"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование с помощью молекулярной динамики низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs в процессе наноиндентирования *
Прасолов Н.Д. 1, Гуткин А.А. 2, Брунков П.Н. 1,2
1Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ndprasolov@itmo.ru, agut@defect.ioffe.ru, brunkov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

C использованием метода молекулярной динамики проведено моделирование в диапазоне температур от 1 до 15 K процесса наноиндентирования на глубину до 1 нм поверхностей (001) GaAs, терминированных As. Показано, что при этом происходит реконструкция поверхности с образованием устойчивых димеров As (1x2), которые не исчезают после отвода индентора от поверхности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.