"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Численное моделирование вольт-амперных характеристик двуслойной резистивной памяти на основе нестехиометрических оксидов металлов
Переводная версия: 10.1134/S1063782619090252
Умнягин Г.М.1, Дегтярев В.Е.1, Оболенский C.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: Umnyagingm@gmail.com
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.

Проведено численное моделирование вольт-амперных характеристик структуры резистивной памяти на основе нестехиометрических оксидов тантала. В рамках исследования приводятся результаты проведения импульсного исследования структур с разной формой проводящего филамента, такой как усеченный конус с разным углом наклона образующей. Показано как форма и общий объем проводящего филамента сказываются на амплитуде тока и количестве импульсов, необходимом для полного процесса разрыва и восстановления филамента. Ключевые слова: резистивная память, нестехиометрический, численное моделирование.
  1. S. Kim, S.-J. Kim, K.M. Kim, S.R. Lee, M. Chang, E. Cho, Y.-B. Kim, Ch.J. Kim, U.-In Chung, I.-K. Yoo. Sci. Rept., 3, 1680 (2013)
  2. S. Kim, Sh. Choi, Wei Lu. ACS Nano, 8 (3), 2369 (2014)
  3. O. Cueto, A. Payet, Th. Cabout. Intern. Conf. Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 45 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.