"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диффузия и взаимодействие In и As, имплантированных в пленки SiO2
Переводная версия: 10.1134/S1063782619080190
Министерство образования и науки Российской Федераци, ГЗ, 0306-2019-0005
Тысченко И.Е. 1, Voelskow M.2, Михайлов А.Н. 3, Тетельбаум Д.И. 3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Institute of Ion-Beam Physics and Materials Research, Helmholtz-Center Dresden
3Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: tys@isp.nsc.ru, mian@nifti.unn.ru, tetelbaum@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 19 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

Методами резерфордовского обратного рассеяния, электронной микроскопии и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии изучено пространственное распределение и взаимодействие атомов In и As, имплантированных с концентрациями ~1.5 ат% в термически выращенные пленки SiO2, в зависимости от температуры последующего отжига при T=800-1100oС в потоке паров азота. Установлено, что после отжига при T=800-900oС происходит сегрегация атомов As на глубине средних пробегов ионов As+ и формирование нанокластеров As, которые являются стоками для атомов In. Увеличение температуры отжига до 1100oС приводит к сегрегации атомов In на поверхности SiO2 и одновременной ускоренной диффузии атомов мышьяка с коэффициентом DAs=3.2·10-14 см2/с. Ключевые слова: In, As, оксид кремния, ионная имплантация, диффузия.
  1. H. Ko, K. Takei, R. Kapadia, S. Chuang, H. Fang, P.W. Leu, K. Ganapathi, E. Plis, H.S. Kim, S.-Y. Chen, M. Madsen, A.C. Ford, Y.-L. Chueh, S. Krishna, S. Salahuddin, A. Javey. Nature, 468, 286 (2010)
  2. A.C. Ford, C.W. Yeung, S. Chuang, H.S. Kim, E. Plis, S. Krishna, C. Hu, A. Javey. Appl. Phys. Lett., 98, 113105 (2011)
  3. K. Takei, R. Kapadia, H. Fang, E. Plis, S. Krishna, A. Javey. Appl. Phys. Lett., 102, 153513 (2013)
  4. S. Prucnal, Sh. Zhou, X. Ou, S. Facsko, M.O. Liedke, F. Bregolin, B. Liedke, J. Grebing, M. Fritzsche, R. Hubner, A. Mucklich, L. Rebohle, M. Helm, M. Turek, A. Drozdziel, W. Skorupa. J. Appl. Phys., 115, 074306 (2014)
  5. C. Hilsum, A.C. Rose-Innes. Semiconducting III-V compounds, ed. by H.R. Henisch (Oxford-London-N.-Y.-Paris, Pergamon Press, 1961) p. 254
  6. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987)
  7. N.A. Viglin, V.V. Ustinov, S.O. Demokritov, A.O. Shorikov, N.G. Bebenin, V.M. Tsvelikhovskaya, T.N. Pavlov, E.I. Patrakov. Phys. Rev. B, 96, 235303 (2017)
  8. P. Madakson, E. Ganin, J. Karasinski. J. Appl.Phys., 67, 4063 (1990)
  9. C.W. White, J.D. Budai, J.G. Zhu, S.P. Withrow, M.J. Aziz. Appl. Phys. Lett., 68, 2389 (1996)
  10. C.W. White, J.D. Budai, J.G. Zhu, S.P. Withrow, R.A. Zuhr, D.M. Hembree, Jr., R.H. Magruder. J. Appl. Phys., 79, 1876 (1996)
  11. F.F. Komarov, O.V. Mil'chanin, L.A. Vlasukova, W. Wesch, A.F. Komarov, A.V. Mudryi. Bull. Rus. Acad. Sci. Phys., 74, 252 (2010)
  12. F. Komarov, L. Vlasukova, O. Milchanin, W. Wesch, E. Wendler, J. Zuk, I. Parkhomenko. Mater. Sci. Eng. B., 178, 1169 (2013)
  13. S. Prucnal, M. Turek, A. Drozdziel, K. Pyszniak, S.Q. Zhou, A. Kanjilal, W. Skorupa, J. Zuk. Appl. Phys. B, 101, 315 (2010)
  14. A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 56, 2708 (1984)
  15. A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 57, 5220 (1985)
  16. И.Е. Тысченко, М. Фельсков, А.Г. Черков, В.П. Попов. ФТП, 48, 1228 (2014)
  17. R.F. De Keersmaecker, D.J. Di Maria. J. Appl. Phys., 51, 1085 (1980)
  18. T. Yamaji, F. Ichikawa. J. Appl. Phys., 64, 2365 (1988)
  19. R. Singh, M. Maier, H. Krautle, D.R. Young, P. Balk. J. Electrochem. Soc., 131, 2645 (1984)
  20. G.K. Celler, L.E. Trimble, K.W. West, L. Pfeiffer, T.T. Sheng. Appl. Phys. Lett., 50, 664 (1987)
  21. J.A. Costello, R.E. Tressler. J. Electrochem. Soc., 131, 1944 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.