"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности спектров примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) при изменении температуры
Переводная версия: 10.1134/S1063782619090069
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-02-0575а
Иконников А.В.1, Черничкин В.И.1, Дудин В.C.1, Акопян Д.А.1, Акимов А.Н. 2, Климов А.Э. 2,3, Терещенко О.Е. 2,4, Рябова Л.И.1, Хохлов Д.Р.1,5
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
4Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
5Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: lexa@isp.nsc.ru, klimov@isp.nsc.ru, teresh@isp.nsc.ru, antikon@physics.msu.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.

Спектры фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) исследованы методом фурье-спектроскопии в области дальнего инфракрасного диапазона при температурах от 4.2 до 32.4 K. Наряду с межзонными переходами в спектрах обнаружены субщелевые особенности, связанные с возбуждением примесно-дефектных состояний. Прослежена эволюция спектров при изменении температуры и в условиях дополнительной подсветки. Ключевые слова: фотопроводимость, примесные состояния, поверхностные состояния, PbSnTe, эффект Бурштейна-Мосса.
  1. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН, 145, 51 (1985)
  2. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 172 875 (2002)
  3. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 80, 1439 (2004)
  4. Б.А. Акимов, Н.Б. Брандт, А.М. Гаськов, В.П. Зломанов, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. ФТП, 17, 87 (1983)
  5. С.А. Белоконь, Л.Н. Верещагина, И.И. Иванчик, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. ФТП, 26, 264 (1992)
  6. E.P. Skipetrov, O.V. Kruleveckaya, L.A. Skipetrova, E.I. Slynko, V.E. Slynko. Appl. Phys. Lett., 105, 022101 (2014)
  7. N. Romcevic, J. Trajic, T.A. Kuznetsova, M. Romcevic, M. Hadzic, D.R. Khokhlov. J. Alloys Comp., 442, 324 (2007)
  8. E.P. Skipetrov, N.A. Chernova, E.I. Slynko, Y.K. Vygranenko. Phys. Rev. B, 59, 12928 (1999)
  9. I.I. Ivanchik, D.R. Khokhlov, A.V. Morozov, A.A. Terekhov, E.I. Slyn'ko, V.I. Slyn'ko, A. de Visser, W.D. Dobrowolski. Phys. Rev. B, 61, R14889 (2000)
  10. А.В. Галеева, Л.И. Рябова, А.В. Никорич, С.Д. Ганичев, С.Н. Данилов, В.В. Бельков, Д.Р. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 91, 37 (2010)
  11. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 184, 1033 (2014)
  12. B.A. Akimov, D.R. Khokhlov. Semicond. Sci. Technol., 8, S349 (1993)
  13. А.В. Иконников, В.И. Черничкин, Д.А. Акопян, В.С. Дудин, Д.Е. Долженко, А.В. Никорич, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Физика низких температур, 45, 165 (2019)
  14. А.Н. Акимов, А.Э. Климов, С.В. Морозов, С.П. Супрун, В.С. Эпов, А.В. Иконников, М.А. Фадеев, В.В. Румянцев. ФТП, 50, 1713 (2016)
  15. А.Н. Акимов, А.Э. Климов, Н.С. Пащин, А.С. Ярошевич, М.Л. Савченко, В.С. Эпов, Е.В. Федосеенко. ФТП, 51, 1574 (2017)
  16. N. Romcevic, Z.V. Popovic, D.R. Khokhlov, A.V. Nikorich, W. Konig. Phys. Rev. B, 43 6712 (1991)
  17. N. Romcevic, M. Romcevic, I. Ivanchik, D. Khokhlov. Infr. Phys. Techn., 40 453 (1999)
  18. А.Э. Климов, В.Н. Шумский. Матричные фотоприемные устройства (Новосибирск, Наука, 2001)
  19. Б.А. Акимов, А.В. Албул, А.В. Никорич, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. ФТП, 18, 1778 (1984)
  20. H. Preier. Appl. Phys., 20, 189 (1979)
  21. W. Anderson. IEEE J. Quant. Electron., 13, 532 (1977)
  22. G. Nimtz, B. Schlicht. Narrow-gap lead salts. In Narrow-Gap Semiconductors, v. 98 of Springer Tracts in Modern Physics. Pt 1 (Springer Verlag, Heidelberg--Berlin, 1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.