Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Люминесцентные свойства высокоомного кремния, облученного тяжелыми ионами высоких энергий

DOI: 10.21883/FTP.2019.11.48441.9142

Переводная версия: 10.1134/S1063782619110046

Министерство образования и науки Российской Федераци, Программа фундаментальных исследований ИФП СО РАН, 0306-2019-0019

Черкова С.Г. ¹, Скуратов В.А.^2,3,4, Володин В.А.

^1,5

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия Joint Institute for Nuclear Research, Dubna, Russia

³Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

⁴Государственный университет Дубна, Дубна, Россия Dubna State University, Dubna, Russia

⁵Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Email: cherkova@isp.nsc.ru, skuratov@jinr.ru, volodin@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 16 апреля 2019 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы оптические свойства высокоомного кремния, облученного тяжелыми ионами высоких энергий. В спектрах фотолюминесценции при низких температурах, помимо известных линий от X, W, W', R и C линий, проявляется широкий пик в области 1.3-1.5 мкм. При этом с увеличением дозы облучения в диапазоне 3·10¹¹-10¹³ см^-2 наблюдается спад и сужение пика ФЛ с одновременным смещением максимума в длинноволновую область. Ключевые слова: фотолюминесценция, дефекты в кремнии, быстрые тяжелые ионы.

C. Sun, M.T. Wade, Y. Lee, J.S. Orcutt, L. Alloatti, M.S. Georgas, A.S. Waterman, J.M. Shainline, R.R. Avizienis, S. Lin, B.R. Moss, R. Kumar, F. Pavanello, A.H. Atabaki, H.M. Cook, A.J. Ou, J.C. Leu, Y.H. Chen, K. Asanovic, R.J. Ram, M.A. Popovic, V.M. Stojanovic. Nature, 528, 534 (2015)
H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann, K. Eisele, W. Haidl, J. Schneider. Appl. Phys. Lett., 46, 361 (1985)
В.Ю. Тимошенко, О.А. Шалыгина, М.Г. Лисаченко, Д.М. Жигунов, С.А. Тетеруков, П.К. Кашкаров, D. Kovalev, M. Zacharias, K. Imakita, M. Fujii. ФТТ, 47, 116 (2005)
H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 66, 3024 (1995)
А.А. Шкляев, А.В. Латышев, М. Ичикава. ФТП, 44, 452 (2010)
Н.А. Соболев. ФТП, 44, 3 (2010)
Н.А. Соболев, А.Е. Колядин, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Е.Н. Шек, Е.О. Паршин, Н.С. Мелесов, С.Г. Симакин. ФТП, 53, 165 (2019)
Н.А. Дроздов, А.А. Патрин, В.Д. Ткачев. Письма ЖЭТФ, 23, 651 (1976)
V.V. Kveder, E.A. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 51, 10520 (1995)
V.V. Kveder, M. Badylevich, E.A. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, W. Schroter. Appl. Phys. Lett., 84, 2106 (2004)
L.I. Fedina, A.K. Gutakovskii, T.S. Shamirzaev. J. Appl. Phys., 124, 053106 (2018)
C.G. Kirkpatrick, J.R. Noonan, B.G. Streetman. Rad. Eff., 30, 97 (1976)
C.E. Jones, E.S. Johnson, W.D. Compton, J.R. Noonan, B.G. Streetman. J. Appl. Phys., 44, 5402 (1973)
V.D. Tkachev, C. Schrodel, A.V. Mudryi. Rad. Eff., 49, 1333 (1980)
Y. Yang, J. Bao, C. Wang, M.J. Aziz. J. Appl. Phys., 107, 123109 (2010)
F. Studer, M. Hervieu, J.-M. Constantini, M. Toulemonde. Nucl. Instrum. Meth. B, 122, 449 (1997)
Ф.Ф. Комаров. УФН, 173, 1287 (2003)
V.S. Vendamani, S.V.S. Nageswara Rao, A.P. Pathak. Nucl. Instrum. Meth. B, 315, 188 (2013)
P. Mangiagalli, M. Levalois, P. Marie, P.G. Rancoita, M. Rattagi. Nucl. Phys. B (Proc. Suppl.), 61B, 464 (1998)
S. Buckley, J. Chiles, A.N. McCaughan, G. Moody, K.L. Silverman, M.J. Stevents, R.P. Mirin, S.W. Nam, J.M. Shainline. Appl. Phys. Lett., 111, 141101 (2017)
S. Coffa, S. Libertino, C. Spinella. Appl. Phys. Lett., 76, 321 (2000)
P.K. Giri. Semicond. Sci. Technol., 20, 638 (2005)
V.A. Volodin, V.A. Stuchinsky, S.G. Cherkova, G.A. Kachurin, R.A. Yankov. ECS Transactions, 16, 105 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель