"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квантовые поправки и магнитотранспорт в пленках 3D дираковского полуметалла Cd3-xMnxAs2
Переводная версия: 10.1134/S1063782619110137
Российский научный фонд, 17-12-01345
Президиум РАН, Научные основы создания новых функциональных материалов, I.35
Мехия А.Б. 1, Казаков А.А.1, Овешников Л.Н. 2,1, Давыдов А.Б. 1, Риль А.И.3, Маренкин С.Ф. 3,4, Аронзон Б.А. 1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
4Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: a_mehia@mail.ru, ragnos@list.ru, Aronzon@mail.ru
Поступила в редакцию: 23 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

Исследовались тонкие пленки твердых растворов на основе трехмерного дираковского полуметалла Cd3As2 с добавлением марганца. Пленки Cd3-xMnxAs2 (x=0, 0.05 и 0.1) толщиной 50-70 нм были получены на ситалловых подложках с помощью вакуумно-термического напыления из слитков арсенида кадмия, допированных Mn и изготовленных непосредственным сплавлением элементов вакуумно-ампульным методом. Были проведены измерения температурных и магнетополевых зависимостей сопротивления и определены транспортные параметры исследуемых пленок. В пленках с x=0 и 0.05 наблюдалось положительное магнетосопротивление характерной формы, соответствующее вкладу эффекта слабой антилокализации. При большем содержании Mn (x=0.1) наблюдался вклад от эффекта слабой локализации. Подобная смена типа квантовой поправки, применительно к топологическим полуметаллам, указывает на перестройку зонной структуры и переход из состояния дираковского полуметалла в фазу тривиального полупроводника, который в данном случае соответствует критическому содержанию Mn xc~0.07. Ключевые слова: ситаловые подложки, вакуумно-термическое напыление, антилокализация.
  1. N.P. Armitage, E.J. Mele, A. Vishwanath. Rev. Mod. Phys., 90 (1), 015001 (2018)
  2. S. Borisenko, Q. Gibson, D. Evtushinsky, V. Zabolotnyy, B. Buechner, R.J. Cava. Phys. Rev. Lett., 113 (2), 027603 (2014)
  3. Z.K. Liu, J. Jiang, B. Zhou, Z.J. Wang, Y. Zhang. Nature Materials, 13, 677 (2014)
  4. A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys., 81 (1), 1209 (2009)
  5. Zh. Wang, H. Weng, Q. Wu, X. Dai, Zh. Fang. Phys. Rev. B, 88 (12), 125427 (2013)
  6. Siangan Wang, Ari M. Turner, A. Viswanath, S.Y. Savrasov. Phys. Rev. B, 83 (20), 205101 (2011)
  7. M. Neupane, Sui-Yang Xu, R. Sankar, N. Alidoust, G. Bian, Ch. Liu, I. Belopolski, T.-T. Cjang, H.-T. Jeng, H. Lin, A. Bansik, F. Chou, M.Z. Hasan. Nature Commun., 5, 3786 (2014)
  8. Z. Wang, H. Weng, Q. Wu, X. Dai, Z. Fang. Phys. Rev. B, 88, 125427 (2013)
  9. O.O. Shvetsov, V.D. Esin, A.V. Timonina, N.N. Kolesnikov, E.V. Deviatov. Phys. Rev. B,  99, 125305 (2019)
  10. A.V. Suslov, A.B. Davydov, L.N. Oveshnikov, L.A. Morgun, K.I. Kugel, V.S. Zakhvalinskii, E.A. Pilyuk, A.V. Kochura, A.P. Kuzmenko, V.M. Pudalov, B.A. Aronzon. Phys. Rev. B,  99, 094512 (2019)
  11. E. Zhang, Y. Liu, W. Wang, C. Zhang, P. Zhou, Z.-G. Chen, J. Zou, F. Xiu. ACS Nano, 9, 8843 (2015)
  12. M. Goyal, L. Galletti, S. Salmani-Rezaie, T. Schumann, D.A. Kealhofer, S. Stemme. APL Materials, 6 (2), 026105 (2018)
  13. B.L. Altshuler, A.G. Aronov, A.I. Larkin, D.E. Khmel'nitzkii. JETP, 54 (2), 411 (1981)
  14. D.V. Baxter, R. Richter, M.L. Trudeau, R.W. Cochrane, J.O. Strom-Olsen. J. Phys. (France), 50, 1673 (1989)
  15. S. Hikami, A.I. Larkin, Y. Nagaoka. Prog. Theor. Phys., 63, 707 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.