Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии

DOI: 10.21883/FTP.2019.08.48011.9124

Переводная версия: 10.1134/S1063782619080037

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-29-20016

Государственное задание Института физики микроструктур РАН на 2019 г , 0035-2019-0020-С-01

Алешкин В.Я.¹, Байдусь Н.В.², Дубинов А.А.¹, Кудрявцев К.Е.¹, Некоркин С.М.², Круглов А.В.², Реунов Д.Г.²

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: aleshkin@ipmras.ru, bnv@nifti.unn.ru, sanya@ipmras.ru, konstantin@ipmras.ru, nekorkin@nifti.unn.ru

Поступила в редакцию: 1 апреля 2019 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен подбор режима роста квантовых точек методом МОС-гидридной эпитаксии для лазерных структур, выращенных на неотклоненных и отклоненных на 2^o подложках GaAs и излучающих на длинах волн выше 1.2 мкм при комнатной температуре. В результате экспериментов удалось достичь плотности квантовых точек 4·10¹⁰ см^-2. В лазерных структурах с 7 слоями квантовых точек наблюдалось стимулированное излучение на длине волны 1.06 мкм при температуре жидкого азота. Пороговая плотность мощности оптической накачки составила около 5 кВт/см². Ключевые слова: квантовые точки, МОС-гидридная эпитаксия, GaAs/InGaAs.

C. Sun, M.T. Wade, Y. Lee, J.S. Orcutt, L. Alloatti. Nature, 528, 534 (2015)
Д.А. Винокуров, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, А.Л. Станкевич, В.В Шамахов, А.Д. Бондарев, Н.А. Рудова, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (9), 1274 (2011)
Н.В. Байдусь, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов, З.Ф. Красильник, К.Е. Кудрявцев, С.М. Некоркин, А.В. Новиков, А.В. Рыков, Д.Г. Реунов, М.В. Шалеев, П.А. Юнин, Д.В. Юрасов. ФТП, 52 (12), 1443 (2018)
V.Ya. Aleshkin, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, A.G. Fefelov, Z.F. Krasilnik, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, I.V. Samartsev, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.A. Sushkov, A.N. Yablonskiy, P.A. Yunin, D.V. Yurasov. Appl. Phys. Lett., 109, 061111 (2016)
N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Yu.S. Polubavkina, M.V. Maximov, M.M. Kulagina, S.I. Troshkov, Yu.M. Zadiranov, A.A. Lipovskii, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, D.V. Yurasov, A.E. Zhukov. Opt. Express, 25, 16754 (2017)
N. Baidus, V. Aleshkin, A. Dubinov, K. Kudryavtsev, S. Nekorkin, A. Novikov, D. Pavlov, A. Rykov, A. Sushkov, M. Shaleev, P. Yunin, D. Yurasov, Z. Krasilnik. Crystals, 8, 311 (2018)
A.Y. Liu, C. Zhang, J. Norman, A. Snyder, D. Lubyshev, J.M. Fastenau, A.W.K. Liu, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Appl. Phys. Lett., 104, 041104 (2014)
S. Chen, W. Li, J. Wu, Q. Jiang, M. Tang, S. Shutts, S.N. Elliott, A. Sobiesierski, A.J. Seeds, I. Ross, P.M. Smowton, H. Liu. Nature Photonics, 10, 307 (2016)
K. Volz, A. Beyer, W. Witte, J. Ohlmann, I. N'emeth, B. Kunert, W. Stolz. J. Cryst. Growth, 315, 37 (2011)
Y. Wan, J. Norman, Q. Li, M.J. Kennedy, D. Liang, C. Zhang, D. Huang, Z. Zhang, A.Y. Liu, A. Torres, D. Jung, A.C. Gossard, E.L. Hu, K.M. Lau, J.E. Bowers. Optics. 4, 940 (2017)
A.Y. Liu, J. Peters, X. Huang, D. Jung, J. Norman, M.L. Lee, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Optics. Lett., 42, 338 (2017)
J. Wang, H. Hu, H. Yin, Y. Bai, J. Li, X. Wei, Y. Liu, Y. Huang, X. Ren, H. Liu. Photonics Res., 6, 321 (2018)
S.M. Kim, Y. Wang, M. Keever, J.S. Harris. IEEE Photonics Technology Letters, 16, 377 (2004)
I.N. Kaiander, R.L. Sellin, T. Kettler, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, N.D. Zakharov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 84, 2992 (2004)
S.S. Mikhrin, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, Yu.M. Shernyakov, I.P. Soshnikov, D.A. Livshits, I.S. Tarasov, D.A. Bedarev, B.V. Volovik, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 15, 1061 (2000)
D. Arsenijevic, C. Liu, A. Payusov, M. Stubenrauch, D. Bimberg. IEEE Photon. Tech. Lett., 24 (11), 1041 (2012)
D.L. Huffaker, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 73, 520 (1998)
D. Franke, M. Moehrle, J. Boettcher, P. Harde, A. Sigmund, H. Kuenze. Appl. Phys. Lett., 91, 081117 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель