"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Туннельные диоды на базе эпитаксиальных структур n+-Ge/p+-Si(001), выращенных методом горячей проволоки
Переводная версия: 10.1134/S1063782619090203
Министерство образования и науки РФ , 16.7443.2017/БЧ
Российский научный фонд, 18-72-10061
Шенгуров В.Г. 1, Филатов Д.О. 1, Денисов С.А. 1, Чалков В.Ю. 1, Алябина Н.А.1, Зайцев А.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: shengurov@phys.unn.ru, Dmitry_filatov@inbox.ru, denisov@nifti.unn.ru, chalkov@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.

Методом разложения GeH4 на горячей проволоке при низкой температуре подложки (~325oC) получены эпитаксиальные структуры n+-Ge/p+-Si(001), на основе которых сформированы лабораторные макеты туннельных диодов, допускающих монолитную интеграцию в интегральные схемы на основе Si. Легирование слоeв n+-Ge донорной примесью (P) до концентраций >1·1019 см-3 осуществлялось с применением термического разложения GaP. На вольт-амперных характеристиках туннельных диодов наблюдались выраженные участки отрицательного дифференциального сопротивления. Ключевые слова: туннельный диод, структуры Ge/Si, метод горячей проволоки.
  1. М.С. Гусятинер, А.И. Горбачев. Полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды (М., Радио и связь, 1983)
  2. P. Geicksman, R.M. Minton. Solid-State Electron., 8, 517 (1965)
  3. V.M. Franks, K.F. Hulme, J.R. Morgan. Solid-State Electron., 8, 343 (1965)
  4. E. Kasper, J.C. Bean. Silicon Molecular Beam Epitaxy (Wilheim, CRC Press, 1988)
  5. C. Mukherjee, H. Seitz, B. Schroeder. Appl. Phys. Lett., 78, 3457 (2001)
  6. S.A. Matveev, S.A. Denisov, D.V. Guseinov, V.N. Trushin, A.V. Nezhdanov, D.O. Filatov, V.G. Shengurov. J. Phys. Conf. Ser., 541, 012026 (2014)
  7. В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, Н.А. Алябина, Д.В. Гусейнов, В.Н. Трушин, А.П. Горшков, Н.С. Волкова, М.М. Иванова, А.В. Круглов, Д.О. Филатов. ФТП, 49, 1411 (2015)
  8. В.А. Толомасов, Л.Н. Абросимова, Т.Н. Сергиевская, Т.М. Зотова. Кристаллография, 18, 884 (1973)
  9. К. Хилсум, А. Роуз-Инс. Полупроводники типа AIIIBV (М., Изд-во иностр. лит., 1963) с. 123
  10. В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, С.П. Светлов, Д.В. Шенгуров. Вакуумная техника и технология, 21, 45 (2011)
  11. В.А. Толомасов, В.В. Васькин, М.И. Овсянников. ФТП, 15, 104 (1981)
  12. M.J. Mondry, E.J. Caine, H. Kroemer. J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 316 (1985)
  13. K. Nishida, X. Xu, K. Sawano, T. Maruizumi, Y. Shiraki. Thin Sol. Films, 557, 66 (2014)
  14. T.K.P. Luong. Opt. Photon. J., 7, 75 (2017)
  15. В.Г. Шенгуров, Д.О. Филатов, С.А. Денисов, В.Ю. Чалков, Н.А. Алябина, А.В. Зайцев, М.Н. Дроздов. Матер. ХXIII междунар. симп. Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, Россия, 2019) (в печати)
  16. N. Ohtani, S. Mokler, M.H. Xie, J. Zhang, B.A. Joyce. Jpn. J. Appl. Phys., 33 (1), 2311 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.