"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Люминесцентные свойства высокоомного кремния, облученного тяжелыми ионами высоких энергий
Переводная версия: 10.1134/S1063782619110046
Министерство образования и науки Российской Федераци, Программа фундаментальных исследований ИФП СО РАН, 0306-2019-0019
Черкова С.Г. 1, Скуратов В.А.2,3,4, Володин В.А. 1,5
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
3Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
4Государственный университет Дубна, Дубна, Россия
5Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: cherkova@isp.nsc.ru, skuratov@jinr.ru, volodin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 16 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

Исследованы оптические свойства высокоомного кремния, облученного тяжелыми ионами высоких энергий. В спектрах фотолюминесценции при низких температурах, помимо известных линий от X, W, W', R и C линий, проявляется широкий пик в области 1.3-1.5 мкм. При этом с увеличением дозы облучения в диапазоне 3·1011-1013 см-2 наблюдается спад и сужение пика ФЛ с одновременным смещением максимума в длинноволновую область. Ключевые слова: фотолюминесценция, дефекты в кремнии, быстрые тяжелые ионы.
  1. C. Sun, M.T. Wade, Y. Lee, J.S. Orcutt, L. Alloatti, M.S. Georgas, A.S. Waterman, J.M. Shainline, R.R. Avizienis, S. Lin, B.R. Moss, R. Kumar, F. Pavanello, A.H. Atabaki, H.M. Cook, A.J. Ou, J.C. Leu, Y.H. Chen, K. Asanovic, R.J. Ram, M.A. Popovic, V.M. Stojanovic. Nature, 528, 534 (2015)
  2. H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann, K. Eisele, W. Haidl, J. Schneider. Appl. Phys. Lett., 46, 361 (1985)
  3. В.Ю. Тимошенко, О.А. Шалыгина, М.Г. Лисаченко, Д.М. Жигунов, С.А. Тетеруков, П.К. Кашкаров, D. Kovalev, M. Zacharias, K. Imakita, M. Fujii. ФТТ, 47, 116 (2005)
  4. H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 66, 3024 (1995)
  5. А.А. Шкляев, А.В. Латышев, М. Ичикава. ФТП, 44, 452 (2010)
  6. Н.А. Соболев. ФТП, 44, 3 (2010)
  7. Н.А. Соболев, А.Е. Колядин, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Е.Н. Шек, Е.О. Паршин, Н.С. Мелесов, С.Г. Симакин. ФТП, 53, 165 (2019)
  8. Н.А. Дроздов, А.А. Патрин, В.Д. Ткачев. Письма ЖЭТФ, 23, 651 (1976)
  9. V.V. Kveder, E.A. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 51, 10520 (1995)
  10. V.V. Kveder, M. Badylevich, E.A. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, W. Schroter. Appl. Phys. Lett., 84, 2106 (2004)
  11. L.I. Fedina, A.K. Gutakovskii, T.S. Shamirzaev. J. Appl. Phys., 124, 053106 (2018)
  12. C.G. Kirkpatrick, J.R. Noonan, B.G. Streetman. Rad. Eff., 30, 97 (1976)
  13. C.E. Jones, E.S. Johnson, W.D. Compton, J.R. Noonan, B.G. Streetman. J. Appl. Phys., 44, 5402 (1973)
  14. V.D. Tkachev, C. Schrodel, A.V. Mudryi. Rad. Eff., 49, 1333 (1980)
  15. Y. Yang, J. Bao, C. Wang, M.J. Aziz. J. Appl. Phys., 107, 123109 (2010)
  16. F. Studer, M. Hervieu, J.-M. Constantini, M. Toulemonde. Nucl. Instrum. Meth. B, 122, 449 (1997)
  17. Ф.Ф. Комаров. УФН, 173, 1287 (2003)
  18. V.S. Vendamani, S.V.S. Nageswara Rao, A.P. Pathak. Nucl. Instrum. Meth. B, 315, 188 (2013)
  19. P. Mangiagalli, M. Levalois, P. Marie, P.G. Rancoita, M. Rattagi. Nucl. Phys. B (Proc. Suppl.), 61B, 464 (1998)
  20. S. Buckley, J. Chiles, A.N. McCaughan, G. Moody, K.L. Silverman, M.J. Stevents, R.P. Mirin, S.W. Nam, J.M. Shainline. Appl. Phys. Lett., 111, 141101 (2017)
  21. S. Coffa, S. Libertino, C. Spinella. Appl. Phys. Lett., 76, 321 (2000)
  22. P.K. Giri. Semicond. Sci. Technol., 20, 638 (2005)
  23. V.A. Volodin, V.A. Stuchinsky, S.G. Cherkova, G.A. Kachurin, R.A. Yankov. ECS Transactions, 16, 105 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.