"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al2O3
Переводная версия: 10.1134/S1063782619090227
Министерство образования и науки Российской Федерации, 16.7443.2017/БЧ
Российский фонд фундаментальных исследований, мол_а, 18-32-00636
Сушков А.А.1, Павлов Д.А.1, Шенгуров В.Г.1, Денисов C.А.1, Чалков В.Ю.1, Байдусь Н.В.1, Рыков А.В. 1, Крюков Р.Н. 1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: sushkovartem@gmail.com, denisov@nifti.unn.ru, rikov@nifti.unn.ru, kriukov.ruslan@yandex.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.

Сформирована и исследована GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/Ge-гетероструктура, выращенная на подложке Si/Al2O3(1102). Буферный слой Ge получен методом "горячей проволоки", а AIIIBV слои с помощью газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Для определения оптического качества AIIIBV слоев использована спектроскопия фотолюминесценции. Структурные исследования проведены с помощью высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии. Элементный состав определен методом рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии. В данной работе была показана возможность роста монокристаллического слоя GaAs на подложке Si/Al2O3 через AlAs/GaAs/AlAs/Ge-буферные слои. Ключевые слова: гетероэпитаксия, просвечивающая электронная микроскопия, подложка сапфира, слой GaAs, спектры фотолюминесценции.
  1. T. Creazzo, E. Marchena, S.B. Krasulick, P.K.L. Yu, D. Van Orden, J.Y. Spann, C.C. Blivin, L. He, H. Cai, J.M. Dallesasse, R.J. Stone, A. Mizzahi. Opt. Express, 21 (23), 28048 (2013)
  2. N. Baidus, V. Aleshkin, A. Dubinov, K. Kudryavtsev, S. Nekorkin, A. Novikov, D. Pavlov, A. Rykov, A. Sushkov, M. Shaleev, P. Yunin, D. Yurasov, Z. Krasilnik. Crystals, 8 (8), 311 (2018)
  3. M.L. Seaford, D.H. Tomich, K.G. Eyink, L. Grazulis, K. Mahalingham, Z. Yang, W.I. Wang. J. Electron. Mater., 29 (7), 906 (2000)
  4. N.H. Karam, V. Haven, S.M. Vernon, F. Namavar, N. El-Masry, N. Haegel, M.M. Al-Jassim. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 198, 247 (1990)
  5. H. Lin, R. Lin, J. Chyi, C.M. Lee. IEEE Photon. Techn. Lett., 20 (19), 1621 (2008)
  6. V.Ya. Aleshkin, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, A.G. Fefelov, Z.F. Krasilnik, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, I.V. Samartsev, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.A. Sushkov, A.N. Yablonskiy, P.A. Yunin, D.V. Yurasov. Appl. Phys. Lett., 109, 061111 (2016)
  7. V.G. Shengurov, S.A. Denisov, V.Yu. Chalkov, Yu.N. Buzynin, M.N. Drozdov, A.N. Buzynin, P.A. Yunin. Techn. Phys. Lett., 41 (1), 36 (2015)
  8. A.V. Rykov, M.V. Dorokhin, P.S. Vergeles, N.V. Baidus, V.A. Kovalskiy, E.B. Yakimov, O.A. Soltanovich. J. Phys.: Conf. Ser., 993, 012014 (2018)
  9. C.K. Chia, J.R. Dong, D.Z. Chi, A. Sridhara, A.S.W. Wong, M. Suryana, G.K. Dalapati, S.J. Chua, S.J. Lee. Appl. Phys. Lett., 92, 141905 (2008)
  10. A.V. Rykov, M.V. Dorokhin, P.S. Vergeles, V.A. Kovalskiy, E.B. Yakimov, M.V. Ved, N.V. Baidus, A.V. Zdoroveyshchev, V.G. Shengurov, S.A. Denisov. J. Phys.: Conf. Ser., 1124, 022037 (2018)
  11. Yu.B. Bolkhovityanov, O.P. Pchelyakov. Physics--Uspekhi, 51 (5), 437 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.