Изучен процесс рекомбинации носителей через мелкие примесные центры бора в легированном умеренно компенсированном кремнии. Основное внимание было уделено теоретическому объяснению "эмпирических" температурных зависимостей времени жизни tau(T) носителей в интервале температур (1.7-4.2) K при концентрациях легирующей примеси n_B≥10¹⁴ см^-3 с компенсацией ≤10% (n_d+n_a≤10¹³ см^-3). Довольно точно удалось установить, что мелкий возбужденный уровень с энергией связи 5 мэВ (3s-состояние) является квазирезонансным. Получены приближенные формулы для коэффициента захвата. Изучается влияние "слабого" магнитного поля (10-100) Гс на величину коэффициента захвата; при этом показано, что "слабое" магнитного поле слегка уменьшает время жизни носителей, тем самым стимулируя процесс их рекомбинации. При значениях полей порядка 100 Гс и концентрации n_B≥10¹⁴ см^-3 время жизни неравновесных носителей уменьшается в ~100 раз. Это означает, что после создания неравновесных носителей заряда путем фотовозбуждения, проводимость в полупроводнике довольно быстро спадает при наличии "слабого" магнитного поля. Данный эффект может быть использован, например, для регистрации крайне слабого "магнитного фона". Ключевые слова: маршруты рекомбинации, резонансный уровень, коэффициент захвата, время жизни, фотопроводимость, классические "слабое" и "сильное" магнитные поля.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.