Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs

DOI: 10.21883/FTP.2019.12.48610.9219

Переводная версия: 10.1134/S1063782619160140

РФФИ, 16-12-10106

Лебедев А.А.¹, Левинштейн М.Е.¹, Иванов П.А.¹, Козловский В.В.², Стрельчук А.М.¹, Шабунина Е.И.¹, Fursin L.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

³United Silicon Carbide, Inc., Suite E Monmouth Junction, NJ, USA

United Silicon Carbide, Inc., Suite E Monmouth Junction, USA

Email: melev@nimis.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 23 июля 2019 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В диапазоне частот 1 Гц-50 кГц исследован низкочастотный шум в мощных 4H-SiC MOSFETs, подвергнутых облучению протонами с энергией 15 МэВ в диапазоне доз Phi 10¹²-6· 10¹³ cм^-2. Частотная зависимость спектральной плотности шума с хорошей точностью следует зависимости S_I propto 1/f. Прослежена корреляция между величиной тока насыщения выходной характеристики I_d(V_d) и уровнем низкочастотного шума. В диапазоне доз 10¹²≤Phi≤ 6· 10¹³ см^-2 значение тока насыщения изменяется в пределах ~20%, в то время как уровень шума меняется на 2 порядка. Из данных шумовой спектроскопии оценена плотность ловушек в подзатворном окисле N_tv. В необлученных структурах N_tv~ 5.4· 10¹⁸ cм^-3·эВ^-1. При Phi=6·10¹³ cм^-2 величина N_tv возрастает до значения N_tv~ 7.2· 10¹⁹ cм^-3·эВ^-1. Ключевые слова: SiC MOSFETs, протонное облучение, низкочастотный шум.

T. Ohshima, T. Yokoseki, K. Murata, T. Matsuda, S. Mitomo et al. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 01AD01 (2016)
M. Masunaga, S. Sato, R. Kuwana, I. Hara, A. Shima. Mater. Sci. Forum, 924, 984 (2018)
K. Murata et al. Phys. Status Solidi A, 214, 1600446 (2017)
A. Takeyama et al. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 104101 (2016)
V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, E.V. Bogdanova. J. Appl. Phys., 117, 155702 (2015)
S. Popelka, P. Hazdra. Mater. Sci. Forum, 858, 856 (2016)
В.В. Козловский, А.А. Лебедев, В.Н. Ломасов, Е.В. Богданова, Н.В. Середова. ФТП, 48, 1033 (2014)
M. Florentin, M. Alexandru, A. Constant, B. Schmidt, P. Godignon. Mater. Sci. Forum, 806, 121 (2015)
M. Alexandru, M. Florentin, A. Constant, B. Schmidt, P. Michel, P. Godignon. IEEE Trans. Nucl. Sci., 61, 1732 (2014)
P. Valizadeh. Field Effect Transistors, A Comprehensive Overview: From Basic Concepts to Novel Technologies (N.Y., Wiley, 2016)
A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk. J. Appl. Phys., 88, 6285 (2000)
A.A. Lebedev, V.V. Kozlovski, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, A.M. Strel'chuk, A.V. Zubov, L. Fursin. Semicond. Sci. Technol., 34, 045004 (2019)
S.L. Rumyantsev, M.S. Shur, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, A.K. Agarwal, B.A. Hull, Sei-Hyung Ryu. Semicond. Sci. Technol., 24, 075011 (2009)
Z. Celik-Butler. IEE Proc. Circuits, Dev. Syst., 149, 23 (2002)
M. Haartman, M. Ostling. Low-Frequency Noise in Advanced MOS Devices. In: Analog Circuits and Signal Processing (Springer, 2007)
Si Mengwei, N.J. Conrad, S. Sanghoon, Gu Jiangjiang, Zhang Jingyun, M.A. Alam, P.D. Ye. IEEE Trans. Electron Dev., 62, 3508 (2015)
V. Passi, J.P. Raskin. Semicond. Sci. Technol., 32, 123004 (2017)
S.L. Rumyantsev, M.S. Shur, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, M.K. Das, B.A. Hull. J. Appl. Phys., 104, 094505 (2008)
S.L. Rumyantsev, M.S. Shur, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, A.K. Agarwal, S. Dhar. Semicond. Sci. Technol., 26, 085015 (2011)
X.Zh. Cher, Sh. Xiao, X.Zh. En, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, S.A. Francis, T. Roy, S. Dhar, Ryu Sei-Hyung, S.T. Pantelides. IEEE Trans. Electron Dev., 60, 2361 (2013)
J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Matter (N.Y., Pergamon Press, 1985)
A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85, 3780 (2004)
H. Kaneko, T. Kimoto. Appl. Phys. Lett., 98, 262106 (2011)
M. Shur. Physics of semiconductor devices (Prentice Hall, Englewood Cliffs, New Jersey, 1990)
M. Rahal, M. Lee, A.P. Burdett. IEEE Trans. Electron Dev., 49, 319 (2002)
D. Rigaud, M. Valenza, J. Rhayem. IEE Proc. --- Circuits, Dev. Syst., 149, 75 (2002)
A.L. McWhorter. Proc. Conf. on the Phys. Semicond. Surfaces (Philadelphia, 1956)
R. Jayaraman, C.G. Sodini. IEEE Trans. Electron Dev., 36, 1773 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель