Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства
Переводная версия: 10.1134/S1063782619080189 
Министерства образования и науки РФ , RFMEFI62117X0018
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: sorokin@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.
Представлены результаты исследования структурных и оптических свойств двумерных (2D) слоев GaSe, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs(001) и GaAs(112) при использовании источника Se с высокотемпературным разложителем и клапаном. Определено влияние параметров роста (температуры подложки, интенсивности потока атомов Ga, отношения падающих потоков Se/Ga) на морфологию поверхности выращенных слоев. С помощью методов просвечивающей электронной микроскопии, электронной дифракции и спектроскопии комбинационного рассеяния света показано, что слои GaSe соответствуют политипу γ-GaSe. Методом рентгеновской дифрактометрии установлено наличие включений фазы alpha-Ga2Se3 в слоях GaSe, выращенных в условиях сильного обогащения поверхности роста селеном. Ключевые слова: GaSe, слоистые полупроводники, молекулярно-пучковая эпитаксия, структурные свойства.
- A. Kuhn, A. Chevy, R. Chevalier. Phys. Status Solidi A, 31, 469 (1975)
- T.E. Beechem, B.M. Kowalski, M.T. Brumbach, A.E. McDonald, C.D. Spataru, S.W. Howell, T. Ohta, J.A. Pask, N.G. Kalugin. Appl. Phys. Lett., 107, 173103 (2015)
- J. Susoma, J. Lahtinen, M. Kim, J. Riikonen, H. Lipsanen. AIP Advances, 7, 015014 (2017)
- W. Choi, N. Choudhary, G.H. Han, J. Park, D. Akinwande, Y.H. Lee. Materials Today, 20 (3), 116 (2017)
- N. Kojima, K. Sato, A. Yamada, M. Konagai, K. Takahashi. Jpn. J. Appl. Phys., 33, L1482 (1994)
- Z.R. Dai, S.R. Chegwidden, L.E. Rumaner, F.S. Ohuchi. J. Appl. Phys., 85, 2603 (1999)
- M. Budiman, T. Okamoto, A. Yamada, M. Konagai. Appl. Surf. Sci., 117/118, 518 (1997)
- M. Budiman, T. Okamoto, A. Yamada, M. Konagai. Jpn. J. Appl. Phys., 37, 5497 (1998)
- A. Koma. J. Cryst. Growth, 201/202, 236 (1999)
- N. Kojima, K. Sato, M. Budiman, A. Yamada, M. Konagai, K. Takahashi, Y. Nakamura, O. Nittono. J. Cryst. Growth, 150, 1175 (1995)
- D.J. O'Hara, T. Zhu, A.H. Trout, A.S. Ahmed, Y.K. Luo, C.H. Lee, M.R. Brenner, S. Rajan, J.A. Gupta, D.W. McComb, R.K. Kawakami. Nano Lett., 18 (5), 3125 (2018)
- C.H. Lee, S. Krishnamoorthy, D.J. O'Hara, M.R. Brenner, J.M. Johnson, J.S. Jamison, R.C. Myers, R.K. Kawakami, J. Hwang, S. Rajan. J. Appl. Phys., 121, 094302 (2017)
- S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, I.V. Sedova. In: Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production, ed. by M. Henini, 2nd edn (Elsevier Inc., 2018) p. 571
- X. Yuan, L. Tang, Sh. Liu, P. Wang, Zh. Chen, Ch. Zhang, Y. Liu, W. Wang, Y. Zou, C. Liu, N. Guo, J. Zou, P. Zhou, W. Hu, F. Xiu. Nano Lett., 15, 3571 (2015)
- R.M. Hoff, J.C. Irwin, R.M.A. Lieth. Can. J. Phys., 53, 1606 (1975)
- A. Polian, K. Kunc, A. Kuhn. Solid State Commun., 19, 1079 (1976)
- M.A. Afifi, A.E. Bekheet, H.T. El-Shair, I.T. Zedan. Physica B, 325, 308 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
