Вышедшие номера
Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al2O3
Переводная версия: 10.1134/S1063782619090227
Министерство образования и науки Российской Федерации, 16.7443.2017/БЧ
Российский фонд фундаментальных исследований, мол_а, 18-32-00636
Сушков А.А.1, Павлов Д.А.1, Шенгуров В.Г.1, Денисов C.А.1, Чалков В.Ю.1, Байдусь Н.В.1, Рыков А.В. 1, Крюков Р.Н. 1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: sushkovartem@gmail.com, denisov@nifti.unn.ru, rikov@nifti.unn.ru, kriukov.ruslan@yandex.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.

Сформирована и исследована GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/Ge-гетероструктура, выращенная на подложке Si/Al2O3(1102). Буферный слой Ge получен методом "горячей проволоки", а AIIIBV слои с помощью газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Для определения оптического качества AIIIBV слоев использована спектроскопия фотолюминесценции. Структурные исследования проведены с помощью высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии. Элементный состав определен методом рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии. В данной работе была показана возможность роста монокристаллического слоя GaAs на подложке Si/Al2O3 через AlAs/GaAs/AlAs/Ge-буферные слои. Ключевые слова: гетероэпитаксия, просвечивающая электронная микроскопия, подложка сапфира, слой GaAs, спектры фотолюминесценции.