Вышедшие номера
Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782619160115
Карлина Л.Б. 1, Власов А.С. 1, Шварц М.З.1, Сошников И.П.1,2, Смирнова И.П. 1, Комисаренко Ф.Э.3, Анкудинов А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: karlin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Впервые рассмотрена возможность использования латеральных наноструктур Ga(In)AsP, выращенных каталитическим методом в квазизамкнутом объеме из паров фосфора и индия на поверхности GaAs (100) в качестве антиотражающего покрытия для фотоэлектрических приборов. Показано, что при фиксированной температуре роста возможно управление морфологией поверхности путем изменения времени роста. Морфологию поверхности исследовали методами растровой электронной и атомно-силовой микроскопии. Показана связь структуры поверхности с ее антиотражательными свойствами в диапазоне 400-800 нм. Использование данного покрытия в фотоэлементах на основе GaAs показало существенное увеличение внешнего квантового выхода фотопреобразователей. Ключевые слова: наноструктуры, каталитический рост, Ga(In)AsP, антиотражающее покрытие.