"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термический коэффициент движения резонансного уровня железа в сплавах Pb1-x-ySnxFeyTe
Переводная версия: 10.1134/S1063782619110186
РФФИ, 19-02-00774
Скипетров Е.П. 1,2, Ковалев Б.Б. 1, Скипетрова Л.А. 1, Кнотько А.В. 2, Слынько В.Е. 3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах), Москва, Россия
3Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Email: skip@mig.phys.msu.ru, kovalev@mig.phys.msu.ru, lskip@mig.phys.msu.ru, knotko@inorg.chem.msu.ru, slynko.vasily@gmail.com
Поступила в редакцию: 15 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

Исследованы фазовый и элементный состав, температурные зависимости удельного сопротивления и коэффициента Холла (диапазон температур 4.2≤ T≤300 K, магнитные поля B≤0.07 Тл) в сплавах Pb1-x-ySnxFeyTe при вариации состава матрицы и концентрации примеси железа вдоль монокристаллических слитков, синтезированных методом Бриджмена-Стокбаргера. Получены распределения олова и железа вдоль слитков, и обнаружены аномальные температурные зависимости коэффициента Холла, связанные с пиннингом уровня Ферми резонансным уровнем железа, расположенным в валентной зоне сплавов. Анализ полученных экспериментальных результатов проведен в рамках модели перестройки электронной структуры, предполагающей движение уровня железа относительно потолка валентной зоны при увеличении концентрации олова и температуры. Определен термический коэффициент движения уровня железа относительно середины запрещенной зоны, и предложены возможные диаграммы перестройки электронной структуры с ростом температуры в сплавах с нормальным спектром (0.06≤ x≤0.35). Ключевые слова: сплавы Pb1-x-ySnxFeyTe, гальваномагнитные эффекты, электронная структура, резонансный уровень железа.
  1. E.P. Skipetrov, L.A. Skipetrova, A.V. Knotko, E.I. Slynko, V.E. Slynko. J. Appl. Phys., 115, 133702 (2014)
  2. M.N. Vinogradova, E.A. Gurieva, V.I. Zharskii, S.V. Zarubo, L.V. Prokofeva, T.T. Dedegkaev, I.I. Kryukov. Sov. Phys. Semicond., 12, 387 (1978)
  3. F.F. Sizov, V.V. Teterkin, L.V. Prokofeva, E.A. Gurieva. Sov. Phys. Semicond., 14, 1063 (1980)
  4. A.A. Vinokurov, A.I. Artamkin, S.G. Dorofeev, T.A. Kuznetsova, V.P. Zlomanov. Inorg. Mater., 44, 576 (2008)
  5. E.P. Skipetrov, A.N. Golovanov, E.I. Slynko, V.E. Slynko. Low Temp. Phys., 39, 76 (2013)
  6. V.D. Vulchev, L.D. Borisova, K. Dimitrova. Phys. Status Solidi A, 97, K79 (1986)
  7. L.M. Kashirskaya, L.I. Ryabova, O.I. Tananaeva, N.A. Shirokova. Sov. Phys. Semicond., 24, 848 (1990)
  8. T. Story. Acta Phys. Pol. A, 94, 189 (1998)
  9. I.I. Ivanchik, D.R. Khokhlov, A.V. Morozov, A.A. Terekhov, E.I. Slyn'ko, V.E. Slyn'ko, A. de Visser, W.D. Dobrowolski. Phys. Rev. B, 61, R 14889 (2000)
  10. K.A. Kikoin, V.N. Fleurov. Transition Metal Impurities in Semiconductors: Electronic Structure and Physical Properties (Singapore, World Scientific, 1994)
  11. E.P. Skipetrov, O.V. Kruleveckaya, L.A. Skipetrova, E.I. Slynko, V.E. Slynko. Appl. Phys. Lett., 105, 022101 (2014)
  12. E.P. Skipetrov, O.V. Kruleveckaya, L.A. Skipetrova, A.V. Knotko, E.I. Slynko, V.E. Slynko. J. Appl. Phys., 118, 195701 (2015)
  13. E.P. Skipetrov, B.B. Kovalev, L.A. Skipetrova, A.V. Knotko, V.E. Slynko. J. Alloys Compd., 775, 769 (2019)
  14. E.P. Skipetrov, B.B. Kovalev, L.A. Skipetrova, A.V. Knotko, V.E. Slynko. Low Temp. Phys., 45, 201 (2019)
  15. G. Tan, F. Shi, S. Hao, H. Chi, L.-D. Zhao, C. Uher, C. Wolverton, V.P. Dravid, M.G. Kanatzidis. J. Am. Chem. Soc., 137, 5100 (2015)
  16. L. Wang, X. Tan, G. Liu, J. Xu, H. Shao, B. Yu, H. Jiang, S. Yue, J. Jiang. ACS Energy Lett., 2, 1203 (2017)
  17. D.K. Bhat, U.S. Shenoy. Mater. Today Phys., 4, 12 (2018)
  18. G.J. Snyder, E.S. Toberer. Nature Materials, 7, 105 (2008)
  19. A.D. LaLonde, Y. Pei, H. Wang, G.J. Snyder. Mater. Today, 14, 526 (2011)
  20. X. Zhang, L.-D. Zhao. J. Materiomics, 1, 92 (2015)
  21. V.E. Slynko, W. Dobrowolski. Bull. Nat. University "Lviv Polytechnic", Electronics, N 681, 144 (2010)
  22. E.I. Slynko, V.М. Vodopyanov, А.P. Bakhtinov, V.I. Ivanov, V.E. Slynko, W. Dobrowolski, V. Domukhowski. Visn. Lviv Polytec. Natl. Univ., Electronics, N 734, 67 (2012)
  23. V.I. Kaidanov, Yu.I. Ravich. Phys. Usp., 28, 31 (1985)
  24. E.P. Skipetrov, E.A. Zvereva, N.N. Dmitriev, A.V. Golubev, V.E. Slynko. Semiconductors, 40, 893 (2006)
  25. E.P. Skipetrov, N.A. Pichugin, E.I. Slyn'ko, V.E. Slyn'ko. Semiconductors, 47, 729 (2013)
  26. E. Skipetrov, E. Zvereva, L. Skipetrova, B. Kovalev, O. Volkova, A. Golubev, E. Slyn'ko. Phys. Status Solidi B, 241, 1100 (2004)
  27. M. Ratuszek, M.J. Ratuszek. J. Phys. Chem. Solidi, 46, 837 (1985)
  28. V.D. Vulchev, L.D. Borisova. Phys. Status Solidi A, 99, K53 (1987)
  29. E.P. Skipetrov, N.A. Pichugin, E.I. Slyn'ko, V.E. Slyn'ko. Low Temp. Phys., 37, 210 (2011)
  30. E.P. Skipetrov, O.V. Kruleveckaya, L.A. Skipetrova, V.E. Slynko. J. Appl. Phys., 121, 045702 (2017)
  31. G. Nimtz, B. Schlicht. In: Narrow-Gap Semiconductors [Springer Tracts in Modern Physics (Berlin-Heidelberg- N.Y.-Tokyo, Springer Verlag, 1983) v. 98]
  32. R.N. Tauber, A.A. Machonis, I.B. Cadoff. J. Appl. Phys., 37, 4855 (1966)
  33. C.M. Jaworski, M.D. Nielsen, H. Wang, S.N. Girard, W. Cai, W.D. Porter, M.G. Kanatzidis, J.P. Heremans. Phys. Rev. B, 87, 045203 (2013)
  34. Z.M. Gibbs, H. Kim, H. Wang, R.L. White, F. Drymiotis, M. Kaviany, G.J. Snyder. Appl. Phys. Lett., 103, 262109 (2013)
  35. L.-D. Zhao, V.P. Dravid, M.G. Kanatzidis. Energy Environ. Sci., 7, 251 (2014).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.