Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs

DOI: 10.21883/FTP.2019.12.48632.9218

Переводная версия: 10.1134/S1063782619160115

Карлина Л.Б. ¹, Власов А.С. ¹, Шварц М.З.¹, Сошников И.П.^1,2, Смирнова И.П. ¹, Комисаренко Ф.Э.³, Анкудинов А.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

Email: karlin@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 23 июля 2019 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые рассмотрена возможность использования латеральных наноструктур Ga(In)AsP, выращенных каталитическим методом в квазизамкнутом объеме из паров фосфора и индия на поверхности GaAs (100) в качестве антиотражающего покрытия для фотоэлектрических приборов. Показано, что при фиксированной температуре роста возможно управление морфологией поверхности путем изменения времени роста. Морфологию поверхности исследовали методами растровой электронной и атомно-силовой микроскопии. Показана связь структуры поверхности с ее антиотражательными свойствами в диапазоне 400-800 нм. Использование данного покрытия в фотоэлементах на основе GaAs показало существенное увеличение внешнего квантового выхода фотопреобразователей. Ключевые слова: наноструктуры, каталитический рост, Ga(In)AsP, антиотражающее покрытие.

Progress in Advanced Structural and Functional Materials Design, ed. by T. Kakeshita (Springer, 2013)
A. Bahrami, S. Mohammadnejad, N.J. Abkenar, S. Soleimaninezhad. Int. J. Renew. Energy Res., 1, 79 (2013)
M.K. Hedayati, M. Elbahri. Materials, 9, 497 (2016)
Y-J. Lee, D.S. Ruby, D.W. Peters, B.B. McKenzie, W.P. Hsu. Nano Lett., 8 (5), 1501 (2008)
S. Chattopadhyay, Y.F. Huang, Y.J. Jen, A. Ganguly, K.H. Chen, L.C. Chen. Mater. Sci. Engin. Rep., 69, 1 (2010)
J.W. Leem, J.S. Yu, Y.M. Song, Y.T. Lee. Solar Energy Mater. Solar Cells, 95, 669 (2011)
S.L. Diedenhofen, G. Vecchi, R.E. Algra, A. Hartsuiker, O.L. Muskens, G. Immink, E.P.A.M. Bakkers, W.L. Vos, J.G. Rivas. Adv. Mater., 21, 973 (2009)
Л.Б. Карлина, А.С. Власов, И.П. Сошников, И.П. Смирнова, Б.Я. Бер, А.Б. Смирнов. ФТП, 52 (10), 1244 (2018)
L.B. Karlina, A.S. Vlasov, B.Y. Ber, D.Y. Kazantsev. J. Cryst. Growth, 432, 1338 (2015)
M.Z. Shvarts, A.E. Chalov, E.A. Ionova, V.R. Larionov, D.A. Malevskiy, V.D. Rumyantsev, S.S. Titkov. Proc. 20th EUPVSEC (Barcelona, 2005) p. 278

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель