"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Связь релаксации собственного стимулированного пикосекундного излучения GaAs с характерным временем остывания носителей заряда
Переводная версия: 10.1134/S1063782619110022
Агеева Н.Н. 1, Броневой И.Л. 1, Забегаев Д.Н. 1, Кривоносов А.Н. 1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Email: ann@cplire.ru, bil@cplire.ru, kan@cplire.ru
Поступила в редакцию: 18 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

Во время мощной пикосекундной оптической накачки тонкого (~1 мкм) слоя GaAs в нем возникает интенсивное (до 1 ГВт/см2) стимулированное пикосекундное излучение. Обнаружено, что при фиксированной плотности энергии импульса накачки с увеличением его диаметра растет характерное пикосекундное время релаксации излучения и плотности носителей taur. Вследствие взаимосвязи плотности и температуры носителей при высокоинтенсивном излучении (в состоянии насыщения усиления излучения) taur связано с характерным временем релаксации температуры фотонакачанных носителей tauT, определенным ранее теоретически с учетом разогрева носителей излучением. Следующее из этого аналитическое выражение для taur как функции tauT согласуется с вышеуказанными экспериментальными результатами. Ключевые слова: релаксация стимулированного излучения, пикосекундное, остывание носителей заряда.
  1. И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 32, 542 (1998)
  2. Ю.Д. Калафати, В.А. Кокин. ЖЭТФ, 99, 1793 (1991)
  3. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ЖЭТФ, 143, 634 (2013)
  4. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков, С.В. Стеганцов. ФТП, 36, 144 (2002)
  5. N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, E.G. Dyadyushkin, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel'. Sol. St. Commun., 72, 625 (1989)
  6. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Е.Г. Дядюшкин, Б.С. Явич. Письма ЖЭТФ, 48, 252 (1988)
  7. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 35, 65 (2001)
  8. Х.-Г. Унгер. Планарные и волоконные оптические волноводы (М., Мир, 1980)
  9. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ЖЭТФ, 144, 227 (2013)
  10. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. Радиотехника и электроника, 63, 1130 (2018)
  11. И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 32, 537 (1998)
  12. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. Журн. радиоэлектроники, 11, 1 (2018). http://jre.cplire.ru/jre/nov18/13/text.pdf
  13. J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
  14. М. Грундман. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2012)
  15. N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, S.E. Kumekov, V.A. Mironov, V.I. Perel'. [In: Mode-Locked Lasers and Ultrafast Phenomena, ed. by G.B. Altshuler] Proc. SPIE, 1842, 70 (1992)
  16. И.Л. Броневой, С.Е. Кумеков, В.И. Перель. Письма ЖЭТФ, 43, 368 (1986)
  17. С.Е. Кумеков, В.И. Перель. ЖЭТФ, 94, 346 (1988)
  18. N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel'. Sol. St. Commun., 81, 969 (1992)
  19. N.N. Ageeva, V.B. Borisov, I.L. Bronevoi, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel', B.S. Yavich. Sol. St. Commun., 75, 167 (1990)
  20. J. Shah, R.F. Leheny, C. Lin. Sol. St. Commun., 18, 1035 (1976)
  21. S. Tarucha, H. Kobayashi, Y. Horikoshi, H. Okamoto. Jpn. J. Appl. Phys., 23, 874 (1984)
  22. Т. Райс, Дж. Хенсел, Т. Филлипс, Г. Томас. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках (М., Мир, 1980)
  23. Теория неоднородного электронного газа, под. ред. С. Лундквиста, Н. Марча (М., Мир, 1987)
  24. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 51, 594 (2017)
  25. D. Olego, M. Cardona. Phys. Rev. B, 22, 886 (1980)
  26. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ЖЭТФ, 147, 765 (2015)
  27. K.V. Ivanin, A.V. Leontyev, V.S. Lobkov, V.V. Samartsev. Laser Phys. Lett., 7 (8), 583 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.