Вышедшие номера
Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs
Переводная версия: 10.1134/S1063782619160140
РФФИ, 16-12-10106
Лебедев А.А.1, Левинштейн М.Е.1, Иванов П.А.1, Козловский В.В.2, Стрельчук А.М.1, Шабунина Е.И.1, Fursin L.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3United Silicon Carbide, Inc., Suite E Monmouth Junction, NJ, USA
Email: melev@nimis.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

В диапазоне частот 1 Гц-50 кГц исследован низкочастотный шум в мощных 4H-SiC MOSFETs, подвергнутых облучению протонами с энергией 15 МэВ в диапазоне доз Phi 1012-6· 1013-2. Частотная зависимость спектральной плотности шума с хорошей точностью следует зависимости SI propto 1/f. Прослежена корреляция между величиной тока насыщения выходной характеристики Id(Vd) и уровнем низкочастотного шума. В диапазоне доз 1012≤Phi≤ 6· 1013 см-2 значение тока насыщения изменяется в пределах ~20%, в то время как уровень шума меняется на 2 порядка. Из данных шумовой спектроскопии оценена плотность ловушек в подзатворном окисле Ntv. В необлученных структурах Ntv~ 5.4· 1018-3·эВ-1. При Phi=6·1013-2 величина Ntv возрастает до значения Ntv~ 7.2· 1019-3·эВ-1. Ключевые слова: SiC MOSFETs, протонное облучение, низкочастотный шум.