Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Высокоомный антимонид галлия, полученный методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

DOI: 10.21883/FTP.2019.12.48609.9208

Переводная версия: 10.1134/S1063782619160152

Левин Р.В.¹, Власов А.С. ¹, Смирнов А.Н.

¹, Пушный Б.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru, vlasov@scell.ioffe.ru, alex.smirnov@mail.ioffe.ru, pushnyi@vpegroup.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 10 июля 2019 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследований преднамеренно не легированных эпитаксиальных слоев p-GaSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при соотношении TMSb/TEGa от 1 до 50. При соотношении TMSb/TEGa=50 были изготовлены эпитаксиальные слои GaSb с удельным электрическим сопротивлением 400 Ом·см. Показано, что кристаллическое качество таких слоев, которое оценивалось несколькими методами, оставалось соизмеримым с качеством подложек (n-GaSb) используемых для роста преднамеренно не легированных слоев GaSb. Ключевые слова: газофазная эпитаксия, подложка, высокоомный антимонид галлия, кристаллическое качество.

P.S. Dutta, H.L. Bhat, V. Kumar. J. Appl. Phys., 81, 5821 (1997)
А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, И.Н. Тимченко, З.И. Чугуева, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 23 (5), 780 (1989)
P.S. Dutta, V. Prasad, H.L. Bhat. J. Appl. Phys., 80 (5), 2847 (1996)
A. Bignazzi, E. Grilli, M. Guzzi, M. Radice, A. Bosacchi, S. Franchi, R. Magnanini. J. Cryst. Growth, 169, 450 (1996)
P.S. Dutta, A.G. Ostrogorsky. J. Cryst. Growth, 197, 749 (1999)
A.S. Vlasov, E.P. Rakova, V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, V.S. Kalinovsky, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 94, 1113 (2010)
M. Hakala, M.J. Puska, R.M. Nieminen. J. Appl. Phys., 91, 4988 (2002)
C. Raisin, A. Rocher, G. Landa, R. Carles, L. Lassabatere. Appl. Surf. Sci., 50, 434 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель