"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства
Переводная версия: 10.1134/S1063782619080189
Министерства образования и науки РФ , RFMEFI62117X0018
Сорокин С.В. 1, Авдиенко П.С.1, Седова И.В.1, Кириленко Д.А.1, Яговкина М.А.1, Смирнов А.Н.1, Давыдов В.Ю.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sorokin@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

Представлены результаты исследования структурных и оптических свойств двумерных (2D) слоев GaSe, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs(001) и GaAs(112) при использовании источника Se с высокотемпературным разложителем и клапаном. Определено влияние параметров роста (температуры подложки, интенсивности потока атомов Ga, отношения падающих потоков Se/Ga) на морфологию поверхности выращенных слоев. С помощью методов просвечивающей электронной микроскопии, электронной дифракции и спектроскопии комбинационного рассеяния света показано, что слои GaSe соответствуют политипу γ-GaSe. Методом рентгеновской дифрактометрии установлено наличие включений фазы alpha-Ga2Se3 в слоях GaSe, выращенных в условиях сильного обогащения поверхности роста селеном. Ключевые слова: GaSe, слоистые полупроводники, молекулярно-пучковая эпитаксия, структурные свойства.
  1. A. Kuhn, A. Chevy, R. Chevalier. Phys. Status Solidi A, 31, 469 (1975)
  2. T.E. Beechem, B.M. Kowalski, M.T. Brumbach, A.E. McDonald, C.D. Spataru, S.W. Howell, T. Ohta, J.A. Pask, N.G. Kalugin. Appl. Phys. Lett., 107, 173103 (2015)
  3. J. Susoma, J. Lahtinen, M. Kim, J. Riikonen, H. Lipsanen. AIP Advances, 7, 015014 (2017)
  4. W. Choi, N. Choudhary, G.H. Han, J. Park, D. Akinwande, Y.H. Lee. Materials Today, 20 (3), 116 (2017)
  5. N. Kojima, K. Sato, A. Yamada, M. Konagai, K. Takahashi. Jpn. J. Appl. Phys., 33, L1482 (1994)
  6. Z.R. Dai, S.R. Chegwidden, L.E. Rumaner, F.S. Ohuchi. J. Appl. Phys., 85, 2603 (1999)
  7. M. Budiman, T. Okamoto, A. Yamada, M. Konagai. Appl. Surf. Sci., 117/118, 518 (1997)
  8. M. Budiman, T. Okamoto, A. Yamada, M. Konagai. Jpn. J. Appl. Phys., 37, 5497 (1998)
  9. A. Koma. J. Cryst. Growth, 201/202, 236 (1999)
  10. N. Kojima, K. Sato, M. Budiman, A. Yamada, M. Konagai, K. Takahashi, Y. Nakamura, O. Nittono. J. Cryst. Growth, 150, 1175 (1995)
  11. D.J. O'Hara, T. Zhu, A.H. Trout, A.S. Ahmed, Y.K. Luo, C.H. Lee, M.R. Brenner, S. Rajan, J.A. Gupta, D.W. McComb, R.K. Kawakami. Nano Lett., 18 (5), 3125 (2018)
  12. C.H. Lee, S. Krishnamoorthy, D.J. O'Hara, M.R. Brenner, J.M. Johnson, J.S. Jamison, R.C. Myers, R.K. Kawakami, J. Hwang, S. Rajan. J. Appl. Phys., 121, 094302 (2017)
  13. S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, I.V. Sedova. In: Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production, ed. by M. Henini, 2nd edn (Elsevier Inc., 2018) p. 571
  14. X. Yuan, L. Tang, Sh. Liu, P. Wang, Zh. Chen, Ch. Zhang, Y. Liu, W. Wang, Y. Zou, C. Liu, N. Guo, J. Zou, P. Zhou, W. Hu, F. Xiu. Nano Lett., 15, 3571 (2015)
  15. R.M. Hoff, J.C. Irwin, R.M.A. Lieth. Can. J. Phys., 53, 1606 (1975)
  16. A. Polian, K. Kunc, A. Kuhn. Solid State Commun., 19, 1079 (1976)
  17. M.A. Afifi, A.E. Bekheet, H.T. El-Shair, I.T. Zedan. Physica B, 325, 308 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.