Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры

DOI: 10.21883/FTP.2019.09.48143.27

Переводная версия: 10.1134/S1063782619090240

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-02-00898

Уаман Светикова Т.А.¹, Иконников А.В. ¹, Румянцев В.В.², Козлов Д.В.², Черничкин В.И.¹, Галеева А.В.¹, Варавин В.С.³, Михайлов Н.Н.³, Дворецкий С.А.³, Морозов С.В.², Гавриленко В.И.²

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

³Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: aurelia8002@gmail.com, antikon@physics.msu.ru, rumyantsev@ipmras.ru, dvkoz@ipmras.ru, chernichkin@physics.msu.ru, galeeva@physics.msu.ru, mikhailov@isp.nsc.ru, more@ipmras.ru, gavr@ipmras.ru

Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В эпитаксиальных пленках CdHgTe исследованы спектры фотопроводимости при различных температурах методом фурье-спектроскопии. В спектрах обнаружены особенности, связанные как с межзонным поглощением, там и с ионизацией примесно-дефектных состояний. Прослежена их эволюция с изменением температуры. Определены температуры "исчезновения" примесных особенностей, что позволило, используя уравнение электронейтральности, оценить концентрацию акцепторов в исследуемых структурах. Ключевые слова: фотопроводимость, примесь, CdHgTe, фурье-спектроскопия.

W. Scott, E.L. Stelzer, R.J. Hager. J. Appl. Phys., 47, 1408 (1976)
D.L. Polla, R.L. Aggarwal, J.A. Mroczkowski, J.F. Shanley, M.B. Reine. Appl. Phys. Lett., 40, 338 (1982)
D.L. Polla, R.L. Aggarwal, D.A. Nelson, J.F. Shanley, M.B. Reine. Appl. Phys. Lett., 43, 941 (1983)
D.L. Polla, R.L. Aggarwal. Appl. Phys. Lett., 44, 775 (1984)
V.V. Rumyantsev, D.V. Kozlov, S.V. Morozov, M.A. Fadeev, A.M. Kadykov, F. Teppe, V.S. Varavin, M.V. Yakyshev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Semicond. Sci. Technol., 32, 095007 (2017)
Д.В. Козлов, В.В. Румянцев, С.В. Морозов, А.М. Кадыков, М.А. Фадеев, М.С. Жолудев, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко, F. Teppe. ЖЭТФ, 154, 1226 (2018)
V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, V.N. Ovsyuk, Yu.G. Sidorov, A.O. Syslyakov, M.V. Yakushev, A.L. Aseev. Proc. SPIE 5136, Solid State Crystals (2002): Crystalline Mater. Optoelectron. (2003)
M.V. Yakushev, M.V. Yakushev, D.V. Brunev, V.S. Varavin, V.V. Vasilyev, S.A. Dvoretskii, I.V. Marchshin, A.V. Predein, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, A.V. Sorochkin. Semiconductors, 45, 385 (2011)
В.С. Варавин, Г.Ю. Сидоров Ю.Г. Сидоров. ЖФХ, 84, 1605 (2010)
П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, А.П. Коробкин, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 38, 1207 (2004)
V. Goldman, H. Drew, M. Shayegan D. Nelson. Phys. Rev. Lett., 56, 968 (1986)
P. Capper, J. Garland, S. Kasap, A. Willoughby. Mercury Cadmium Telluride-Growth, Properties and Applications (Wiley, Chichester, 2011)
J.P. Laurenti, J. Camassel, A. Bouhemadou. J. Appl. Phys., 67, 6454 (1990)
M.H. Brodsky, G. Lucovsky. Phys. Rev. Lett., 21, 990 (1968)
D.N. Talwar, M. Vandevyver. J. Appl. Phys., 56, 1601 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель