G.Lerario, M. Mazzeo, A. Genco, G. Accorsi, C. Giansante, S. Colella, S. D'Agostino, P. Cazzato, D. Sanvitto, G. Gigli. Adv. Optical Mater., 2, 1076 (2014)
- V. Jankus, C. Winscom, A.P. Monkman. J. Chem. Phys., 130, 074501 (2009)
- K.M. Morozov, K.A. Ivanov, D. de Sa Pereira, C. Menelaou, A.P. Monkman, G. Pozina, M.A. Kaliteevski. Sci. Rep., 9, 9604 (2019)
- A.A. Lazarenko, K.A. Ivanov, A.R. Gubaydullin, M.A. Kaliteevski. Semiconductors, 51, 520 (2017)
- K.M. Morozov, E.I. Girshova, A.R. Gubaydullin, K.A. Ivanov, G. Pozina, M.A. Kaliteevski. J. Phys.: Condens. Matter, 30, 435304 (2018)
- B. Deveaud. The Physics of Semiconductor Microcavities: From Fundamentals to Nanoscale Devices (Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co., 2007).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
