По результатам количественного анализа барических и температурных зависимостей кинетических коэффициентов исследован примесный электронный спектр нелегированных объемных кристаллов n-типа арсенидов GaAs, InAs, CdSnAs₂, CdGeAs₂ и CdTe, ZnO. Выяснено, что в вышеперечисленных полупроводниках собственному дефекту вакансии в анионной подрешетке соответствует глубокий донорный центр. Вывод о природе донорного центра - вакансии в анионной подрешетке - основан на том, что в отличие от мелких примесных центров, которые следят при всестороннем давлении за собственной зоной, с которой они генетически связаны, энергия глубоких примесных центров относительно абсолютного вакуума остается постоянной при изотропном сжатии кристаллической решетки. Поэтому представляется плодотворным исследование эволюции энергетического спектра носителей заряда в полупроводниках в условиях всестороннего давления. Определены положения уровней энергии относительно края зоны проводимости и коэффициенты давления энергетических зазоров между ними и соответствующим дном зоны проводимости. Наблюдается смещение уровня энергии глубокого донорного центра с уменьшением ширины запрещенной зоны в глубь зоны проводимости. Ключевые слова: глубокие уровни, гидростатическое давление, зона Бриллюэна, арсениды, барический коэффициент.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.