Показана возможность синтеза интегрированных гетероструктур GaN/por-Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (МПЭ ПА) без использования буферного слоя AlN/Si. Показано положительное влияние высокотемпературной нитридизации кремниевой подложки, проводимой непосредственно перед ростом GaN, на кристаллическое качество слоев GaN/Si. Установлено, что для получения двумерных слоев GaN на Si(111) целесообразно использовать "податливые" подложки por-Si и низкотемпературные зародышевые слои GaN c трехмерной (3D) морфологией, которые синтезируются методом МПЭ ПА при относительно низких температурах подложки в стехиометрических условиях при обогащении азотом. В этом случае на поверхности подложки por-Si формируется самоупорядоченный массив зародышевых наноколонн GaN с достаточно однородным распределением диаметров. В свою очередь, рост основных, слоев GaN следует проводить при повышенной температуре в стехиометрических условиях с обогащением галлием, при которых наблюдается коалесценция зародившихся наноколонн GaN и рост сплошного двумерного слоя GaN. Использование "податливых" Si-подложек является применимым подходом для формирования полупроводниковых приборных гетероструктур на основе GaN методом МПЭ ПА. Ключевые слова: нитрид галлия, наноколонны, молекулярно-пучковая эпитаксия, пористый кремний, структурные свойства.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.