"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза
Переводная версия: 10.1134/S1063782619090136
Минобрнауки России, Грант Президента для молодых кандидатов наук, конкурс 2019 года, МК-3450.2019.2
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Конкурс проектов 2018 года фундаментальных научных исследований, 18-02-00565
Охапкин А.И.1, Юнин П.А.1, Дроздов М.Н.1, Королев С.А.1, Краев С.А.1, Архипова Е.А.1, Скороходов Е.В.1, Бушуйкин П.А.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: andy-ohapkin@yandex.ru, yunin@ipmras.ru, drm@ipm.sci-nnov.ru, PESH@ipm.sci-nnov.ru, kraev@ipmras.ru, suroveginaka@ipmras.ru, evgeny@ipmras.ru, bushuikinp@ipm.sci-nnov.ru, sha@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.

Проведено плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок (DLC-пленок) на монокристаллический сильно легированный бором (концентрация ~ 1020 см-3) алмаз p-типа проводимости в плазме CH4 + Ar. Скорость осаждения составила 7 нм/мин. Детально исследованы элементный состав и свойства полученных пленок. Пленки оказались обогащенными водородом, имели плотность 2.4 г/см3 и ультрагладкую поверхность (шероховатость 0.4 ± 0.2 нм). Ключевые слова: алмазоподобный углерод, плазмохимическое осаждение, монокристаллический алмаз.
  1. S. Imanishi, K. Horikawa, N. Oi, S. Okubo, T. Kageura, A. Hiraiwa, H. Kawarada. IEEE Electron Dev. Lett., 40 (2), 279 (2019)
  2. X. Yu, J. Zhou, C. Qi, Z. Cao, Y. Kong, T. Chen. IEEE Electron Dev. Lett., 39 (9), 1373 (2018)
  3. N.C. Saha, M. Kasu. Diamond Relat. Mater., 91, 219 (2019)
  4. C.J. Zhou, J.J. Wang, J.C. Guo, C.Yu, Z.Z. He, Q.B. Liu, X.D. Gao, S.J. Cai, Z.H. Feng. Appl. Phys. Lett., 114, 063501 (2019)
  5. TT. Pham, J. Pernot, G. Perez, D. Eon, E. Gheeraert, N. Rouger. IEEE Electron Dev. Lett., 38 (11), 1571 (2017)
  6. W. Wang, K. Fu, C. Hu, F.N. Li, Z.C. Liu, S.Y. Li, F. Lin, J. Fu, J. Wang, H.X. Wang. Diamond Relat. Mater., 69, 237 (2016)
  7. Z.Y. Ren, J.F. Zhang, J.C. Zhang, C.F. Zhang, S.R. Xu, Y. Li, Y. Hao. IEEE Electron Dev. Lett., 38 (6), 786 (2017)
  8. J. Robertson. Adv. Phys., 35 (4), 317 (1986)
  9. R. Bandorf, H. Luthje, T. Staedler. Diamond Relat. Mater., 13 (4-8), 1491 (2004)
  10. K.M. Tan, W.W. Fang, M. Yang, T.Y. Liow, R.T.-P. Lee, N. Balasubramanian, Y.C. Yeo. IEEE Electron Dev. Lett., 29 (7), 750 (2008)
  11. J. Kim, C. Lee. J. Korean Phys. Soc., 42, 956 (2013)
  12. R.G. Toro, P. Calandra, B. Cortese, T. de Caro, M. Brucale, A. Mezzi, F. Federici, D. Caschera. Surf. Interfaces, 6, 60 (2017)
  13. W. Oleszkiewicz, W. Kijaszeka, J. Gryglewicza, A. Zakrzewski, K. Gajewskic, D. Kopiecc, P. Kamyczekd, E. Popkod, M. Tlaczalaa. Electron Technology Conf. (2013, Ryn, Poland) [Proc. SPIE, 8902, 89022H (2013)]
  14. W. Oleszkiewicz, J. Markowski, R. Srnanek, W. Kijaszek, J. Gryglewicz, J. Kovac, M. Tlaczalaa. Optica Applicata, 43 (1), 109 (2013)
  15. J. Zhou, I.T. Martin, A. Reed, E. Adams, D. Liu, E. Fisher. Plasma Sources Sci. Technol., 15, 714 (2006)
  16. A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.A. Lobaev, A.B. Muchnikov, D.B. Radishev, V.A. Isaev, V.V. Chernov, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, J.E. Butler. Phys. Status Solidi RRL, 10 (4), 324 (2016)
  17. Е.А. Суровегина, Е.В. Демидов, М.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин, М.А. Лобаев, А.М. Горбачев, А.Л. Вихарев, С.А. Богданов, В.А. Исаев, А.Б. Мучников, В.В. Чернов, Д.Б. Радищев, Д.Е. Батлер. ФТП, 50 (12), 1595 (2016)
  18. A. Galbiati, S. Lynn, K. Oliver, F. Schirru, T. Nowak, B. Marczewska, J.A. Duenas, R. Berjillos, I. Martel, L. Lavergne. IEEE Trans. Nucl. Sci., 56 (4), 1863 (2009)
  19. R. Kalisha, Y. Lifshitz, K. Nugent, S. Prawer. Appl. Phys. Lett., 74 (20), 2936 (1999)
  20. A.C. Ferrari, J. Robertson. Phys. Rev. B, 64, 075414 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.