"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями
Переводная версия: 10.1134/S1063782620030203
РФФИ, офи_м, 16-29-03123
U.S. Army Research Office, W911NF-17-1-0432
Зубов Ф.И.1, Муретова М.Е.1, Паюсов А.С.2, Максимов М.В.2, Жуков А.Е.1, Асрян Л.В.3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
Email: fedyazu@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 ноября 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

В лазере с асимметричными барьерными слоями два тонких асимметричных барьерных слоя, прилегающих к активной области по обе стороны, направлены на предотвращение биполярной заселенности волноводных слоев и соответственно подавление паразитной рекомбинации в них. В работе предложена теоретическая модель лазера с асимметричными барьерными слоями, основанная на скоростных уравнениях, и учитывающая нежелательную утечку носителей заряда, которая неизбежно происходит в лазерах такого типа, реализуемых на практике. Получены решения уравнений для стационарного случая. На примере лазера на квантовой яме InGaAs/GaAs (длина волны лазерного излучения λ=980 нм) исследовано влияние утечек сквозь асимметричные барьерные слои на приборные характеристики. Оценены степени подавления паразитных потоков за счет асимметричных барьерных слоев, необходимые для устранения негативного влияния волноводной рекомбинации. Для рассматриваемого случая эффект от асимметричных барьерных слоев становится заметен при степенях подавления паразитных потоков C≥102. Для подавления 90% паразитного тока требуется C~2·104. В работе также исследовано воздействие асимметричных барьерных слоев на полезные потоки носителей, поступающих в активную область. Ключевые слова: диодные лазеры, асимметричные барьерные слои, паразитная волноводная рекомбинация.
  1. C. Frevert, P. Crump, F. Bugge, S. Knigge, G. Erbert, Semicond. Sci. Technol., 31, 025003 (2016)
  2. L.V. Asryan, S. Luryi. Solid-State Electron., 47, 205 (2003)
  3. A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 100, 021107 (2012)
  4. F.I. Zubov, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan, A.E. Zhukov, Electron. Lett., 51, 1106 (2015)
  5. L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 26, 055025 (2011)
  6. L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, F.I. Zubov, A.E. Zhukov. J. Appl. Phys., 114, 143103 (2013)
  7. L.V. Asryan. Quant. Electron., 35, 1117 (2005)
  8. K.J. Vahala, C.E. Zah. Appl. Phys. Lett., 52, 1945 (1988)
  9. D.-S. Han, L.V. Asryan. Nanotechnology, 21, 015201 (2010)
  10. L.V. Asryan, F.I. Zubov, Yu.S. Balezina (Polubavkina), E.I. Moiseev, M.E. Muretova, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. Semiconductors, 52, 1621 (2018)
  11. L.V. Asryan, F.I. Zubov, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. Semiconductors, 50, 1362 (2016)
  12. F.I. Zubov, M.E. Muretova, L.V. Asryan, E.S. Semenova, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. J. Appl. Phys., 124, 133105 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.