"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияют ли химические эффекты на накопление структурных нарушений при имплантации в GaN ионов фтора?
Переводная версия: 10.1134/S1063782619110204
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-08-01213
Титов А.И. 1, Карабешкин К.В.1, Карасев П.А. 1, Стручков А.И.1
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: andrei.titov@rphf.spbstu.ru, ynikolaus@yandex.ru, platon.karaseov@spbstu.ru, andrei.struchckov@yandex.ru
Поступила в редакцию: 22 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

Исследовано накопление структурных повреждений в GaN при облучении ускоренными ионами F и Ne с энергиями 1.3 и 3.2 кэВ/а.е.м. Показано, что в рамках рассматриваемых доз химические эффекты при внедрении ионов фтора не оказывают существенного влияния на образование устойчивых структурных повреждений как в объеме, так и на поверхности GaN. Ключевые слова: GaN, ионное облучение, инженерия дефектов, химические эффекты.
  1. M. Nastasi, J.W. Mayer. Ion Implantation and Synthesis of Materials (Berlin: Springer, 2006)
  2. S.O. Kucheyev, J.S. Williams, C. Jagadish, J. Zou, G. Li. Phys. Rev. B, 62, 7510 (2000)
  3. S.O. Kucheyev, J.S. Williams, C. Jagadish, J. Zou, G. Li, A.I. Titov. Phys. Rev. B, 64, 035202 (2001)
  4. A.I. Titov, P.A. Karaseov, K.V. Karabeshkin, V.S. Belyakov, A.V. Arkhipov, S.O. Kucheyev. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 315, 257 (2013)
  5. Н.Н. Герасименко, А.А. Жуков, Н.Н. Герасименко (мл.), А.Н. Тарасенков, И.В. Ловягин. Изв. вузов. Электроника, N 4-5, 185 (2005)
  6. S.O. Kucheyev. Ion beam processes group-III nitrides. PhD thesis (The Australian National University, 2002) p. 72
  7. J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Solids (Pergamon Press, N.Y., 1985); J.F. Ziegler, SRIM-2013 software package, available online at http://www.srim.org
  8. K. Schmid. Rad. Effects, 17, 201 (1973)
  9. S.O. Kucheyev, J.S. Williams, S.J. Pearton. Mater. Sci. Eng. R, 33, 51 (2001)
  10. K. Lorenz, U. Wahl, E. Alves, E. Nogales, S. Dalmasso, R.W. Martin, K.P. O'Donnell, M. Wojdak, A. Braud, T. Monteiro, T. Wojtowicz, P. Ruterana, S. Ruffenach, O. Briot. Opt. Mater., 28, 750 (2006)
  11. S.O. Kucheyev, A.Yu. Azarov, A.I. Titov, P.A. Karaseov, T.M. Kuchumova. J. Phys D: Appl. Phys., 42, 085309 (2009)
  12. F. Gloux, T. Wojtowicz, P. Ruterana, K. Lorenz, E. Alves. J. Appl. Phys., 100, 073520 (2006)
  13. А.Ю. Азаров. ФТП, 38, 1445 (2004)
  14. К.В. Карабешкин, П.А. Карасёв, А.И. Титов. ФТП, 50, 1009 (2016)
  15. A.I. Titov, P.A. Karaseov, A.Yu. Kataev, A.Yu. Azarov, S.O. Kucheyev. Nucl. Instrum. Meth. in Phys Res. B, 277, 80 (2012)
  16. S.O. Kucheyev, J. Zou, J.S. Williams, C. Jagadish, G. Li. Nucl. Instrum. Meth. B, 178, 209 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.