"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Профилирование компонент подвижности вблизи гетерограниц тонких пленок кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063782620020219
Зайцева Э.Г.1, Наумова О.В.1, Фомин Б.И.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: zayceva@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 26 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

Предложен метод профилирования компонент эффективной подвижности носителей заряда μeff, определяемых рассеянием на поверхностных фононах и микрорельефе границ раздела тонкая пленка/диэлектрик. Метод основан на управляемой локализации носителей заряда относительно тестируемой гетерограницы за счет взаимосвязи потенциалов на противоположных сторонах пленки (coupling-эффекта). Предложенный метод позволяет независимо выделять компоненты подвижности вблизи разных гетерограниц пленок. Использование его при исследовании подвижности электронов в пленках кремний-на-изоляторе позволило получить информацию о шероховатости границы раздела и структурном совершенстве ультратонкого (1-3 нм) слоя кремния вблизи скрытой границы раздела пленка/диэлектрик. Ключевые слова: тонкие пленки, кремний-на-изоляторе, подвижность, гетерограница.
  1. J. Hartmann. Proc. 2014 IEEE Compound Semiconductor Integr. Circuit Symp. (CSICS) (La Jolla, USA, 2014) p. 5
  2. B. Doris, B. DeSalvo, K. Cheng, P. Morin, M. Vinet. Solid-State Electron., 117, 37 (2016)
  3. E. Jaberansary, T.M.B. Masaud, M.M. Milosevic, M. Nedeljkovic,  G.Z. Mashanovich, H.M.H. Chong. IEEE Photon. J., 5, 6601010 (2013)
  4. Y. Wang, M. Kong, Y. Xu, Z. Zhou. J. Optics, 20, 025801 (2018)
  5. O.V. Naumova, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, N.V. Dudchenko, S.F. Devyatova, E.D. Zhanaev, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Yu.D. Ivanov, A.I. Archakov. Semocond. Sci. Technol., 25, 055004 (2010)
  6. E. Dmitrienko, O. Naumova, B. Fomin, M. Kupryushkin, A. Volkova, N. Amirkhanov, D. Semenov, I. Pyshnaya, D. Pyshnyi. Nanomedicine, 11, 2073 (2016)
  7. К.Д. Щербачев, В.Т. Бублик, В.Н. Мордкович, Д.М. Пажин. ФТП, 45(6), 738 (2011)
  8. O.V. Naumova, E.V. Vohmina, T.A. Gavrilova, N.V. Dudchenko, D.V. Nikolaev, E.V. Spesivcev, V.P. Popov. Mater. Sci. Eng. B, 135 (3), 238 (2006)
  9. T. Rudenko, A. Nasarov, V. Kilchytska, D. Flandre. Solid-State Electron., 117, 66 (2016)
  10. M. Prunnila, J. Ahopelto, H. Sakaki. Phys. Status Solidi A, 202, 970 (2005)
  11. A.H. Tarakji. Phys. Status Solidi A, 215, 1700419 (2018)
  12. S. Takagi, A. Toriumi, M. Iwase, H. Tango. IEEE Trans. Electron Dev., 41, 2357 (1994)
  13. S. Kaya. Phys. Status Solidi B, 239, 110 (2003)
  14. О.В. Наумова, Э.Г. Зайцева, Б.И. Фомин, М.А. Ильницкий, В.П. Попов. ФТП, 49, 1316 (2015)
  15. G. Hamaide, F. Allibert, F. Andrieu, K. Romanjek, S. Cristoloveanu. Solid-State Electron., 57, 83 (2011)
  16. Э.Г. Зайцева, О.В. Наумова, Б.И. Фомин. ФТП, 51, 446 (2015)
  17. S. Cristoloveanu, N. Rodriguez, F. Gamiz. IEEE Trans. Electron Dev., 57, 1327 (2010)
  18. S. Cristoloveanu, T.V. Chandrasekhar Rao, Q.T. Nguyen, J. Antoszewski, H. Hovel, P. Getntil, L. Faraone. IEEE Trans. Electron Dev., 56, 474 (2009)
  19. C. Lombardi, S. Manzini, A. Saporito, M. Vanzi. IEEE Trans. Comput.-Aided Des. Integr. Circuits Syst., 7, 1164 (1988)
  20. M. Schmidt, M.C. Lemme, H.D.B. Gottlob, F. Driussi, L. Selmi, H. Kurz. Solid-State Electron., 53, 1246 (2009)
  21. J.A. Lopez-Villanueva, P. Cartujo-Cassinello, F. Gamiz, J. Banqueri, A.J. Palma. IEEE Trans. Electron Dev., 47, 141 (2000)
  22. T. Ohashi, T. Tanaka, T. Takahashi, S. Oda, K. Uchida. IEEE J. Electron Dev. Soc., 40, 278 (2016)
  23. K. Uchida, S. Takagi. Appl. Phys. Lett., 82, 2916 (2003)
  24. S. Eminente, S. Cristoloveanu, R. Clerc, A. Ohata, G. Ghibaudo. Solid-State Electron., 51, 239 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.