Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Лазерный GaAs-диод с волноводными квантовыми ямами InGaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782619160085 
The Ministry of Education and Science of the Russian Federation, Russian Federation President`s Scholarship for young scientists and graduate students engaged in advanced research and development in priority areas of the modernization of the Russian economy, СП-1302.2019.3
The Ministry of Education and Science of the Russian Federation, The project part of the state assignment
The foundation for the development of theoretical physics and mathematics, BAZIS
Дикарева Н.В.
1, Звонков Б.Н.
1, Самарцев И.В.1, Некоркин С.М.
1, Байдусь Н.В.
1, Дубинов А.А.
1,2
1Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 8 августа 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.
Представлены результаты исследования GaAs-лазера с волноводными квантовыми ямами InGaAs, работающего при комнатной температуре в режиме электрической накачки. Минимальный порог генерации составил 15 А. Получена устойчивая лазерная генерация на длине волны 1010 нм, при этом ширина диаграммы направленности излучения в плоскости, перпендикулярной слоям структуры, составила (10±2)o. Ключевые слова: GaAs, лазерный диод, волновод, квантовая яма, диаграмма направленности.
- В.Я. Алешкин, Н.В. Дикарева, А.А. Дубинов, Б.Н. Звонков, К.Е. Кудрявцев, С.М. Некоркин, А.В. Новиков, П.А. Юнин, Д.В. Юрасов. Письма ЖТФ, 41 (13), 72 (2015)
- В.Я. Алешкин, Н.В. Дикарева, А.А. Дубинов, Б.Н. Звонков, М.В. Карзанова, К.Е. Кудрявцев, С.М. Некоркин, А.Н. Яблонский. Квант. электрон., 43 (5), 401 (2013)
- Н.В. Дикарева, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов, Б.Н. Звонков, М.В. Карзанова, К.Е. Кудрявцев, С.М. Некоркин, А.Н. Яблонский. Полупроводниковые лазеры и системы на их основе. Сб. ст. 9-го Белорусско-Российского семинара (2013) с. 33
- С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Н.А. Пихтин, А.Ю. Лешко, А.В. Рожков, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 39 (8), 9 (2013)
- С.М. Некоркин, Б.Н. Звонков, М.В. Карзанова, Н.В. Дикарева, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов. Квант. электрон., 42 (10), 931 (2012)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
