"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квантовые точки "ядро--оболочка" Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
Переводная версия: 10.1134/S1063782620020207
РФФИ, российско-вьетнамские научные исследдования, № 18-52-54002
Сресели О.М.1,2,3, Берт Н.А.1, Неведомский В.Н. 1, Лихачев А.И.1, Яссиевич И.Н.1, Ершов А.В. 4, Нежданов А.В.4, Машин А.И.4, Андреев Б.А.5, Яблонский А.Н.5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, 603950 Nizhny Novgorod, Russia
3Institute for Physics of Microstructures, RAS, 603087 Nizhny Novgorod, Russia
4Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: olga.sreseli@mail.ioffe.ru, nevedom@mail.ioffe.ru, ershov@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 24 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

Структуры с наночастицами (квантовыми точками) Ge/Si в матрице оксида алюминия интересны для исследователей благодаря сочетанию двух основных полупроводников, а также использованию матрицы с высокой диэлектрической проницаемостью и сильной связью кислорода с металлом. В работе изготовлены многослойные нанопериодические структуры в последовательности подложка/Al2O3/Ge/Si/Al2O3...Al2O3 (период --- Al2O3/Ge/Si, число периодов --- до 20), которые затем отжигались при разных температурах. Показано, что после отжига в структурах наблюдаются кристаллические частицы и Ge, и Si, размеры и количество которых определяются толщиной напыленных слоев и температурой отжига. Полученные различными оптическими методиками результаты свидетельствуют о квантово-размерном эффекте в структурах, что подтверждено микроскопией высокого разрешения. Ключевые слова: многослойные наноструктуры, квантовые точки ядро--оболочка, Ge/Si.
  1. L. Pavesi. Silicon Nanocrystals: Fundamentals, Synthesis and Applications, 2nd edn. (John Wiley \& Sons Ltd, 2010)
  2. D. Kovalev, H. Heckler, G. Polisski, F. Koch. Phys. Status Solidi B, 215, 871 (1999)
  3. I. Balberg. J. Appl. Phys., 110 (6), 061301 (2011)
  4. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34 (11), 1281 (2000)
  5. M. Buljan, S.R.C. Pinto, A.G. Rolo, J. Marti n-Sanchez, M.J.M. Gomes, J. Grenzer, A. Mucklich, S. Bernstorff, V. Holy. Phys. Rev. B, 82, 235407 (2010)
  6. Heqing Yanga, Ruili Yang, Xiuqin Wan, Wenliang Wan. J. Cryst. Growth, 261, 549 (2004)
  7. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев. УФН, 171 (7), 689 (2001)
  8. E.M.F. Vieira, J. Marti n-Sanchez, A. G. Rolo, A. Parisini, M. Buljan, I. Capan, E. Alves, N.P. Barradas, O. Conde, S. Bernstorff, A. Chahboun, S. Levichev, M.J.M. Gomes. J. Appl. Phys., 111, 104323 (2012)
  9. V.I. Klimov, S.A. Ivanov, J. Nanda, M. Achermann, I. Bezel, J.A. McGuire, A. Piryatinski. Nature, 447, 441 (2007)
  10. A.M. Mozharov, A.A. Vasiliev, A.D. Bolshakov, G.A. Sapunov, V.V. Fedorov, G.E. Cirlin, I.S. Mukhin. ФТП, 52 (4), 475 (2018)
  11. Yu.Ya. Gafner, S.L. Gafner, A.V. Nomoev, S.P. Bardakhanov. J. Metastable Nanocrystalline Mater., 30, 52 (2018)
  12. K. Sharma, P. Kumar, G. Verma. Appl. Phys. A, 125 (5), 351 (2019)
  13. L. Zhang, M. d'Avezac, Jun-Wei Luo, A. Zunger. Nano Lett., 12, 984 (2012)
  14. Chao Zhang, D.G. Kvashnin, L. Bourgeois, J.F.S. Fernando, K. Firestein, P.B. Sorokin, N. Fukata, D. Golberg. Nano Lett., 18 (11), 7238 (2018)
  15. M.O. Nestoklon, A.N. Poddubny, P. Voisin, K. Dohnalova. J. Phys. Chem. C, 120 (33), 18901 (2016)
  16. M. Buljan, N. Radic, J. Sancho-Paramon, V. Janicki, J. Grenzer, I. Bogdanovic-Radovic, Z. Siketic, M. Ivanda, A. Utrobivcic, R. Hubner, R. Weidauer, V. Valevs, J. Endres, T. Car, M. Jervcinovic, J. Rovsko, S. Bernstorff, V. Holy. Nanotechnology, 26 (6), 065602 (2015)
  17. N. Nekic, J. Sancho-Parramon, I. Bogdanovic-Radovic, J. Grenzer, R. Huebner, S. Bernstorff, M. Ivanda, M. Buljan. Nanophotonics, 6 (5), 1055 (2017)
  18. Yu.N. Novikov, V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, Appl. Phys. Lett., 94, 222904 (2009)
  19. M.-L. Wu, Y.-H. Wu, C.-C. Lin, L.-L. Chen. Appl. Phys. Lett., 101, 163503 (2012)
  20. Z.H. Lu, D.J. Lockwood, J.-M. Baribeau. Nature, 378, 258 (1995)
  21. M. Zacharias, J. Heitmann, R. Scholz, U. Kahler, M. Schmidt, J. Blasing. Appl. Phys. Lett., 80 (4), 661 (2002)
  22. T.Z. Lu, M. Alexe, R. Scholz, V. Talalaev, R.J. Zhang, M. Zacharias. J. Appl. Phys., 100, 014310 (2006)
  23. С.Ю. Турищев, В.А. Терехов, Д.А. Коюда, Д.Е. Спирин, Е.В. Паринова, Д.Н. Нестеров, Д.А. Грачев, И.А. Карабанова, А.В. Ершов, А.И. Машин, Э.П. Домашевская. ФТП, 49 (3), 421 (2015)
  24. А.В. Ершов, Д.А. Павлов, Д.А. Грачев, А.И. Бобров, И.А. Карабанова, И.А. Чугров, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 48, 44 (2014)
  25. A.F. Zatsepin, E.A. Buntov, D.A. Zatsepin, E.Z. Kurmaev, V.A. Pustovarov, A.V. Ershov, N.W. Johnson, A. Moewes. J. Phys.: Condens. Matter, 31, 415301 (2019)
  26. О.С. Ельцина, Д.А. Андроников, М.Ю. Семерухин, Д.А. Явсин, Ю.С. Вайнштейн, О.М. Сресели, С.А. Гуревич. ФТП, 47 (10), 1376 (2013)
  27. E.D. Palik. Handbook of Optical Constants of Solids (N.Y., Academic Press, 1985)
  28. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  29. M.I. Alonso, I.C. Marcus, M. Garriga, A.R. Goni, J. Jedrzejewski, I. Balberg. Phys. Rev. B, 82, 045302 (2010)
  30. L. Nataraj, Fan Xu, S.G. Cloutier. Opt. Express, 18 (7), 7085 (2010)
  31. J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, T. Sadoh. Thin Sol. Films, 520 (8), 3293 (2012)
  32. T. Deschaines, J. Hodkiewicz, P. Henson. Thermo Fischer Scientific. Application (Madison, WI, USA, 2017) note: 51735
  33. J.H. Parker, D.W. Feldman, M. Ashkin. Phys. Rev., 155, 712 (1967).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.