"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение концентрации свободных носителей заряда в легированных бором кремниевых нанонитях при помощи инфракрасной спектроскопии в режиме нарушенного полного внутреннего отражения
Переводная версия: 10.1134/S1063782619110113
Министерство образования и науки Российской Федерации, 16.2969.2017/4.6
Липкова Е.А.1, Ефимова А.И. 1, Гончар К.А. 1, Преснов Д.Е. 2,1, Елисеев А.А. 3, Лапшин А.Н.4, Тимошенко В.Ю. 1,5,6
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (НИИЯФ им. Д.В. Скобельцина), Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах), Москва, Россия
4ООО "Брукер", Москва, Россия
5Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
6Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: lipkovaliza@gmail.com, efimova@vega.phys.msu.ru, k.a.gonchar@gmail.com, denis.presnov@physics.msu.ru, eliseev@inorg.chem.msu.ru, alexander.lapshin@bruker.com, vtimoshe@gmail.com
Поступила в редакцию: 13 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

Методом инфракрасной спектроскопии в режиме нарушенного полного внутреннего отражения определена концентрация свободных носителей заряда в массивах кремниевых нанонитей с характерными поперечными размерами 50-100 нм и длиной ~10 мкм, сформированных на низколегированных подложках кристаллического кремния p-типа проводимости методом металл-стимулированного химического травления и подвергнутых дополнительному термодиффузионному легированию бором при температурах 850-1000oС. Установлено, что в зависимости от температуры отжига концентрация свободных дырок в массивах варьируется от 5·1018 до 3·1019 см-3 и максимальна при температурах 900-950oC. Полученные результаты могут быть использованы для расширения области применения кремниевых нанонитей в фотонике, сенсорике и термоэлектрических преобразователях энергии. Ключевые слова: легированные кремниевые нанонити, спектроскопия нарушенного полного отражения, свободные носители заряда, металлстимулированное химическое травление.
  1. A.S. Kalyuzhnaya, A.I. Efimova, L.A. Golovan, K.A. Gonchar, V.Yu. Timoshenko. In: Silicon Nanomaterials Soursebook. Arrays, Functional Materials, and Industrial Nanosilicon, ed. by K.D. Sattler (CRC Press-Taylor \& Francis Group, 2017) p. 3
  2. E. Krali, Z.A.K. Durrani. Appl. Phys. Lett., 102, 143102 (2013).
  3. H. Zhang, R. Zhang, K.S. Schramke, N.M. Bedford, K. Hunter, U.R. Kortshagen, P. Nordlander. ACS Photonics, 4 (4), 963 (2017)
  4. К.С. Секербаев, Е.Т. Таурбаев, А.И. Ефимова, В.Ю. Тимошенко, Т.И. Таурбаев. ФТП, 51 (8), 1095 (2017)
  5. H. Han, Z. Huang, W. Lee. Nano Today, 9, 271 (2014)
  6. S. Weidemann, M. Kockert, D. Wallacher, M. Ramsteiner, A. Mogilatenko, K. Rademann, S.F. Fischer. J. Nanomaterials, 2015, 672305 (2015)
  7. A.I. Hochbaum, R. Chen, R.D. Delgado, W. Liang, E.C. Garnett, M. Najarian, A. Majumdar, P. Yang. Nature Lett., 451, 163 (2008)
  8. S.P. Rodichkina, T. Nychyporuk, A. Pastushenko, V.Yu. Timoshenko. Phys. Status Solidi RRL, 12 (9), 1800224 (2018)
  9. Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. УФН, 177 (6), 619 (2007)
  10. Л.А. Осминкина, Е.В. Курепина, А.В. Павликов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 38 (5), 603 (2004)
  11. F.M.Jr. Mirabella. Appl. Spectrosc. Rev., 21 (1-2), 45 (1985)
  12. M. Toriumi, M. Yanagimachi, H. Masuhara. Appl. Optics, 31 (30), 6376 (1992).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.