Вышедшие номера
Спектр двойных акцепторов в слоях барьеров и квантовых ям   гетероструктур HgTe/СdHgTe
Переводная версия: 10.1134/S1063782619090100
Козлов Д.В.1,2, Румянцев В.В.1,2, Морозов С.В.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dvkoz@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.

Проведено теоретическое исследование состояний двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами, учитывающее существенную разницу значений диэлектрической проницаемости слоев барьеров и квантовых ям. Влияние такой разницы и возникающего из-за нее наведенного на гетерограницах заряда описывалось с помощью потенциала зарядов-изображений. Расчет показал существенное изменение энергии связи акцепторных центров - вакансий ртути из-за наведенного заряда, при этом энергии ионизации вакансий ртути хорошо согласуются с положением спектральных особенностей в спектре фотолюминесценции гетероструктур HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами. Ключевые слова: гетероструктуры, двойные акцепторы, дефекты, вакансии ртути, фотолюминесценция, КРТ структуры.