"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Высоковольтные светодиодные кристаллы AlInGaN
Переводная версия: 10.1134/S1063782619110125
Марков Л.К.1, Кукушкин М.В.1, Павлюченко А.С.1, Смирнова И.П.1, Иткинсон Г.В.2, Осипов О.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ЗАО Инновационная фирма "ИРСЭТ-Центр", Санкт-Петербург, Россия
Email: l.markov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

Разработан и изготовлен высоковольтный светодиодный кристалл флип-чип конструкции на основе гетероструктуры AlInGaN, состоящий из 16 последовательно соединенных элементов, каждый из которых представляет собой стандартный светоизлучающий диод. При общей площади 1.25x1.25 мм кристалл рассчитан на рабочий ток 20 мА, падение напряжения на рабочем токе составляет 48 В. Для повышения однородности распределения тока по активной области элементов кристалла, а также минимизации потерь площади элементов, занятой n-контактом, n-контактные площадки в них размещены внутри области p-контакта благодаря двухуровневой схеме расположения металлизации с промежуточным изолирующим слоем диэлектрика. Топология расположения контактных площадок разрабатывалась с привлечением численного моделирования. Повышение квантового выхода кристалла обеспечивается применением комбинаций металлов с высоким коэффициентом отражения света на длине волны излучения светодиода, используемых при создании n- и p-контактов, а также токопроводящих полос. Ключевые слова: светоизлучающий диод, светоизлучающий кристалл, флип-чип конструкция, высоковольтный кристалл, нитрид галлия.
  1. O.B. Shchekin, J.E. Epler, T.A. Trottier, T. Margalith, D.A. Steigerwald, M.O. Holcomb, P.S. Martin, M.R. Krames. Appl. Phys. Lett., 89, 071109 (2006)
  2. J. Lv, C. Zheng, Q. Chen, S. Zhou, S. Liu. Phys. Status Solidi, 213, 3150 (2016)
  3. Y.J. Lee, J.M. Hwang, T.C. Hsu, M.H. Hsieh, M.J. Jou, B.J. Lee, T.C. Lu, H.C. Kuo, S.C. Wang. IEEE Phot. Technol. Lett., 18, 1152 (2006)
  4. S.-M. Jeong, S. Kissinger, D.-W. Kim, S. Jae Lee, J.-S. Kim, H.-K. Ahn, C.-R. Lee. J. Cryst. Growth, 312, 258 (2010)
  5. C.H. Chiu, P.C. Yu, C.H. Chang, C.S. Yang, M.H. Hsu, H.C. Kuo, M.A. Tsai. Opt. Express, 17, 21250 (2009)
  6. J.K. Kim, T. Gessmann, E.F. Schubert, J.-Q. Xi, H. Luo, J. Cho, C. Sone, Y. Park. Appl. Phys. Lett., 88, 013501 (2006)
  7. Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, Е.М. Аракчеева, М.М. Кулагина. ФТП, 43, 1564 (2009)
  8. J.J. Wierer, D.A. Steigerwald, M.R. Krames, J.J. O'Shea, M.J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P.S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N.F. Gardner, R.S. Kern, S.A. Stockman. Appl. Phys. Lett., 78, 3379 (2001)
  9. D.A. Zakheim, I.P. Smirnova, E.M. Arakcheeva, M.M. Kulagina, S.A. Gurevich, I.V. Rozhansky, V.W. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Sakharov, A.V. Fomin, A.L. Zakheim, E.D. Vasil'eva, G.V. Itkinson. Phys. Status Solidi, 1, 2401 (2004)
  10. S.J. Chang, C.S. Chang, Y.K. Su, C.T. Lee, W.S. Chen, C.F. Shen, Y.P. Hsu, S.C. Shei, H.M. Lo. IEEE Trans. Adv. Packag., 28, 273 (2005)
  11. W.S. Wong, T. Sands, N.W. Cheung, M. Kneissl, D.P. Bour, P. Mei, L.T. Romano, N.M. Johnson. Appl. Phys. Lett., 77, 2822 (2000)
  12. J.-S. Ha, S.W. Lee, H.-J. Lee, H.-J. Lee, S.H. Lee, H. Goto, T. Kato, K. Fujii, M.W. Cho, T. Yao. IEEE Phot. Technol. Lett., 20, 175 (2008)
  13. Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, М.В. Кукушкин, Е.Д. Васильева, А.Е. Черняков, А.С. Усиков. ФТП, 47, 386 (2013)
  14. R. Jaschke, K.F. Hoffmann. PCIM Europe (Nuremberg, Germany, 2016) p. 1300
  15. T. Zhan, Y. Zhang, J. Li, J. Ma, Z. Liu, X. Yi, G. Wang, J. Li. J. Semiconductors, 34, 094010 (2013)
  16. Y.-C. Chiang, B.-C. Lin, K.-J. Chen, S.-H. Chiu, C.-C. Lin, P.-T. Lee, M.- H. Shih, H.-C. Kuo. Int. J. Photoenergy, 2014, 1 (2014)
  17. M. Donofrio, J. Ibbetson, Z.J. Yao. Patent US 8 368 100 B2 (Feb. 5, 2013)
  18. D.A. Zakheim, G.V. Itkinson, M.V. Kukushkin, L.K. Markov, O.V. Osipov, A.S. Pavluchenko, I.P. Smirnova, D.A. Bauman. Phys. Status Solidi, 12, 381 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.