"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Двойная лавинная инжекция в диодных лавинных обострителях
Переводная версия: 10.1134/S1063782620030100
РФФИ, Конкурс 2017 года проектов фундаментальных научных исследований, проводимый РФФИ, 17-08-01559
Иванов М.С. 1, Подольская Н.И. 1, Родин П.Б. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.ivanov@mail.ioffe.ru, rodin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

Проведено численное моделирование пикосекундных диодных лавинных обострителей в режиме коммутации быстронарастающих высоковольтных импульсов субмикросекундной длительности. Показано, что максимальная длительность коммутируемого импульса ограничена физическими явлениями, связанными с переходом структуры в режим двойной лавинной инжекции, а не с восстановлением блокирующей способности диода вследствие дрейфового рассасывания неравновесной электронно-дырочной плазмы, как это имеет место в низкочастотных силовых диодах. Двойная лавинная инжекция в принципе способна поддерживать структуру диодного обострителя в проводящем состоянии после переключения. Однако отрицательное дифференциальное сопротивление, имеющее место в этом режиме, влечет за собой неустойчивость однородного токораспределения и изотермическое шнурование тока. Ключевые слова: ударная ионизация, субнаносекундные переключатели, лавинная инжекция, токовые неустойчивости.
  1. И.В. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев. Письма ЖТФ, 5 (15), 950 (1979)
  2. В.М. Тучкевич, И.В. Грехов. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами (Л., Наука, 1988)
  3. A.F. Kardo-Sysoev. Ultra-Wideband Radar Technology, ed. by J.D. Taylor (London--N. Y.--Washington, CRC Press, Boca Raton, 2001) p. 205
  4. R.J. Focia, E. Schamiloglu, C.B. Fledderman, F.J. Agee, J. Gaudet. IEEE Trans. Plasma Sci., 25 (2), 138 (1997)
  5. I.V. Grekhov. IEEE Trans. Plasma Sci., 38 (5), 1118 (2010)
  6. А.И. Гусев, С.К. Любутин, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.Н. Цыранов. ФТП, 48 (8), 1095 (2014)
  7. В.И. Брылевский, И.А. Смирнова, П.Б. Родин, И.В. Грехов. Письма ЖТФ, 40 (8), 80 (2014)
  8. V.I. Brylevskiy, I.A. Smirnova, A.V. Rozhkov, P.N. Brunkov, P.B. Rodin, I.V. Grekhov. IEEE Trans. Plasma Sci., 44 (10), 1941 (2016)
  9. V. Brylevskiy, I. Smirnova, A. Gutkin, P. Brunkov, P. Rodin, I. Grekhov. J. Appl. Phys., 122 (18), 185701 (2017)
  10. H. Benda, E. Spenke. Proc. IEEE, 55, 1331 (1967)
  11. H. Benda, F. Dannhauser, A. Porst, E. Spenke. Sol. St. Electron., 10 (12), 1133 (1967)
  12. A. Porst, K. Schuster. Sol. St. Electron., 10 (12), 1149 (1967)
  13. SILVACO ATLAS, User guide, http://www.silvaco.com
  14. H.C. Bowers. IEEE Trans. Electron Dev., 15 (6), 343 (1968)
  15. G.K. Wachutka. IEEE Trans. Electron Dev., 38 (6), 1516 (1991)
  16. M. Denison, M. Blaho, P. Rodin, V. Dubec, D. Pogany, D. Silber, E. Gornik, M. Stecher. IEEE Trans. Electron Dev., 51 (8), 1331 (2004)
  17. P. Rodin. Phys. Rev. B, 69 (4), 045307 (2004)
  18. F.J. Niedernostheide, H.J. Schulze. Physica D, 199(1-2), 129 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.