Представлены экспериментальные распределения концентрации имплантированных ионов ксенона по глубине в зависимости от их зарядового состояния и энергии облучения. Ионы ксенона в зарядовых состояниях q=1-20 и с энергиями в диапазоне от 50 до 400 кэВ были внедрены в монокристаллический кремний. Облучение проводилось в направлении, не совпадающем с кристаллографическими осями кристалла для исключения эффекта каналирования. Флюенс ионов варьировался в пределах 5·(10¹⁴-10¹⁵) ион/см². Облучение однозарядными ионами и изучение образцов методом спектроскопии резерфордовского обратного рассеяния проводилось на ускорительном комплексе HVEE МГУ. Имплантация многозарядных ионов проводилась на ускорительном комплексе FAMA Института ядерных наук Винча. С помощью спектроскопии резерфордовского обратного рассеяния получены профили распределения по глубине внедренных ионов. Экспериментальные результаты сопоставлены с компьютерными расчетами. Показано, что средний проективный пробег многозарядных ионов в большинстве случаев имеет меньшие значения в сравнении со средним проективным пробегом однозарядных ионов и результатами компьютерного моделирования. Ключевые слова: ионная имплантация, многозарядные ионы, спектроскопия резерфордовского обратного рассеяния (РОР).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.