C использованием метода молекулярной динамики проведено моделирование в диапазоне температур от 1 до 15 K процесса наноиндентирования на глубину до 1 нм поверхностей (001) GaAs, терминированных As. Показано, что при этом происходит реконструкция поверхности с образованием устойчивых димеров As (1x2), которые не исчезают после отвода индентора от поверхности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.