Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Об особенностях примесного энергетического спектра арсенидов

DOI: 10.21883/FTP.2019.12.48612.9126

Переводная версия: 10.1134/S1063782619160103

Камилов И.К.¹, Даунов М.И.¹, Гаджиев Г.М.¹, Арсланов Р.К.¹

¹Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Email: hadzhygm@mail.ru

Поступила в редакцию: 2 апреля 2019 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

По результатам количественного анализа барических и температурных зависимостей кинетических коэффициентов исследован примесный электронный спектр нелегированных объемных кристаллов n-типа арсенидов GaAs, InAs, CdSnAs₂, CdGeAs₂ и CdTe, ZnO. Выяснено, что в вышеперечисленных полупроводниках собственному дефекту вакансии в анионной подрешетке соответствует глубокий донорный центр. Вывод о природе донорного центра - вакансии в анионной подрешетке - основан на том, что в отличие от мелких примесных центров, которые следят при всестороннем давлении за собственной зоной, с которой они генетически связаны, энергия глубоких примесных центров относительно абсолютного вакуума остается постоянной при изотропном сжатии кристаллической решетки. Поэтому представляется плодотворным исследование эволюции энергетического спектра носителей заряда в полупроводниках в условиях всестороннего давления. Определены положения уровней энергии относительно края зоны проводимости и коэффициенты давления энергетических зазоров между ними и соответствующим дном зоны проводимости. Наблюдается смещение уровня энергии глубокого донорного центра с уменьшением ширины запрещенной зоны в глубь зоны проводимости. Ключевые слова: глубокие уровни, гидростатическое давление, зона Бриллюэна, арсениды, барический коэффициент.

О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и IV группы (М., Мир, 1967)
В.Д. Прочухан. Матер. VI Зимней школы по физике полупроводников (Л., 1974) с. 280
В.Н. Брудный. Изв. вузов, 39 (8), 84 (1986)
М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. ФТП, 35 (1), 58 (2001)
M.I. Daunov, I.K. Kamilov, A.B. Magomedov, S.F. Gabibov. Phys. Status Solidi, 235 (6), 297 (2003)
М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. ФТТ, 46 (10), 1766 (2004)
И.К. Камилов, С.Ф. Габибов, М.И. Даунов, А.Ю. Моллаев. ФТП, 45 (12), 1604 (2011)
W. Paul. Proc. 9th. Int. Conf. Semicond. (Moscow, 1968) v. 1, p. 51
V.A. Telejkin, K.B. Tolpigo. Semiconductors, 16, 1337 (1982)
In-Hwan. Chor, Y. Yu. Peter. Phys. Status Solidi B, 211, 143 (1999)
М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, В.И. Данилов. УФЖ, 37, 103 (1992)
М.И. Даунов, И.К. Камилов, А.Б. Магомедов, А.Ш. Киракосян. ФТП, 33, 36 (1999)
М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, В.И. Данилов. ФТП, 25, 467 (1991)
М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. Докл. АН, 419 (1), 35 (2008)
Б.М. Аскеров. Кинетические эффекты в полупроводниках (Л., Наука, 1970) с. 303
А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Л.А. Сайпулаева, С.Ф. Габибов, С.Ф. Маренкин. ФТВД, 11 (4), 61 (2001)
S.Das. Sarma, A. Madhukar. Sol. St. Commun., 38 (3), 183 (1981)
А. Матуленес, Ю. Пожела, Е. Шимулите, В. Юцене. Преобразователи давления на основе варизонных кристаллов (В кн.: Полупроводниковые преобразователи, под ред. Ю. Пожелы) (Вильнюс, Мокслас, 1980) с. 141
G.D. Pitt, J. Lees. Phys. Rev. B, 2 (10), 4144 (1970)
Н.А. Горюнова, Ю.А. Валов. Полупроводники A²B⁴C⁵₂ (М., Сов. радио, 1974) с. 376
М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, А.Э. Рамазанова. Изв. вузов. Физика, 8, 98 (1986)
Г.Ф. Караваев, Г.З. Кривайте, Ю.И. Полыгалов, В.А. Чалдышев, А.Ю. Шилейка. ФТП, 6, 2211 (1972)
Ю.И Полыгалов, А.С. Поплавной. Изв. вузов. Физика, 12, 78 (1981)
A.Yu. Mollaev, I.K. Kamilov, M.I. Daunov, R.K. Arslanov, A.B. Magomedov, L.A. Saypulaeva, S.F. Gabibov. High Pressure Research, 26 (4), 445 (2006)
М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, А.Э. Рамазанова. ФТП, 19 (5), 936 (1985)
L. Konczewicz, S. Porowski, I.K. Polushina. High Temperature-High Pressure, 7 (6), 716 (1975)
M K.R. Vyas, G.D. Pitt. J. Phys. C: Solid State Phys., 7, 423 (1974)
R. Bendorius, V.D. Prochukhan, A. Sileika. Phys. Status Solidi B, 53, 745 (1972)
М.И. Даунов, А.С. Ковалев, А.Ю. Моллаев, А.Б. Магомедов. ФТП. 45, (1), 44 (2011)
М.И. Даунов, Р.К. Арсланов, М.М. Гаджиалиев, Е.В. Кортунова, П.П. Хохлачев, П.П. Шванский. ФТП, 40 (11), 1289 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель